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本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底中或衬底上具有电连接结构，所述电连接结构上具有介质层；形成贯穿所述介质层的接触孔，所述接触孔底部暴露出所述电连接结构；通过原子层气相沉积工艺在所述接触孔底部和侧壁表面形成金属化物层...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。