温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种垂直型接触孔的制备方法，包括：步骤S1，提供一衬底，衬底包括依次层叠的刻蚀停止层以及待刻蚀层；步骤S2，采用一第一刻蚀工艺刻蚀待刻蚀层，以形成延伸至刻蚀停止层的上表面的至少一个锥形通孔；步骤S3，采用一...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。