一种滤波装置及其形成方法，滤波器包括：衬底，包括若干第一区、若干第二区和一个或多个第三区；位于第一区的若干第一谐振器，第一谐振器包括第一叉指换能器，第一叉指换能器包括第一金属层；位于第二区的若干第二谐振器，第二谐振器包括第二叉指换能器，第二叉指换能器包括第二金属层和位于第二金属层上的第三金属层；所述第一滤波器包括若干所述第一谐振器和若干所述第二谐振器，其中，若干所述第一谐振器为滤波器梯形电路中的串联谐振器，若干所述第二谐振器为所述滤波器梯形电路中的并联谐振器；位于第三区的若干第三叉指换能器，第三叉指换能器包括第四金属层；所述第二滤波器包括若干所述第三叉指换能器。所述滤波器的性能得到提升。性能得到提升。性能得到提升。
【技术实现步骤摘要】
滤波装置及滤波装置的形成方法
[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种滤波装置及滤波装置的形成方法。
技术介绍
[0002]无线通信设备的射频(Radio Frequency，简称RF)前端芯片包括功率放大器、天线开关、射频滤波器、多工器和低噪声放大器等。其中，射频滤波器包括压电声表面波(Surface Acoustic Wave，简称SAW)滤波器、压电体声波(Bulk Acoustic Wave，简称BAW)滤波器、微机电系统(Micro
‑
Electro
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Mechanical System，简称MEMS)滤波器、集成无源装置(Integrated Passive Devices，简称IPD)滤波器等。
[0003]SAW谐振器的品质因数(Q值)较高，由SAW谐振器制作成低插入损耗(insertion loss)、高带外抑制(out
‑
band rejection)的RF滤波器，即SAW滤波器，是目前手机、基站等无线通信设备使用的主流RF滤波器。
[0004]为了节省面积，射频前端往往采用集成多个滤波器的双工器或多工器。双工器包括发射滤波器和接收滤波器。发射滤波器连接在信号发射端与天线端之间，接收滤波器连接在天线端和信号接收端之间。
[0005]然而，现有的双工器的性能还有待提升。
技术实现思路
[0006]本专利技术解决的技术问题是提供一种滤波装置及滤波装置的形成方法，以改善双工器的性能。
[0007]为解决上述技术问题，本专利技术技术方案提供一种滤波装置，包括第一滤波器和第二滤波器，包括：衬底，所述衬底包括若干第一区、若干第二区和一个或多个第三区；分别位于若干所述第一区的若干第一谐振器，其中，所述第一谐振器包括第一叉指换能器，位于所述衬底上，所述第一叉指换能器包括第一金属层；分别位于若干所述第二区的若干第二谐振器，其中，所述第二谐振器包括第二叉指换能器，位于所述衬底上，所述第二叉指换能器包括第二金属层和位于所述第二金属层上的第三金属层，所述第三金属层材料的密度小于所述第二金属层材料的密度，所述第三金属层材料的密度小于所述第一金属层材料的密度；所述第一滤波器包括若干所述第一谐振器和若干所述第二谐振器，其中，若干所述第一谐振器为滤波器梯形电路中的串联谐振器，若干所述第二谐振器为所述滤波器梯形电路中的并联谐振器；位于一个或多个所述第三区的若干第三叉指换能器，位于所述衬底上，所述第三叉指换能器包括第四金属层，所述第四金属层的密度小于所述第二金属层材料的密度，所述第四金属层材料的密度小于所述第一金属层材料的密度；所述第二滤波器包括若干所述第三叉指换能器。
[0008]可选的，所述第一滤波器为发射端滤波器，所述第二滤波器为接收端滤波器。
[0009]可选的，所述第一金属层和所述第二金属层的材料相同。
[0010]可选的，所述第一金属层和所述第二金属层的材料包括：钼、钌、钨、铂、铱、铜、铬、
镁、钪或钽。
[0011]可选的，所述第三金属层和所述第四金属层的材料相同；所述第三金属层和所述第二金属层的材料不同。
[0012]可选的，所述第三金属层和所述第四金属层的材料包括：铝或铝合金。
[0013]可选的，还包括：位于所述衬底上的保护层，覆盖若干所述第一叉指换能器、若干所述第二叉指换能器和若干所述第三叉指换能器，对应若干所述第一叉指换能器、若干所述第二叉指换能器和若干所述第三叉指换能器的所述保护层呈凹凸状；所述保护层的材料包括介电材料，所述介电材料包括：二氧化硅、氮化硅、氮化铝、氮氧化硅或氧化铝。
[0014]可选的，所述衬底的材料包括压电材料，所述压电材料包括：钽酸锂、铌酸锂、石英、氧化锌或氮化铝。
[0015]可选的，所述第二金属层的材料和所述第三金属层的材料相同。
[0016]相应地，本专利技术技术方案还提供一种滤波装置的形成方法，包括形成第一滤波器和第二滤波器，包括：提供衬底，所述衬底包括若干第一区、若干第二区和一个或多个第三区；分别在若干所述第一区形成若干第一谐振器，其中，形成所述第一谐振器包括形成第一叉指换能器，位于所述衬底上，形成第一叉指换能器包括形成第一金属层；分别在若干所述第二区形成若干第二谐振器，其中，形成所述第二谐振器包括形成第二叉指换能器，位于所述衬底上，形成第二叉指换能器包括形成第二金属层和位于所述第二金属层上的第三金属层，所述第三金属层材料的密度小于所述第二金属层材料的密度，所述第三金属层材料的密度小于所述第一金属层材料的密度；形成第一滤波器包括形成若干所述第一谐振器和若干所述第二谐振器，其中，若干所述第一谐振器为滤波器梯形电路中的串联谐振器，若干所述第二谐振器为所述滤波器梯形电路中的并联谐振器；在一个或多个所述第三区形成若干第三叉指换能器，位于所述衬底上，其中，形成所述第三叉指换能器包括形成第四金属层，所述第四金属层的密度小于所述第二金属层材料的密度，所述第四金属层材料的密度小于所述第一金属层材料的密度；形成第二滤波器包括形成若干所述第三叉指换能器。
[0017]可选的，还包括：形成第一金属材料层，位于所述衬底上方；去除位于所述第三区的所述第一金属材料层；形成第二金属材料层，位于所述第一区和所述第二区的所述第一金属材料层上方以及所述第三区的所述衬底上方；去除位于所述第一区的所述第二金属材料层；形成第一叉指换能器包括：图形化所述第一区的所述第一金属材料层，形成所述第一金属层；形成第二叉指换能器包括：图形化所述第二区的所述第一金属材料层和所述第二金属材料层，分别形成所述第二金属层和所述第三金属层；形成第三叉指换能器包括：图形化所述第三区的所述第二金属材料层，形成所述第四金属层。
[0018]可选的，所述第二金属层的材料和所述第三金属层的材料相同时，形成所述第二金属层的工艺和形成所述第三金属层的工艺不同，或者，形成所述第二金属层和形成所述第三金属层的工艺为不同工艺参数的同种工艺。
[0019]可选的，还包括：在所述衬底上形成保护层，所述保护层覆盖若干所述第一叉指换能器、若干所述第二叉指换能器及若干所述第三叉指换能器。
[0020]与现有技术相比，本专利技术的技术方案具有以下有益效果：
[0021]本专利技术的技术方案，分别在若干第一区形成的若干第一叉指换能器，所述第一叉指换能器包括第一金属层，分别在若干第二区形成的若干第二叉指换能器，所述第二叉指
换能器包括第二金属层和第二金属层上的第三金属层，所述第三金属层材料的密度小于所述第二金属层材料的密度，所述第三金属层材料的密度小于所述第一金属层材料的密度，在第三区形成若干第三叉指换能器，所述第三叉指换能器包括第四金属层，所述第四金属层的密度小于所述第二金属层材料的密度，所述第四金属层材料的密度小于所述第一金属层材料的密度。从而对应若干所述第一叉指换能器的若干所述第一谐振器为串联谐振器时，由于所述第一金属层的密度较大，从而所述第一金属层能够产生足够的质量负载，得到足够的机本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种滤波装置，包括第一滤波器和第二滤波器，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括若干第一区、若干第二区和一个或多个第三区；分别位于若干所述第一区的若干第一谐振器，其中，所述第一谐振器包括第一叉指换能器，位于所述衬底上，所述第一叉指换能器包括第一金属层；分别位于若干所述第二区的若干第二谐振器，其中，所述第二谐振器包括第二叉指换能器，位于所述衬底上，所述第二叉指换能器包括第二金属层和位于所述第二金属层上的第三金属层，所述第三金属层材料的密度小于所述第二金属层材料的密度，所述第三金属层材料的密度小于所述第一金属层材料的密度；所述第一滤波器包括若干所述第一谐振器和若干所述第二谐振器，其中，若干所述第一谐振器为滤波器梯形电路中的串联谐振器，若干所述第二谐振器为所述滤波器梯形电路中的并联谐振器；位于一个或多个所述第三区的若干第三叉指换能器，位于所述衬底上，所述第三叉指换能器包括第四金属层，所述第四金属层的密度小于所述第二金属层材料的密度，所述第四金属层材料的密度小于所述第一金属层材料的密度；所述第二滤波器包括若干所述第三叉指换能器。2.如权利要求1所述的滤波装置，其特征在于，所述第一滤波器为发射端滤波器，所述第二滤波器为接收端滤波器。3.如权利要求1所述的滤波装置，其特征在于，所述第一金属层和所述第二金属层的材料相同。4.如权利要求3所述的滤波装置，其特征在于，所述第一金属层和所述第二金属层的材料包括：钼、钌、钨、铂、铱、铜、铬、镁、钪或钽。5.如权利要求1所述的滤波装置，其特征在于，所述第三金属层和所述第四金属层的材料相同；所述第三金属层和所述第二金属层的材料不同。6.如权利要求5所述的滤波装置，其特征在于，所述第三金属层和所述第四金属层的材料包括：铝或铝合金。7.如权利要求1所述的滤波装置，其特征在于，还包括：位于所述衬底上的保护层，覆盖若干所述第一叉指换能器、若干所述第二叉指换能器和若干所述第三叉指换能器，对应若干所述第一叉指换能器、若干所述第二叉指换能器和若干所述第三叉指换能器的所述保护层呈凹凸状；所述保护层的材料包括介电材料，所述介电材料包括：二氧化硅、氮化硅、氮化铝、氮氧化硅或氧化铝。8.如权利要求1所述的滤波装置，其特征在于，所述衬底的材料包括压电材料，所述压电材料包括：钽酸锂、铌酸锂、石英、氧化锌或氮化铝。9.如权利要求1所述的滤波装置，其特征在于，所述第二金属层的材料和所述第三金属层...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨新宇，邹雅丽，汤正杰，
申请(专利权)人：常州承芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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