电光装置用基板、电光装置、电子设备及电光装置用基板的制造方法制造方法及图纸

技术编号:12278480 阅读:89 留言:0更新日期:2015-11-05 04:45
本发明专利技术稳定形成适用于棱镜元件的具有陡峭的斜面的槽。本发明专利技术具备:以第1斜面(72a、72b)及第2斜面(73a、73b)从背面(6b)朝向表面(6a)的方式配置的基板本体(6);覆盖第1斜面及第2斜面的第1绝缘膜(81);第2槽部(75),其具有覆盖上述第1斜面的上述第1绝缘膜(81)的表面即第3斜面(76a、76b)和覆盖上述第2斜面的上述第1绝缘膜(81)的表面即第4斜面(77a、77b),沿着从上述背面(6b)侧朝向上述表面(6a)侧的方向变宽;和覆盖上述第2槽部(75)及上述第1绝缘膜(81)的第2绝缘膜(82),第2绝缘膜(82)的覆盖上述第2槽部(75)的部分的一部分与上述第3斜面具有间隔,上述第2斜面配置于上述第1斜面的上述表面(6a)侧,上述第2斜面和上述法线所成的角度比上述第1斜面和上述法线所成的角度大。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及电光装置用基板、采用该电光装置用基板的电光装置、采用该电光装置的电子设备及电光装置用基板的制造方法。
技术介绍
作为电光装置,已知有例如液晶投影机的光调制元件(光阀)中采用的有源驱动型的液晶装置。该液晶装置具备:具有像素电极的元件基板;具有相向电极的相向基板及由元件基板和相向基板夹持的液晶层等,期望实现更明亮的显示。例如,提出了通过在相向基板设置作为光的反射部的棱镜元件,将对显示没有贡献的入射光由该棱镜元件反射,作为显示光的一部分,实现更明亮的显示的液晶装置(专利文献I)。专利文献I记载的棱镜元件具备具有沿着光轴方向变长的大致等腰三角形形状的截面的槽,该等腰三角形形状的长边(槽的斜面)成为反射入射光的光的反射面。作为光的反射面的长边和光轴所形成的角度优选尽可能小,例如,通过形成具有长边和光轴所形成的角度为3度以下即顶角为6度以下的大致等腰三角形形状的截面的棱镜元件,可提高光的利用效率,实现更明亮的显示。这样的棱镜元件通过由干刻蚀法在相向基板形成具有与光轴形成的角度为3度以下的斜面的槽,在槽的内部设置比相向基板更低折射率的空气层,形成以该斜面为光的反射面的棱镜元件。【现有技术文献】【专利文献】【专利文献I】日本特开2006-215427号公报
技术实现思路
但是,存在难以由干刻蚀法形成具有与光轴形成的角度为3度以下的斜面的槽,即具有陡峭的锥形状的槽的问题。详细地说,在由干刻蚀法在基板形成陡峭的锥形状的槽的情况下,需要采用例如氟类气体(CF类气体)等的反应气体,在槽的侧壁沉积抑制横向(与深度方向正交的方向)的反应的保护膜(CF类聚合物等),并且在深度方向刻蚀。这样的保护膜的影响若过强,则除了横向外,深度方向的刻蚀也被抑制,难以形成陡峭的锥形状的槽(深刻蚀的槽)。而且,若在深度方向进一步刻蚀,则基板和反应气体的反应所产生的反应生成物难以从槽排出,刻蚀速度降低。而且,为了继续深度方向的刻蚀,需要产生刻蚀反应的区域,在槽的底部形成横向扩展的产生刻蚀反应的区域。这样的横向扩展的区域成为在对显示没有贡献的方向反射光的反射面,因此,槽的底部优选加工为上述大致等腰三角形形状那样的尖形状。但是,存在难以将槽的底部加工为尖形状的问题,例如,若产生刻蚀反应的区域变小,则成为尖形状的底部,但是难以进一步深刻蚀的问题。这样,存在难以通过干刻蚀法在专利文献I记载的棱镜元件形成适合的槽的问题。本专利技术为了解决上述问题的至少一部分而提出,可以实现为以下的形态或适用例。本适用例所涉及的电光装置用基板,其特征在于,具备:透射光的基板,其具有第I面和与上述第I面相向的第2面,第I斜面及第2斜面以从上述第I面朝向上述第2面的方式配置;覆盖上述第I斜面及上述第2斜面的第I绝缘膜;槽部,其具有覆盖上述第I斜面的上述第I绝缘膜的表面即第3斜面和覆盖上述第2斜面的上述第I绝缘膜的表面即第4斜面,沿着从上述第2面侧朝向上述第I面侧的方向变宽;以及覆盖上述槽部及上述第I绝缘膜的第2绝缘膜,上述第2绝缘膜的覆盖上述槽部的部分的一部分与上述第3斜面具有间隔,上述第2斜面配置于上述第I斜面的上述第I面侧,上述第2斜面和上述第I面的法线所成的角度比上述第I斜面和上述法线所成的角度大。根据本适用例,在透射光的基板的第I面,第I斜面及第2斜面设置为从上述第I面朝向上述第2面,形成前阶段的槽部。通过由第I绝缘膜覆盖该前阶段的槽部,形成沿着从第2面侧朝向第I面侧的方向变宽的槽部。另外,该槽部具有覆盖第I斜面的第I绝缘膜的表面即第3斜面和覆盖第2斜面的第I绝缘膜的表面即第4斜面。而且,该槽部由具有离开第3斜面而配置的部分的第2绝缘膜覆盖,形成由该槽部和第2绝缘膜包围的(密闭)区域。上述前阶段的槽部的第2斜面配置于第I斜面的第I面侧,第2斜面和第I面的法线所成的角度比第I斜面和第I面的法线所成的角度大。即,在电光装置用基板的第I面(表面),具有变宽区域(开口区域),形成第I绝缘膜的材料容易进入槽部中。换言之,电光装置用基板具有容易由第I绝缘膜覆盖前阶段的槽部的全域(第I斜面、第2斜面)的形状。结果,可以由第I绝缘膜覆盖前阶段的槽部,容易形成槽部。而且,通过由第2绝缘膜覆盖该槽部,使由该槽部和第2绝缘膜包围的(密闭的)区域的折射率和第I绝缘膜的折射率不同,可以在由该槽部和第2绝缘膜包围的区域及第I绝缘膜的界面形成光的反射面。从而,可以容易形成以由该槽部和第2绝缘膜包围的区域作为光的反射部的电光装置用基板。上述适用例所述的电光装置用基板,优选的是,上述第I斜面和上述法线所成的角度处于I度到3度的范围,上述第2斜面和上述法线所成的角度处于4度到7度的范围。将槽部活用为光的反射部的情况下,需要控制使成为光的反射面的槽部的斜面和第I面的法线具有适当的角度。而且,通过由第I绝缘膜覆盖上述前阶段的槽部,形成作为光的反射部的槽部,因此,需要将前阶段的槽部的形状控制为形成第I绝缘膜的材料容易进入内部的形状。即,若将前阶段槽部的第I斜面和第I面的法线所成的角度设为I度到3度的范围,第2斜面和法线所成的角度设为4度到7度的范围,则可以由第I绝缘膜容易地覆盖前阶段的槽部,且形成具有合适的斜面的槽部作为光反射部。上述适用例所述的电光装置用基板,优选的是,上述第3斜面和上述法线所成的角度比3度小。将槽部活用为光的反射部的情况下,需要控制使成为光的反射面的槽部的斜面(第3斜面)和第I面的法线具有适当的角度。S卩,槽部的第3斜面和第I面的法线所成的角度若比3度小,则可以提高作为光的反射部的性能。上述适用例所述的电光装置用基板,优选的是,上述第3斜面包含以相对于与上述第I面正交的面呈面对称的方式配置的斜面,以呈上述面对称的方式配置的斜面在从上述第I面侧朝向上述第2面侧的方向相连。以相对于与第I面正交的面呈面对称的方式而配置的斜面(第3斜面)在从第I面侧朝向第2面侧的方向相连,形成上述槽部。这样,沿着从第I面侧朝向第2面侧的方向变尖的形状的底部(底边)在槽部的第2面侧形成。例如,在沿着该第I面的方向变宽的区域的底部若在槽部的第2面侧形成,则光还被沿该第I面的方向变宽的区域反射,朝向成为光的反射面的槽部的斜面的光的入射被阻碍,光的利用效率降低。槽部的底部若具有沿着从第I面侧朝向第2面侧的方向变尖的形状,则向成为光的反射面的槽部的斜面入射的光难以被阻碍,可以提高光的利用效率。从而,优选,以相对于与第I面正交的面呈面对称的方式而配置的斜面(第3斜面)在从第I面侧朝向第2面侧的方向相连。上述适用例所述的电光装置用基板,优选的是,上述第I绝缘膜是通过采用四乙氧基硅烷气体的等离子CVD而形成的氧化硅。通过采用四乙氧基硅烷气体的等离子CVD所形成的氧化硅的台阶覆盖性佳,可以容易地覆盖设置了上述前阶段的槽部的基板即前阶段的槽部的内部。从而,通过采用四乙氧基硅烷气体的等离子CVD所形成的氧化硅覆盖前阶段的槽部的全域(第I斜面、第2斜面),容易形成作为光反射部的槽部。上述适用例所述的电光装置用基板,优选的是,上述基板、上述第I绝缘膜和上述第2绝缘膜具有大致相同的折射率,由上述槽部和上述第2绝缘膜包围的区域的折射率比上述基板的折射率小。基板、第I绝缘膜和第2绝缘膜具有大致相同的折射率,因此,在基板和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电光装置用基板,其特征在于,具备:透射光的基板,其具有第1面和与上述第1面相向的第2面,第1斜面及第2斜面以从上述第1面朝向上述第2面的方式配置;覆盖上述第1斜面及上述第2斜面的第1绝缘膜;槽部,其具有覆盖上述第1斜面的上述第1绝缘膜的表面即第3斜面和覆盖上述第2斜面的上述第1绝缘膜的表面即第4斜面,沿着从上述第2面侧朝向上述第1面侧的方向变宽;以及覆盖上述槽部及上述第1绝缘膜的第2绝缘膜,上述第2绝缘膜的覆盖上述槽部的部分的一部分,与上述第3斜面具有间隔,上述第2斜面配置在上述第1斜面的上述第1面侧,上述第2斜面与上述第1面的法线所成的角度,比上述第1斜面与上述法线所成的角度大。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:宫胁大介伊藤智
申请(专利权)人:精工爱普生株式会社
类型:发明
国别省市:日本;JP

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