半导体结构的形成方法技术

本发明专利技术提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底中或衬底上具有电连接结构，所述电连接结构上具有介质层；形成贯穿所述介质层的接触孔，所述接触孔底部暴露出所述电连接结构；通过原子层气相沉积工艺在所述接触孔底部和侧壁表面形成金属化物层；去除所述接触孔侧壁表面的金属化物层，形成金属化物；形成金属化物之后，在所述接触孔中形成插塞。原子层沉积工艺的间隙填充性能和阶梯覆盖性好，能够较容易地在所述接触孔底部表面形成金属化物层。

The formation method of semiconductor structure

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的形成方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体结构的形成方法。
技术介绍
随着半导体技术的不断进步，半导体器件的特征尺寸逐渐变小。关键尺寸的缩小意味着在芯片上可布置更多数量的晶体管，同时给半导体工艺提出了更高的要求。源漏掺杂区和栅极结构是晶体管的重要组成部分。晶体管通过在源漏掺杂区上形成插塞实现与外部电路的电连接。为了减小插塞与源漏掺杂区之间的电阻，在形成插塞之前在所述源漏掺杂区上形成金属化物。然而，现有的半导体结构的形成方法形成的金属化物的阶梯覆盖性差，所形成的半导体结构性能较差。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种半导体结构的形成方法，能够改善所形成半导体结构性能。为解决上述问题，本专利技术提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底中或衬底上具有电连接结构，所述衬底和电连接结构上具有介质层；形成贯穿所述介质层的接触孔，所述接触孔底部暴露出所述电连接结构；通过原子层气相沉积工艺在所述接触孔底部和侧壁表面形成金属化物层；去除所述接触孔侧壁表面的金属化物层，形成金属化物；形成金属化物之后，在所述接触孔中形成插塞。可选的，所述金属化物层的材料本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底中或衬底上具有电连接结构，所述衬底和电连接结构上具有介质层；形成贯穿所述介质层的接触孔，所述接触孔底部暴露出所述电连接结构；通过原子层气相沉积工艺在所述接触孔底部和侧壁表面形成金属化物层；去除所述接触孔侧壁表面的金属化物层，形成金属化物；形成金属化物之后，在所述接触孔中形成插塞。

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底中或衬底上具有电连接结构，所述衬底和电连接结构上具有介质层；形成贯穿所述介质层的接触孔，所述接触孔底部暴露出所述电连接结构；通过原子层气相沉积工艺在所述接触孔底部和侧壁表面形成金属化物层；去除所述接触孔侧壁表面的金属化物层，形成金属化物；形成金属化物之后，在所述接触孔中形成插塞。2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述金属化物层的材料为钛硅或镍硅。3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述金属化物层的厚度为5nm～200nm。4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，通过原子层沉积工艺形成所述金属化物层的反应气体包括：含金属元素的前驱体和含四族元素的前驱体。5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述含金属元素的前驱体为含钛前驱体，所述含四族元素的前驱体为含硅前驱体；所述含钛前驱体包括：TiCl4，所述含硅前驱体包括：SiH4、SiH2或Si2H6。6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，通过原子层沉积工艺形成所述金属化物层的工艺参数包括：反应温度为200℃～500℃；气体压强为0.2torr～5torr；所述含钛前驱体的流量为5mL/min～100mL/min，所述含硅前驱体的流量为5mL/min～100mL/min。7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述接触孔侧壁表面的金属化物层的步骤包括：在所述接触孔底部表面的金属化物层上形成保护层；以所述保护层为掩膜对所述金属化物层进行刻蚀，去除所述接触孔侧壁表面的金属化物层；去除所述接触孔侧壁表面的金属化物层之后，去除所述保护层。8.如权利要求7所述的半导体结构的...

【专利技术属性】
技术研发人员：禹国宾，徐小平，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31