差分低噪声放大器及射频芯片制造技术

本发明专利技术适用于通信技术领域，尤其涉及一种差分低噪声放大器及射频芯片。差分低噪声放大器包括第一低噪声放大单元和第二低噪声放大单元；第一低噪声放大单元用于对差分低噪声放大器产生的噪声进行抵消；第二低噪声放大单元的输出端作为差分低噪声放大器的输出端，用于输出信号，第二低噪声放大单元用于对差分低噪声放大器的宽带进行输入匹配。与现有技术相比，本发明专利技术采用由第一低噪声放大单元和第二低噪声放大单元构成的两级级联结构，第一低噪声放大单元通过利用晶体管特性抵消噪声，第二低噪声放大单元在增强增益的同时，增强了输入和输出之间的隔离，最终实现整个差分低噪声放大器的宽带输入匹配、噪声抵消和单端到差分转换，适用于射频前端电路。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术适用于通信，尤其涉及一种差分低噪声放大器及射频芯片。

技术介绍

1、随着无线通信技术的发展，射频前端电路始终是研究和创新的重点领域之一。差分低噪声放大器作为接收链路的起始部分，对微弱信号的处理能力直接决定了整个通信系统的性能。近年来，随着通信标准的不断更新和应用场景的日益丰富，如智能家居、智能交通等领域的兴起，对射频前端电路的适应性和性能要求愈发严格。

2、而现有的单端低噪声放大器在面对这些新需求时，逐渐显示出其在噪声抑制、带宽扩展和信号处理灵活性等方面的不足，存在噪声抑制效果差、增益低以及线性度差的问题，无法满足现有的射频前端电路所需的性能。

3、因此，亟需一种新的差分低噪声放大器及射频芯片解决上述技术问题。

技术实现思路

1、本专利技术提供一种差分低噪声放大器及射频芯片，旨在提高差分低噪声放大器的带宽和线性度并降低噪声系数。

2、第一方面，本专利技术提供一种差分低噪声放大器，所述差分低噪声放大器包括第一低噪声放大单元和第二低噪声放大单元；</p>

3、所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种差分低噪声放大器，其特征在于，所述差分低噪声放大器包括第一低噪声放大单元和第二低噪声放大单元；

2.如权利要求1所述的差分低噪声放大器，其特征在于，所述第一放大电路包括第一电感、第二电感、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管以及第四MOS管；所述第一MOS管的源极作为所述第一放大电路的输入端，所述第一MOS管的栅极用于连接第一外部偏置电压，所述第一MOS管的漏极连接所述第二MOS管的源极；所述第一电感的第一端连接所述第一MOS管的源极，所述第一电感的第二端接地；所述第二MOS管的栅极连接所述第四MOS管的栅极，所述第二MOS管的漏极作为所述第一放大电路的第二输出端...

【技术特征摘要】

1.一种差分低噪声放大器，其特征在于，所述差分低噪声放大器包括第一低噪声放大单元和第二低噪声放大单元；

2.如权利要求1所述的差分低噪声放大器，其特征在于，所述第一放大电路包括第一电感、第二电感、第一mos管、第二mos管、第三mos管以及第四mos管；所述第一mos管的源极作为所述第一放大电路的输入端，所述第一mos管的栅极用于连接第一外部偏置电压，所述第一mos管的漏极连接所述第二mos管的源极；所述第一电感的第一端连接所述第一mos管的源极，所述第一电感的第二端接地；所述第二mos管的栅极连接所述第四mos管的栅极，所述第二mos管的漏极作为所述第一放大电路的第二输出端；所述第三mos管的栅极连接所述第一mos管的源极，所述第三mos管的源极连接所述第二电感的第一端，所述第二电感的第二端接地，所述第三mos管的漏极连接所述第四mos管的源极，所述第四mos管的漏极作为所述第一放大电路的第一输出端。

3.如权利要求1所述的差分低噪声放大器，其特征在于，所述输入匹配电路包括第一电容；所述第一电容的第一端作为所述输入匹配电路的输入端，所述第一电容的第二端作为所述输入匹配电路的输出端。

4.如权利要求1所述的差分低噪声放大器，其特征在于，所述第一输出匹配电路包括第三电感、第四电感、第二电容以及第三电容；所述第三电感的第一端作为所述第一输出匹配电路的第二输入端，所述第三电感的第二端用于连接外部电源电压，所述第四电感的第一端作为所述第一输出匹配电路的第一输入端，所述第四电感的第二端用于连接外部电源电压；所述第二电容的第一端连接所述第三电感的第一端，所述第二电容的第二端作为所述第一输出匹配电路的第二输出端，所述第三电容的第一端连接所述第四电感的第一端，所述第三电容的第二端作为所述第一输出匹配电路的第一输出端。

5.如权利要求1所述的差分低噪声放大器...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：深圳飞骧科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：