一种芯片修调电路及修调方法技术

技术编号:17365941 阅读:44 留言:0更新日期:2018-02-28 17:42
本申请公开了一种芯片修调电路及修调方法,用以解决现有技术中对芯片的修调不可靠,导致芯片的测试参数的精度较低的问题。该芯片修调电路包括:修调控制模块、固化电路模块和输出电路模块,固化电路模块包括第一固化子模块、第二固化子模块以及控制烧写第一固化子模块和第二固化子模块的烧写控制子模块,修调控制模块用于向固化电路模块输出根据芯片的测试参数确定的修调位,固化电路模块用于根据修调位,控制烧写控制子模块烧写第一固化子模块或者烧写第二固化子模块,并在烧写后将修调位转换为与被烧写的固化子模块对应的阻值变化,输出电路模块,用于根据阻值变化输出逻辑电平信号。

A kind of chip repair circuit and modification method

The application discloses a chip trimming circuit and a trimming method, which is used to solve the problem that the adjustment of the chip is not reliable in the existing technology, resulting in the low accuracy of the test parameters of the chip. The chip trimming circuit includes: trimming control module, curing circuit module and the output circuit module, curing circuit module includes a first curing module, second curing module and control module and writing the first curing second curing module burning control module, trimming control module is used to cure the output according to the circuit module the determination of the test parameters of chip trimming, curing circuit module is used for trimming according to a control, burning control module of burning or burning first curing sub module second curing sub module, and the programmer will repair the resistance change of position adjustment into and burning curing sub module corresponding to the output. Circuit module, according to the resistance change of the output logic level signal.

【技术实现步骤摘要】
一种芯片修调电路及修调方法
本申请涉及电路控制领域,尤其涉及一种芯片修调电路及修调方法。
技术介绍
随着集成电路设计与工艺技术的发展,芯片生产过程中对电路性能要求越来越高。由于芯片在生产过程中存在工艺偏差,导致芯片参数的性能指标与预期的参数性能指标之间存在偏差,从而影响芯片参数的精度,一些芯片参数可能会超出产品规格书所要求的范围,从而影响芯片的良率,严重的话会导致芯片无法量产。为了提高芯片参数的精度和芯片的良率,通常会在芯片的生产过程中或在芯片生产完成之后,对芯片参数进行测试,然后根据测试结果对芯片的关键参数进行修调。实现芯片的修调,需要在芯片设计时利用相关修调技术设计修调电路,配合测试模块完成关键参数修调。修调电路通常包括控制模块和修调模块,根据实际的电路设计,控制模块和修调模块可具体包括不同的电路模块。图1示出一种修调电路结构图,如图1所示,图1中以4引脚(2输入、2输出)的控制模块为例进行说明,实际应用中控制模块的引脚个数由芯片待修调的测试参数的修调位决定,每一修调位对应一个输入和输出引脚。其中,输入引脚An(A1~A2)分别连接焊盘,输出引脚Tn(T1~T2)与修调模块连接。本文档来自技高网...
一种芯片修调电路及修调方法

【技术保护点】
一种芯片修调电路,其特征在于,包括:修调控制模块、固化电路模块和输出电路模块,所述固化电路模块包括第一固化子模块、第二固化子模块以及控制烧写所述第一固化子模块和所述第二固化子模块的烧写控制子模块;所述修调控制模块,用于向所述固化电路模块输出根据所述芯片的测试参数确定的修调位;所述固化电路模块,用于根据所述修调位,控制所述烧写控制子模块烧写所述第一固化子模块或者烧写所述第二固化子模块,并在烧写后将所述修调位转换为与被烧写的固化子模块对应的阻值变化;其中,所述第一固化子模块和所述第二固化子模块均为被烧写后阻值可变且属性相同的模块;所述输出电路模块,用于根据所述阻值变化输出逻辑电平信号。

【技术特征摘要】
1.一种芯片修调电路,其特征在于,包括:修调控制模块、固化电路模块和输出电路模块,所述固化电路模块包括第一固化子模块、第二固化子模块以及控制烧写所述第一固化子模块和所述第二固化子模块的烧写控制子模块;所述修调控制模块,用于向所述固化电路模块输出根据所述芯片的测试参数确定的修调位;所述固化电路模块,用于根据所述修调位,控制所述烧写控制子模块烧写所述第一固化子模块或者烧写所述第二固化子模块,并在烧写后将所述修调位转换为与被烧写的固化子模块对应的阻值变化;其中,所述第一固化子模块和所述第二固化子模块均为被烧写后阻值可变且属性相同的模块;所述输出电路模块,用于根据所述阻值变化输出逻辑电平信号。2.如权利要求1所述的芯片修调电路,其特征在于,所述修调控制模块,还用于控制修调模式的开启与关闭,且为所述固化电路模块提供固化使能信号,并为所述输出电路模块提供复位信号。3.如权利要求2所述的芯片修调电路,其特征在于,所述修调控制模块包括反相器;所述修调控制模块,通过所述反相器反转所述修调位的相位,得到与所述修调位相位相反的相位反转修调位;所述烧写控制子模块包括第一与门、第二与门、第一P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管PMOS管以及第二PMOS管;所述第一与门的第一输入端输入所述固化使能信号,所述第一与门的第二输入端输入所述修调位;所述第二与门的第一输入端输入所述固化使能信号,所述第二与门的第二输入端输入所述相位反转修调位;所述第一PMOS管的栅极连接所述第一与门的输出端,所述第一PMOS管的漏极连接所述第一固化子模块第一端,所述第一PMOS管的源极连接公共地;所述第二PMOS管的栅极连接所述第二与门的输出端,所述第二PMOS管的漏极连接所述第二固化子模块第一端,所述第二PMOS管的源极连接公共地;所述第一固化...

【专利技术属性】
技术研发人员:朱海刚李龙弟方伟
申请(专利权)人:浙江大华技术股份有限公司
类型:发明
国别省市:浙江,33

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