晶圆级声表面波滤波器及射频模组芯片制造技术

本发明专利技术提供了一种晶圆级声表面波滤波器及射频模组芯片，晶圆级声表面波滤波器包括：衬底；插指组件，插指组件包括通过光刻丝印形成于衬底上插指、汇流条和金属板；围堰，围堰固定于衬底；盖板，盖板盖设于围堰上，盖板设有多个贯穿其上的通孔；金属柱，多个金属柱分别固定于衬底且分别插入对应的一个通孔内；金属共地层，金属共地层贴设于盖板远离插指组件的一侧，其中部分金属柱与金属共地层电连接以形成共地信号端，其中另一部分金属柱与金属共地层绝缘以形成信号输入端和信号输出端；以及锡球，每一个金属柱远离衬底的一端固定设置一个锡球。本发明专利技术晶圆级声表面波滤波器的结构简单，抗磨压性能良好，WLP封装可靠性高。WLP封装可靠性高。WLP封装可靠性高。

【技术实现步骤摘要】
晶圆级声表面波滤波器及射频模组芯片


[0001]本专利技术涉及无线通讯
，尤其涉及一种晶圆级声表面波滤波器及射频模组芯片。

技术介绍

[0002]随着人类进入信息化时代，无线通信技术有了飞速发展，射频模组已成为社会生活和发展不可或缺的一部分。无线通信技术的进步离不开射频电路和微波技术的发展。目前，在无线收发系统中，射频模组是一种包含低噪声放大器(LNA)，开关，滤波器，功率放大器(PA)等其中两种或多种器件的模组芯片。射频模组芯片由于其高集成度，高性能等，被广泛应用于手机，可穿戴设备等移动终端中。随着终端设备中空间要求的日益严格，射频模组也愈发高度集成化。射频模组对小型化需求的提升，对其中各类器件的尺寸也提出了更加严格的要求。
[0003]滤波器是射频模组中的重要器件之一，为了满足射频模组对尺寸的要求，滤波器的晶圆级封装(Wafer Level Package，简称WLP)得到了长足的发展。一般是在滤波器衬底上直接通过有机材料光刻形成围堰后，再覆上一层有机盖板，完成整个封装。由于其不需要传统的芯片级封装(Chip Scale Package，简称CSP)的基板，因此WLP的尺寸得到了进一步的缩小。
[0004]然而，在传统的WLP封装中，滤波器由于不像传统CSP封装一样，具有自己的基板，滤波器的电性能及空腔性能均难以得到保障。传统的WLP封装中，滤波器表层仅有一层低介电常数的有机盖板与外界隔离，因此，外界的干扰，及接地良好与否，均易较强烈影响滤波器性能。传统WLP封装滤波器的接地性能一直是WLP滤波器应用的一个难点；由于WLP滤波器没有自身的地，因此，接地需要通过焊球连接到模组基板上的地。由于焊球较大，且基板中的地可能与表层相距较远，信号通过地进行回流之前，需额外经过焊球，模组基板中的铜柱过孔等结构，带了了不可忽略的寄生电感效应。该寄生电感可能使得WLP滤波器带外抑制性能恶化，并且有改变带内性能的风险，可靠性差。

技术实现思路

[0005]针对以上现有技术的不足，本专利技术提出一种晶圆级声表面波滤波器及射频模组芯片，以解决传统晶圆级声表面波滤波器在应用时接地麻烦，回流性能差，可靠性低的问题。
[0006]为了解决上述技术问题，本专利技术采用如下技术方案：
[0007]第一方面，本专利技术实施例提供一种晶圆级声表面波滤波器，所述晶圆级声表面波滤波器包括：
[0008]衬底，所述衬底为压电材料制成；
[0009]插指组件，所述插指组件包括通过光刻丝印形成于所述衬底上插指、汇流条和金属板；所述插指与所述汇流条连接，所述汇流条连接所述金属板；
[0010]围堰，所述围堰呈环形结构，所述围堰固定于所述衬底，所述围堰间隔环绕所述插
指及所述汇流条设置，所述金属板穿过所述围堰用于与外部电连接；
[0011]盖板，所述盖板盖设于所述围堰上，所述盖板设有多个贯穿其上的通孔；
[0012]金属柱，所述金属柱包括多个并位于所述围堰的内侧，多个所述金属柱分别固定于所述衬底且分别插入对应的一个所述通孔内，以外露于所述盖板；
[0013]金属共地层，所述金属共地层贴设于所述盖板远离所述插指组件的一侧，其中部分所述金属柱与所述金属共地层电连接以形成共地信号端，其中另一部分所述金属柱与所述金属共地层绝缘以形成信号输入端和信号输出端；以及，
[0014]锡球，所述锡球包括多个，每一个所述金属柱远离所述衬底的一端固定设置一个所述锡球。
[0015]优选的，所述金属共地层通过钢网丝印的方式形成于盖板。
[0016]优选的，所述衬底为铌酸锂、钽酸锂、压电陶瓷和压电石英中的任意一种材料制成。
[0017]优选的，所述插指包括多个，且间隔设置于所述衬底。
[0018]优选的，所述围堰为使用有机材料采用光刻丝印工艺形成于所述衬底。
[0019]优选的，所述盖板为在所述围堰的顶面使用有机材料和相应的贴膜方式，形成所述盖板。
[0020]优选的，多个所述通孔相对于所述衬底的正投影位于所述围堰的内侧。
[0021]优选的，所述金属柱通过电镀的方式形成于所述衬底。
[0022]第二方面，本专利技术实施例提供一种射频模组芯片，包括上述的晶圆级声表面波滤波器。
[0023]与相关技术相比，本专利技术的实施例中，通过将插指、围堰光刻形成于衬底上，所述围堰间隔环绕所述插指及所述汇流条设置，所述金属板穿过所述围堰用于与外部电连接；将所述盖板盖设于所述围堰上，所述盖板上贯穿设有多个通孔，将多个所述金属柱分别固定于所述衬底且分别插入对应的一个所述通孔内，以外露于所述盖板；所述金属共地层贴设于所述盖板远离所述插指组件的一侧，其中部分所述金属柱与所述金属共地层电连接以形成共地信号端，其中另一部分所述金属柱与所述金属共地层绝缘以形成信号输入端和信号输出端；将每一个所述金属柱远离所述衬底的一端固定设置一个所述锡球。这样通过金属共地层和金属柱形成共地层，实现对地回流的增强，以提高WLP滤波器的带外性能。缩短滤波器芯片上金属共地层与外部地层的距离，增强WLP滤波器地回流的性能，以提高WLP滤波器的带外性能。同时，地层板将所有的锡球相连，锡球带来的寄生电感被并联，减小了锡球带来的寄生电感值，进一步降低了寄生电感效应带来的不良影响。另外，还能起到一定的电磁干扰屏蔽作用，进一步提高了WLP滤波器的接地性能；金属共地层也具有更高的杨氏模量，使得WLP滤波器的抗模压性能提升，提高WLP滤波器封装的可靠性。
附图说明
[0024]下面结合附图详细说明本专利技术。通过结合以下附图所作的详细描述，本专利技术的上述或其他方面的内容将变得更清楚和更容易理解。附图中：
[0025]图1为本专利技术实施例中晶圆级声表面波滤波器的结构示意图；
[0026]图2为图1的A
‑
A线剖视图。
[0027]其中，100、晶圆级声表面波滤波器，1、衬底，2、插指组件，21、插指，3、围堰，4、金属柱，5、盖板，6、金属共地层，7、锡球，8、空腔，9、通孔。
具体实施方式
[0028]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的
的技术人员通常理解的含义相同；本文中在申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请；本申请的说明书和权利要求书及上述附图说明中的术语“包括”和“具有”以及它们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。本申请的说明书和权利要求书或上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。
[0029]在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
[0030]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆级声表面波滤波器，其特征在于，所述晶圆级声表面波滤波器包括：衬底，所述衬底为压电材料制成；插指组件，所述插指组件包括通过光刻丝印形成于所述衬底上插指、汇流条和金属板；所述插指与所述汇流条连接，所述汇流条连接所述金属板；围堰，所述围堰呈环形结构，所述围堰固定于所述衬底，所述围堰间隔环绕所述插指及所述汇流条设置，所述金属板穿过所述围堰用于与外部电连接；盖板，所述盖板盖设于所述围堰上，所述盖板设有多个贯穿其上的通孔；金属柱，所述金属柱包括多个并位于所述围堰的内侧，多个所述金属柱分别固定于所述衬底且分别插入对应的一个所述通孔内，以外露于所述盖板；金属共地层，所述金属共地层贴设于所述盖板远离所述插指组件的一侧，其中部分所述金属柱与所述金属共地层电连接以形成共地信号端，其中另一部分所述金属柱与所述金属共地层绝缘以形成信号输入端和信号输出端；以及，锡球，所述锡球包括多个，每一个所述金属柱远离所述衬底的一端固定设置一个所述锡球。2.根据权利要求1所述的晶圆级声表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡锦钊，杨睿智，李帅，张磊，郭嘉帅，
申请(专利权)人：深圳飞骧科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：