一种垂直型接触孔的制备方法技术
A method for the preparation of a vertical contact hole
The present invention relates to the field of semiconductor technology, including the preparation method, especially relates to a vertical contact hole: step S1, providing a substrate, the substrate including sequentially stacked etch stop layer and the etching layer; step S2, the first to be etched to form a layer of etching, etching stop extending to at least one on the surface layer of the conical hole; step S3, using a second etched conical hole, the tapered through holes to broaden the vertical through hole; step S4, filling the vertical through hole forming vertical contact hole; capable of forming a contact hole vertical morphology, superior conductivity, and is not affected by the etching process limit.
【技术实现步骤摘要】
一种垂直型接触孔的制备方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种垂直型接触孔的制备方法。
技术介绍
半导体制造中，接触孔是较为常见的结构，通常用于连接底层和顶层的导电介质，因此接触孔的导电性能的好坏能够影响器件的性能，甚至导致整个晶圆失效。传统的接触孔的形貌往往呈现锥形，或者中间宽两头窄的弓形，尤其干法刻蚀工艺中容易形成这样的形貌的接触孔，但是锥形或弓形的接触孔导电性能无法满足导电性能的要求。
技术实现思路
针对上述问题，本专利技术提出了一种垂直型接触孔的制备方法，其中，包括：步骤S1，提供一衬底，所述衬底包括依次层叠的刻蚀停止层以及待刻蚀层；步骤S2，采用一第一刻蚀工艺刻蚀所述待刻蚀层，以形成延伸至所述刻蚀停止层的上表面的至少一个锥形通孔；步骤S3，采用一第二刻蚀工艺刻蚀所述锥形通孔，将所述锥形通孔拓宽为垂直通孔；步骤S4，填充所述垂直通孔形成垂直型接触孔。上述的制备方法，其中，完成所述第一刻蚀工艺的刻蚀机台采用的直流电压为300～400V。上述的制备方法，其中，完成所述第二刻蚀工艺的刻蚀机台采用的直流电压为100～200V。上述的制备方法，其中，完成所述第一...
【技术保护点】
一种垂直型接触孔的制备方法，其特征在于，包括：步骤S1，提供一衬底，所述衬底包括依次层叠的刻蚀停止层以及待刻蚀层；步骤S2，采用一第一刻蚀工艺刻蚀所述待刻蚀层，以形成延伸至所述刻蚀停止层的上表面的至少一个锥形通孔；步骤S3，采用一第二刻蚀工艺刻蚀所述锥形通孔，将所述锥形通孔拓宽为垂直通孔；步骤S4，填充所述垂直通孔形成垂直型接触孔。
【技术特征摘要】
1.一种垂直型接触孔的制备方法，其特征在于，包括：步骤S1，提供一衬底，所述衬底包括依次层叠的刻蚀停止层以及待刻蚀层；步骤S2，采用一第一刻蚀工艺刻蚀所述待刻蚀层，以形成延伸至所述刻蚀停止层的上表面的至少一个锥形通孔；步骤S3，采用一第二刻蚀工艺刻蚀所述锥形通孔，将所述锥形通孔拓宽为垂直通孔；步骤S4，填充所述垂直通孔形成垂直型接触孔。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，完成所述第一刻蚀工艺的刻蚀机台采用的直流电压为300～400V。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，完成所述第二刻蚀工艺的刻蚀机台采用的直流电压为100～200V。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，完成所述第一刻蚀工艺采用的气体为八氟环丁烷，或四氟化碳，或氩气，或氧气。5.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢岩，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42
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