一种用于Band7接收频段的SAW滤波器制造技术

本实用新型专利技术涉及声表面波滤波器技术领域，具体涉及一种用于Band7接收频段的SAW滤波器，包括输入端子及输出端子，设置于输入端子与输出端子之间的第一阻抗元谐振器、第二阻抗元谐振器及声耦合滤波器；其中，所述第一阻抗元谐振器与所述第二阻抗元谐振器均设置一个，且所述第一阻抗元谐振器串联设置，所述第二阻抗元谐振器并联接地，所述声耦合滤波器并联设置两个，并与所述第一阻抗元谐振器串联的连接。本实用新型专利技术设计架构简单，可以极大的缩小芯片的尺寸，一般仅为同类产品面积的55％左右，进而可以大幅度降低产品的生产成本。关于其性能，插损可以到

【技术实现步骤摘要】
一种用于Band7接收频段的SAW滤波器


[0001]本技术涉及声表面波滤波器
，特别涉及一种用于Band7接收频段的SAW滤波器。

技术介绍

[0002]在滤波器设计过程中，叉指换能器(I DT)是制作声表面波滤波器的基础器件，制成的滤波器最重要的两个性能指标为通带内插损和带外抑制。声表面波(SAW)滤波器广泛应用于移动通讯设备中，具有插损低、宽带宽、体积小、低成本、可批量生产等优点。
[0003]目前，Band7是用于手机通讯的一个频段，它的接收频段为2620～2690MHz，发射频段为2500～2570MHz，接收滤波器需要对发射频段进行抑制，由于SAW在高频的损耗较大，所以以往设计插损往往高于
‑
2dB。本技术研制了一种用于Band7接收频段的SAW滤波器，以解决现有技术中存在的问题。

技术实现思路

[0004]本技术目的是：提供一种用于Band7接收频段的SAW滤波器，以解决现有技术中SAW滤波器在高频的损耗较大，插损往往高于
‑
2dB的问题。
[0005]本技术的技术方案是：一种用于Band7接收频段的SAW滤波器，包括输入端子及输出端子，设置于输入端子与输出端子之间的第一阻抗元谐振器、第二阻抗元谐振器及声耦合滤波器；其中，
[0006]所述第一阻抗元谐振器与所述第二阻抗元谐振器均设置一个，且所述第一阻抗元谐振器串联设置，所述第二阻抗元谐振器并联接地，所述声耦合滤波器并联设置两个，并与所述第一阻抗元谐振器串联的连接。
[0007]优选的，所述SAW滤波器制作在42
°
YX或46
°
YX切型钽酸锂衬底上。
[0008]优选的，所述第一阻抗元谐振器与所述第二阻抗元谐振器由周期相同的叉指换能器及设置于两端的反射栅组成；
[0009]所述声耦合滤波器由多个变化周期的叉指换能器及设置于两端的反射栅组成。
[0010]优选的，所述第一阻抗元谐振器设置于串联路径上；
[0011]并联设置的两个所述声耦合滤波器也串联于所述串联路径上，并处于所述第一阻抗元谐振器与所述输出端子之间；
[0012]所述第二阻抗元谐振器一端与所述第一阻抗元谐振器及声耦合滤波器之间的串联路径连接，另一端接地。
[0013]与现有技术相比，本技术的优点是：
[0014]本技术设计架构简单，可以极大的缩小芯片的尺寸，一般仅为同类产品面积的55％左右，进而可以大幅度降低产品的生产成本。关于其性能，插损可以到
‑
2dB以内，带外抑制可以低于
‑
35dB，矩形系数也完全可以达到要求。
附图说明
[0015]下面结合附图及实施例对本技术作进一步描述：
[0016]图1为本技术所述的一种用于Band7接收频段的SAW滤波器的电路图；
[0017]图2为本技术所述第一阻抗元谐振器与第二阻抗元谐振器的结构图；
[0018]图3为本技术所述声耦合滤波器的结构图；
[0019]图4为本技术所述的一种用于Band7接收频段的SAW滤波器对应的插损曲线。
[0020]其中：1、输入端子，2、输出端子，3、第一阻抗元谐振器，4、第二阻抗元谐振器，5、声耦合滤波器。
具体实施方式
[0021]下面结合具体实施例，对本技术的内容做进一步的详细说明：
[0022]如图1所示，一种用于Band7接收频段的SAW滤波器，制作在42
°
YX或46
°
YX切型钽酸锂衬底上；包括输入端子1及输出端子2，设置于输入端子1与输出端子2之间的第一阻抗元谐振器3、第二阻抗元谐振器4及声耦合滤波器5。
[0023]第一阻抗元谐振器3与第二阻抗元谐振器4均设置一个，且第一阻抗元谐振器3串联设置，第二阻抗元谐振器4并联接地，声耦合滤波器5并联设置两个，并与第一阻抗元谐振器3串联的连接。具体的，第一阻抗元谐振器3设置于串联路径上；并联设置的两个声耦合滤波器5也串联于串联路径上，并处于第一阻抗元谐振器3与输出端子2之间；第二阻抗元谐振器4一端与第一阻抗元谐振器3及声耦合滤波器5之间的串联路径连接，另一端接地。
[0024]关于第一阻抗元谐振器3与第二阻抗元谐振器4，如图2所示，由叉指换能器(I DT)及设置于两端的反射栅组成；一般I DT和反射栅使用相同的结构周期，全部由阻抗元谐振器(I E)组成的滤波器称为阻抗元滤波器(I EF)。
[0025]关于声耦合滤波器5，如图3所示，由多个变化周期的叉指换能器及设置于两端的反射栅组成；声耦合滤波器5(CRF)也常被称作双模滤波器(DMS)，是一种由多个变周期I DT和反射栅组合而成的滤波器，它可以比阻抗元滤波器(I EF)实现更宽的带宽，所以一般和阻抗元谐振器(I E)搭配来组成滤波器。
[0026]如图4所示，根据实测插损曲线，其中实线段a对应的区域为抑制频段，实线段b对应的区域为通带频段，且实线段a与实线段b为指标要求；抑制频段与通带频段之间为过渡频段，过渡频段的陡峭程度即为矩形系数，过渡频段越陡即矩形系数越高，性能越好；根据曲线可以看到插损可以到
‑
2dB以内、带外抑制可以低于
‑
35dB，矩形系数完全可以达到要求；本技术设计架构简单，可以极大的缩小芯片的尺寸，一般仅为同类产品面积的55％左右，进而可以大幅度降低产品的生产成本。
[0027]上述实施例只为说明本技术的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人能够了解本技术的内容并据以实施，并不能以此限制本技术的保护范围。对于本领域技术人员而言，显然本技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本技术，因此无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本技术内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于Band7接收频段的SAW滤波器，其特征在于：包括输入端子及输出端子，设置于输入端子与输出端子之间的第一阻抗元谐振器、第二阻抗元谐振器及声耦合滤波器；其中，所述第一阻抗元谐振器与所述第二阻抗元谐振器均设置一个，且所述第一阻抗元谐振器串联设置，所述第二阻抗元谐振器并联接地，所述声耦合滤波器并联设置两个，并与所述第一阻抗元谐振器串联的连接。2.根据权利要求1所述的一种用于Band7接收频段的SAW滤波器，其特征在于：所述SAW滤波器制作在42
°
YX或46
°
YX切型钽酸锂衬底上。3.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳世民，
申请(专利权)人：阿尔伯达苏州科技有限公司，
类型：新型
国别省市：