【技术实现步骤摘要】
集成IPD芯片的滤波器结构、封装模组及制备方法
[0001]本专利技术涉及一种集成IPD芯片的滤波器结构,同时也涉及包含该滤波器结构的封装模组,以及该滤波器结构的制备方法,属于半导体封装
技术介绍
[0002]目前,声学滤波器通常采用CSP(Chip Scale Package,芯片级封装)、DSSP(裸片级SAW封装)、WLP(晶圆级封装)等封装方式。在集成到封装模组的时候,基板上需要对电路进行匹配。另外,封装模组内其他芯片也需要电容、电阻、电感等进行电路调整,从而使得IPD(Integrated Passive Device,无源器件集成)芯片的应用逐渐广泛。
[0003]然而,IPD芯片本质上是分立器件,主要作为辅助滤波器等其他需要电路匹配的芯片形成完整电路,贴装连接在模组基板上占用了一定的空间。随着半导体结构小型化的需求,基板上的空间也越来越紧张,因此,缩小基板空间的同时,实现相同的功能是研究人员亟需解决的技术难题。
[0004]在专利号为ZL 201410173160.6的中国专利技术专利 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种集成IPD芯片的滤波器结构,其特征在于包括:IPD芯片,用于与模组基板电连接;滤波器芯片,设置于所述IPD芯片的表面,并与所述IPD芯片电连接;薄膜层,覆盖于所述IPD芯片和所述滤波器芯片的外侧;塑封层,塑封于所述IPD芯片的表面,以完全覆盖所述薄膜层。2.如权利要求1所述的滤波器结构,其特征在于所述滤波器芯片包括:滤波器芯片体,位于所述IPD芯片的表面上方;导电垫片,形成于所述滤波器芯片体的接合面上,并与所述IPD芯片电连接,以使所述滤波器芯片体的接合面与所述IPD芯片的表面之间形成容纳空腔;其中,所述滤波器芯片体的接合面靠近所述IPD芯片的表面;叉指换能器,形成于所述滤波器芯片体的接合面上,并位于所述容纳空腔内。3.如权利要求2所述的滤波器结构,其特征在于:所述薄膜层替换为挡墙,所述挡墙设置于所述IPD芯片与所述滤波器芯片体之间,以用于阻挡塑封材料进入所述容纳空腔内。4.如权利要求3所述的滤波器结构,其特征在于:所述挡墙设置于所述导电垫片的外侧;或,所述挡墙设置于所述导电垫片的内侧,并位于所述叉指换能器的外侧。5.如权利要求1所述的滤波器结构,其特征在于:所述塑封层的塑封材料至少满足:所述塑封材料的颗粒直径大于预设直径;和/或,所述塑封材料的流动速度小于预设流速;和/或,所述塑封材料的粘性大于预设粘性。6.如权利要求1所述的滤波器结构,其特征在于还包括载板,所述载板的表面设置有多个所述IPD芯片,相...
【专利技术属性】
技术研发人员:蒋品方,朱勇,张巳龙,张磊,林红宽,
申请(专利权)人:唯捷创芯天津电子技术股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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