【技术实现步骤摘要】
声表面波SAW滤波器及其制造方法
[0001]本申请涉及半导体器件领域,尤其涉及一种声表面波SAW滤波器及其制造方法。
技术介绍
[0002]声表面波(SAW)装置,例如SAW谐振器和SAW滤波器,在例如射频(RF)滤波器等许多应用中都有使用。典型的SAW滤波器包括形成于压电基板上的多个叉指换能器(IDTs)。多个叉指换能器IDTs串联或并联连接。
[0003]随着现代RF通信系统中SAW滤波器的使用增加,亟需具有改进的品质因数(Q)的SAW滤波器。
技术实现思路
[0004]根据本公开的一个方面,提供了一种声表面波SAW滤波器。SAW滤波器包括:底部基板;设置在底部基板上方的压电层,且压电层具有面向底部基板的底面和与底面相对的顶面;设置在压电层下方的下空腔;设置在压电层顶面的叉指换能器IDT;以及设置在压电层底面的背电极,且背电极暴露在下空腔中。
[0005]根据本公开的另一方面,提供了一种SAW滤波器。SAW滤波器包括:底部基板;设置在底部基板上方的压电层,且压电层具有面向底部基板的底面和与底面相对的顶面;设置在压电层下方的下空腔;设置在压电层的顶面上的背电极;以及设置在压电层的底面上的叉指换能器IDT,且叉指换能器的叉指部分暴露在下空腔中。
[0006]根据本公开的一个方面,提供了一种声表面波SAW滤波器的制造方法。该方法包括:获得压电基板;在压电基板的第一部分上形成背电极;在压电基板的第一部分上形成覆盖背电极的牺牲层;在压电基板的第一部分上形成覆盖牺牲层的第一介电层;将 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种声表面波SAW滤波器,其特征在于,包括:底部基板;压电层,设置在所述底部基板上方,具有面向所述底部基板的底面以及与所述底面相对的顶面;下空腔,设置在所述压电层下方;叉指换能器IDT,设置在所述压电层的顶面上;和背电极,设置在所述压电层的底面上,并暴露在所述下空腔中。2.根据权利要求1所述的SAW滤波器,其特征在于,还包括:第一介电层,设置于所述压电层与所述底部基板之间,并围绕所述下空腔。3.根据权利要求1所述的SAW滤波器,其特征在于,还包括:上空腔,位于所述压电层上方;顶部基板,覆盖所述上空腔;和第二介电层,设置在所述压电层和所述顶部基板之间,并围绕所述上空腔。4.根据权利要求3所述的SAW滤波器,其特征在于,还包括:焊盘金属层,设置在IDT上方,所述焊盘金属层的第一部分设置在IDT的第一输入和输出端上方,所述焊盘金属层的第二部分设置在IDT的第二输入和输出端上方;第一硅通孔TSV和第二硅通孔TSV,在所述顶部基板和所述第二介电层中形成,第一TSV暴露所述焊盘金属层的第一部分,第二TSV暴露所述焊盘金属层的第二部分;和再分布金属层,设置在所述顶部基板上,所述再分布金属层的第一部分通过所述第一TSV与所述焊盘金属层的第一部分电连接,所述再分布金属层的第二部分通过所述第二TSV与所述焊盘金属层的第二部分电连接。5.根据权利要求4所述的SAW滤波器,其特征在于,还包括:第一焊料凸块和第二焊料凸块,设置在所述顶部基板上方,所述第一焊料凸块与所述再分布金属层的第一部分电连接,所述第二焊料凸块所述再分布金属层的第二部分电连接。6.根据权利要求3所述的SAW滤波器,其特征在于,所述顶部基板由Si、SiO2、多晶硅、碳化硅、蓝宝石Al2O3或这些材料中的两种或更多种的堆叠组合形成;并且所述顶部基板与所述第二介电层接合。7.根据权利要求2所述的SAW滤波器,其特征在于,所述底部基板由Si、SiO2、多晶硅、碳化硅、蓝宝石Al2O3或这些材料中的两种或更多种的堆叠组合形成;并且所述底部基板与所述第一介电层接合。8.根据权利要求7所述的SAW滤波器,其特征在于,还包括:非导电层,设置在所述第一介电层和所述底部基板之间,由多晶硅、非晶硅、氮化硅、氮化铝、氮化镓或这些材料中的两种或更多种的堆叠组合形成。9.根据权利要求7所述的SAW滤波器,其特征在于,还包括:缓冲层,设置在所述第一介电层和所述底部基板之间,由氮化硅、氧化硅或这些材料的堆叠组合形成。
10.根据权利要求7所述的SAW滤波器,其特征在于,还包括:非导电层,设置在所述第一介电层和所述底部基板之间,由多晶硅、非晶硅、氮化硅、氮化铝、氮化镓或这些材料中的两种或更多种的堆叠组合形成;和缓冲层,设置在所述第一介电层和所述非导电层之间,由氮化硅、氧化硅或这些材料的堆叠组合形成。11.一种声表面波SAW滤波器,其特征在于,包括:底部基板;压电层,设置于所述底部基板上方,具有面向所述底部基板的底面以及与所述底面相对的顶面;下空腔,设置在所述压电层下方;背电极,设置在所述压电层的顶面上;和叉指换能器IDT,设置在所述压电层的底面上,并具有暴露在所述下空腔中的叉指部分。12.根据权利要求11所述的SAW滤波器,其特征在于,还包括:第一介电层,设置于所述压电层与所述底部基板之间,并围绕所述下空腔。13.根据权利要求11所述的SAW滤波器,其特征在于,还包括:上空腔,位于所述压电层上方;顶部基板,覆盖所述上空腔;和第二介电层,设置在所述压电层和所述顶部基板之间,并围绕所述上空腔。14.根据权利要求13所述的SAW滤波器,其特征在于,还包括:第一硅通孔TSV和第二硅通孔TSV,在所述顶部基板、所述第二介电层和所诉压电层中形成,第一TSV暴露IDT的第一输入和输出端,第二TSV暴露第二输入IDT的输出端;和再分布金属层,设置在所述顶部基板上,所述再分布金属层的第一部分通过所述第一TSV与IDT的第一输入和输出端电连接,所述再分布金属层的第二部分通过第二TSV与IDT的第二输入和输出端电连接。15.根据权利要求14所述的SAW滤波器,其特征在于,还包括:第一焊料凸块和第二焊料凸块,设置在所述顶部基板上方,所述第一焊料凸块与所述再分布金属层的第一部分电连接,所述第二焊料凸块所述再分布金属层的第二部分电连接。16.根据权利要求13所述的SAW滤波器,其特征在于,所述顶部基板由Si、SiO2、多晶硅、碳化硅、蓝宝石Al2O3或这些材料中的两种或更多种的堆叠组合形成;并且所述顶部基板与所述第二介电层接合。17.根据权利要求12所述的SAW滤波器,其特征在于,所述底部基板由Si、SiO2、多晶硅、碳化硅、蓝宝石Al2O3或这些材料中的两种或更多种的堆叠组合形成;并且所述底部基板与所述第一介电层接合。18.根据权利要求17所述的SAW滤波器,其特征在于,还包括:非导电层,设置在所述第一介电层和所述底部基板之间,由多晶硅、非晶硅、氮化硅、氮
化铝、氮化镓或这些材料中的两种或更多种的堆叠组合形成。19.根据权利要求17所述的SAW滤波器,其特征在于,还包括:缓冲层,设置在所述第一介电层和所述底部基板之间,由氮化硅、氧化硅或这些材料的堆叠组合形成。20.根据权利要求17所述的SAW滤波器,其特征在于,还包括:非导电层,设置在所述第一介电层和所述底部基板之间,由多晶硅、非晶硅、氮化硅、氮化铝、氮化镓或这些材料中的两种或更多种的堆叠组合形成;和缓冲层,设置在所述第一介电层和所述非导电层之间,由氮化硅、氧化硅或这些材料的堆叠组合形成。21.一种如权利要求1至10任一项所述的声表面波SAW滤波器的制造方法,其特征在于,包括:获得压电基板;在所述压电基板的第一部分上形成背电极;在所述压电基板的第一部分上形成覆盖所述背电极的牺牲层;在所述压电基板的第一部分上形成覆盖所述牺牲层的第一介电层;将底部基板接合到所述第一介电层;移除所述压电基板的第二部分以暴露所述压电基板的第一部分,所述压电基板的第一部分构成压电层;形成一个或多个穿过所述压电层的释放孔;在所述压电层上形成叉指换能器IDT;和经由一个或多个释放孔蚀刻和...
【专利技术属性】
技术研发人员:请求不公布姓名,
申请(专利权)人:深圳新声半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:
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