一种氧化物/金属核壳结构量子点及其制备方法、应用技术

本发明专利技术公开了氧化物/金属核壳结构量子点，包括由下至上依次排列的衬底和金属量子点核心以及包覆金属量子点的金属氧化物壳层；本发明专利技术还公开了上述氧化物/金属核壳结构量子点及应用；本发明专利技术的制备的氧化物/金属核壳结构量子点具有尺寸可控、分布均匀性好等特点，制备方法具有生长工艺简单，成本低廉的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种氧化物/金属核壳结构量子点及其制备方法、应用
本专利技术属于半导体光电子器件
，特别涉及一种氧化物/金属核壳结构量子点及其制备方法、应用。
技术介绍
光二极管(LED)作为一种新型固体照明光源和绿色光源，具有体积小、耗电量低、环保、使用寿命长、高亮度、低热量以及多彩等突出特点，在室外照明、商业照明以及装饰工程等领域都具有广泛的应用。当前，在全球气候变暖问题日趋严峻的背景下，节约能源、减少温室气体排放成为全球共同面对的重要问题。以低能耗、低污染、低排放为基础的低碳经济，将成为经济发展的重要方向。在照明领域，LED发光产品的应用正吸引着世人的目光，LED作为一种新型的绿色光源产品，必然是未来发展的趋势，21世纪将是以LED为代表的新型照明光源的时代。但是现阶段LED的应用成本较高，发光效率较低，这些因素都会大大限制LED向高效节能环保的方向发展。目前，LED大多是基于GaN半导体材料的。然而，GaN材料由于制造设备相对昂贵、资源有限、薄膜外延困难等问题限制其持续性发展。因此及时研发下一代LED半导体材料是十分必要和急迫的。ZnO半导体材料的激子束缚能高达60meV，远远大于Ga本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氧化物/金属核壳结构量子点，其特征在于，包括依次排列的金属量子点以及包覆金属量子点的金属氧化物壳层。

【技术特征摘要】
1.一种氧化物/金属核壳结构量子点，其特征在于，包括依次排列的金属量子点以及包覆金属量子点的金属氧化物壳层。2.根据权利要求1所述的氧化物/金属核壳结构量子点，其特征在于，包括由下至上依次排列的衬底、金属量子点以及包覆金属量子点的金属氧化物壳层，所述衬底包括Si、蓝宝石或掺钇氧化锆。3.根据权利要求1或2所述的氧化物/金属核壳结构量子点，其特征在于，所述金属量子点包括Ni、Ag、Fe、Mn、Ge、Pt和W量子点中的至少一种。4.根据权利要求1或2所述的氧化物/金属核壳结构量子点，其特征在于，所述金属量子点的直径为10-1000nm。5.根据权利要求1或2所述的氧化物/金属核壳结构量子点，其特征在于，所述金属氧化物壳层的厚度为1-30nm。6.根据权利要求1或2所述的氧化物/金属核壳结构量子点，其特征在于，所述金属氧化物壳层是金属核心对应的氧化物壳层，包括NiOx，AgO，MnOx，GeOx，PtOx和WOx中的至少一种。7.根据权利要求1-6中任一项所述的氧化物/金属核壳结构量子点的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)衬底的处理：将预处理后的衬底置于真空室中，在温度为700-12...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨为家，赵志诚，陈岩，刘铭全，刘俊杰，刘均炎，何鑫，唐秀凤，
申请(专利权)人：五邑大学，
类型：发明
国别省市：广东,44