层叠体基板、导电性基板、层叠体基板的制造方法及导电性基板的制造方法技术

提供一种层叠体基板,其具备透明基材及在该透明基材的至少一个表面侧所形成的层叠体。该层叠体具有包括氧、铜及镍的黑化层、及铜层。所述黑化层所含的所述铜和所述镍中的所述镍的比例为11质量％以上且60质量％以下。

Manufacturing methods of laminated substrates, conductive substrates and laminated substrates and the manufacturing methods of conductive substrates

A laminated body substrate is provided with a transparent substrate and a stack formed on at least one surface side of the transparent substrate. The laminate including oxygen, copper and nickel and copper blackening layer, layer. The nickel layer contains the blackening of the copper and the nickel in the proportion of more than 11 mass% and 60 mass%.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】层叠体基板、导电性基板、层叠体基板的制造方法及导电性基板的制造方法
本专利技术涉及一种层叠体基板、导电性基板、层叠体基板的制造方法及导电性基板的制造方法。
技术介绍
如专利文献1所述,现有技术中使用了一种触屏(touchpanel)用透明导电性薄膜,其中,在透明高分子薄膜等透明基材的表面上作为透明导电膜形成了ITO(氧化铟锡)膜。另外,近年来具备触屏的显示器正在趋于大画面化,与此相应地,触屏用透明导电性薄膜等导电性基板也需要进行大面积化。然而,由于ITO的电阻值较高,故存在难以应对导电性基板大面积化的问题。为此,例如,如专利文献2、3所述,进行了以铜等金属配线来取代ITO膜配线的研究。然而,例如在金属配线中使用铜的情况下,由于铜具有金属光泽,故存在反射会导致显示器的视认性降低的问题。因此,提出了一种除了形成铜等金属配线之外,还在金属配线的与透明基材的表面平行的面上形成了由黑色材料所构成的黑化层的导电性基板。[现有技术文献][专利文献][专利文献1]日本国特开2003-151358号公报[专利文献2]日本国特开2011-018194号公报[特许文献3]日本国特开2013-069261号公报
技术实现思路
[专利技术要解决的课题]然而，透明基材上具有金属配线的导电性基板是在获得了在透明基材表面上形成了金属层的层叠体基板之后，采用对金属层进行蚀刻以形成具有预期配线图案的金属配线的方式所获得的。另外，透明基材上具有黑化层和金属配线的导电性基板是在获得了在透明基材表面上依次层叠了黑化层和金属层的层叠体基板之后，采用对黑化层和金属层进行蚀刻以形成具有预期配线图案的金属配线的方式所获得的。通过对黑化层和金属层进行蚀刻，例如，如图1A所示，可获得在透明基材1上层叠了图案化了的黑化层2和金属层进行图案化了的金属配线3的导电性基板。此情况下，图案化了的黑化层2的宽度WA和金属配线3的宽度WB优选为大致相同。然而，就相对于蚀刻液的反应性而言，存在金属层和黑化层大不相同的问题。即，如果对金属层和黑化层同时进行蚀刻，则存在哪个层都无法蚀刻成如图1A所示的目的形状的问题。例如，在与金属层相比黑化层的蚀刻速度很慢的情况下，如图1B所示，作为图案化了的金属层的金属配线3的侧面会被蚀刻，即会产生所谓的侧蚀(sideetching)。为此，金属配线3的截面形状容易变成下部较宽的梯形形状，如果蚀刻至可确保金属配线3之间的电绝缘性，则存在配线间距宽度过宽的问题。另外，在与金属层相比黑化层的蚀刻速度很快的情况下，如图1C所示，图案化了的黑化层2的宽度(底部宽度)WA会变为小于金属配线3的宽度WB的状态，即存在会发生所谓的底切(undercut)的情况。这样的底切发生后，与预定的金属配线3的宽度WB相比，作为至透明基材1的密着宽度的图案化了的黑化层2的底部宽度WA可能会变小，如果密着宽度的比率低至一定程度以上，则存在无法获得足够的配线密着强度的问题。另外，如果不同时对金属层和黑化层进行蚀刻，而是采用不同的步骤来进行金属层的蚀刻和黑化层的蚀刻，则存在步骤数增加的问题。鉴于上述现有技术的问题，本专利技术的目的在于，提供一种具备可同时进行蚀刻处理的铜层和黑化层的层叠体基板。[用于解决课题的手段]为了解决上述课题，本专利技术提供一种层叠体基板，其具备：透明基材；及层叠体，形成在该透明基材的至少一个表面侧，其中，该层叠体具有黑化层，含有氧、铜、及镍；及铜层，其中，该黑化层所含的该铜和该镍中的该镍的比例为11质量％以上且60质量％以下。[专利技术效果]根据本专利技术，能够提供一种具备可同时进行蚀刻处理的铜层和黑化层的层叠体基板。附图说明〔图1A〕对现有导电性基板中的金属层和黑化层同时进行蚀刻时的说明图。〔图1B〕对现有导电性基板中的金属层和黑化层同时进行蚀刻时的说明图。〔图1C〕对现有导电性基板中的金属层和黑化层同时进行蚀刻时的说明图。〔图2A〕本专利技术实施方式的层叠体基板的截面图。〔图2B〕本专利技术实施方式的层叠体基板的截面图。〔图3A〕本专利技术实施方式的层叠体基板的截面图。〔图3B〕本专利技术实施方式的层叠体基板的截面图。〔图4〕本专利技术实施方式的具有网状配线的导电性基板的俯视图。〔图5〕沿图3的A－A’线的截面图。〔图6〕底切量比率的说明图。〔图7〕本专利技术实施方式的卷对卷(RolltoRoll)溅射装置的说明图。具体实施方式以下对本专利技术的层叠体基板、导电性基板、层叠体基板的制造方法及导电性基板的制造方法的实施方式进行说明。(层叠体基板和导电性基板)本实施方式的层叠体基板可具备透明基材及在透明基材的至少一个表面侧所形成的层叠体。另外，层叠体具有包含氧、铜及镍的黑化层、及铜层，黑化层所含的铜和镍中的镍的比例为11质量％以上且60质量％以下。需要说明的是，本实施方式的层叠体基板是指，在透明基材的表面上具有图案化之前的铜层和/或黑化层的基板。另外，导电性基板是指，在透明基材的表面上具有图案化为配线形状的铜配线层和/或黑化配线层的配线基板。这里首先对本实施方式的层叠体基板的各部件在以下进行说明。作为透明基材对其并无特别限定，优选可使用能使可视光透过的高分子薄膜、玻璃基板等。作为能使可视光透过的高分子薄膜，例如优选可使用聚酰胺(PA)系薄膜、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)系薄膜、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)系薄膜、环烯烃(cycloolefin)系薄膜、聚酰亚胺(PI)系薄膜、聚碳酸酯(PC)系薄膜等树脂薄膜。对透明基材的厚度并无特别限定，可根据作为导电性基板时所要求的强度和/或光透过率等进行任意选择。作为透明基材的厚度例如可为10μm以上且250μm以下。尤其在触屏的用途中使用的情况下，优选为20μm以上且200μmm以下，较佳为20μm以上且120μm以下。在触屏的用途中使用的情况下，例如，尤其在需要使显示器整体厚度薄化的用途中，透明基材的厚度优选为20μm以上且100μm以下。接下来对层叠体进行说明。层叠体可形成在透明基材的至少一个表面侧，并具有黑化层和铜层。这里首先对铜层进行说明。对铜层并无特别限定，然而，为了不降低光透过率，铜层和透明基材之间或铜层和黑化层之间优选不配置黏接剂。即，铜层优选直接形成在其他部件的上表面。为了在其他部件的上表面上直接形成铜层，可采用溅射法、离子镀法、蒸镀法等干式镀法形成铜薄膜层，并将该铜薄膜层作为铜层。另外，在使铜层更厚的情况下，优选在通过干式镀法形成铜薄膜层之后再采用湿式镀法。即，例如可在透明基材或黑化层上通过干式镀法形成铜薄膜层，并将该铜薄膜层作为供电层，以采用湿式镀法形成镀铜层。此情况下，铜层具有铜薄膜层和镀铜层。如上所述，通过仅采用干式镀法或采用干式镀法和湿式镀法的组合方式形成铜层，可在透明基材或黑化层上不介由黏接剂而直接形成铜层，故为优选。对铜层的厚度并无特别限定，在将铜层作为配线使用的情况下，可根据该配线的电阻值和/或配线宽度等进行任意选择。尤其为了使电流可充分流动，铜层的厚度优选为50nm以上，较佳为60nm以上，最好为150nm以上。对铜层厚度的上限值并无特别限定，然而，如果铜层过厚，则为了形成配线而进行蚀刻时蚀刻所需的时间较长，容易出现侧蚀、蚀刻中途光阻发生剥离等的问题。为此，铜层的厚度优选为5000nm以下，较佳为3000nm以下。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种层叠体基板，具备：透明基材；及层叠体，形成在所述透明基材的至少一个表面侧，其中，所述层叠体具备黑化层和铜层，所述黑化层含有氧、铜及镍，所述黑化层所含的所述铜和所述镍中的所述镍的比例为11质量％以上且60质量％以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.06.26 JP 2015-1291231.一种层叠体基板，具备：透明基材；及层叠体，形成在所述透明基材的至少一个表面侧，其中，所述层叠体具备黑化层和铜层，所述黑化层含有氧、铜及镍，所述黑化层所含的所述铜和所述镍中的所述镍的比例为11质量％以上且60质量％以下。2.根据权利要求1所述的层叠体基板，其中：所述层叠体具有作为所述黑化层的第1黑化层和第2黑化层，所述铜层配置在所述第1黑化层和所述第2黑化层之间。3.根据权利要求1或2所述的层叠体基板，其中：波长为400nm以上且700nm以下的光的正反射率的平均值为55％以下。4.一种导电性基板，具备：透明基材；及金属细线，形成在所述透明基材的至少一个表面侧，其中，所述金属细线为具备黑化配线层和铜配线层的层叠体，所述黑化配线层含有氧、铜及镍，所述黑化配线层所含的所述铜和所述镍中的所述镍的比例为11质量％以上且60质量％以下。5.根据权利要求4所述的导电性基板，其中：所述金属细线具有作为所述黑化配线层的第1黑化配线层和第2黑化配线层这两层，所述铜配线层配置在所述第1黑化配线层和所述第2黑化配线层之间。6.根据权利要求4或5所述的导电性基板，其中：所述金属细线的底部宽度(W2)和所述金属细线的图案宽度(W1)具有公式(1)(W1－W2)/2W1≤0.075的关系。7.根据权利要求4或5所述的导电性基板，其中：所述金属细线之...

【专利技术属性】
技术研发人员：永田纯一，
申请(专利权)人：住友金属矿山股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP