量子棒膜的制造方法及量子棒发光显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种量子棒膜的制造方法，包括：在基体上形成一层透光膜；在透光膜上形成多个条状沟槽；在导向膜上形成一量子棒层，所述量子棒层包括固化胶以及掺杂于固化胶内的量子棒和电场感应单体；对量子棒层施加电场，使得电场感应单体在电场的作用下带动量子棒沿条状沟槽排列；固化固化胶，以固定量子棒。本发明专利技术还提供具有由上述方法制得的量子棒膜的量子棒发光显示装置，基于此本发明专利技术能够提高量子棒的长轴方向的一致性，从而提高显示亮度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，具体而言涉及一种量子棒(Quantum rod，QR)膜的制造方法及量子棒发光显示装置。
技术介绍
量子棒和量子点(Quantum Dots,QDs) 一样具有纳米尺寸，且由于电子和空穴被量子限域，连续的能带结构变成具有分子特性的分立能级结构，受激后可以发射荧光。当前，人们对量子棒的应用普遍在于利用量子棒形成光学薄膜即量子棒膜，以利用量子棒的偏光特性将照射到该光学薄膜的某些波长的光转化为另一种波长的部分偏振光。由于经量子棒膜发出的偏振光在量子棒的长轴方向上亮度最强，因此量子棒的长轴方向一致性越好，所发出的偏振光的亮度越高，则采用该量子棒膜的发光显示装置可以节省的能耗就越多。
技术实现思路
鉴于此，本专利技术实施例提供一种量子棒膜的制造方法及量子棒发光显示装置，能够提高量子棒的长轴方向的一致性。本专利技术实施例提供的一种量子棒膜的制造方法，包括:在基体上形成一层透光膜；在透光膜上形成多个条状沟槽；在导向膜上形成一量子棒层，所述量子棒层包括固化胶以及掺杂于固化胶内的量子棒和电场感应单体；对量子棒层施加电场，使得电场感应单体在电场的作用下带动量子棒沿条状沟槽排列；固化固化胶，以固定量子棒。其中，所述在透光膜上形成多个条状沟槽的步骤，包括:利用与条状沟槽具有互补图案的掩膜板压印透光膜，以形成多个条状沟槽。其中，条状沟槽的长度方向彼此平行，且条状沟槽的宽度为纳米级，所述对量子棒层施加电场的步骤包括:使得电场感应单体在电场的作用下带动量子棒的长轴方向沿条状沟槽的长度方向排列。其中，所述对量子棒层施加电场的步骤包括:将电场的方向设置成垂直于基体的表面。其中，在所述固化固化胶的步骤之后，所述方法进一步包括:在量子棒层上贴附一保护基体。其中，量子棒膜包括PI导向膜和偏光片。本专利技术实施例提供的一种量子棒发光显示装置，包括背光模组以及设置于背光模组的出光方向上的显示面板，所述显示面板包括第一基板、贴附于第一基板内侧的第一偏光片、与第一基板相对间隔且靠近背光模组的第二基板、贴附于第二基板外侧的第二偏光片、以及设置于第一基板和第二基板之间的量子棒膜，其中，量子棒膜位于第一基板和第一偏光片之间，且包括:基体；位于基体上的一透光膜，所述透光膜上具有多个条状沟槽；量子棒层，位于透光膜上，且包括固化胶以及掺杂于固化胶内的量子棒和电场感应单体，量子棒的长轴方向与第二偏振片的出光轴方向平行，量子棒在对量子棒层施加电场时被电场感应单体在电场的作用下带动并沿条状沟槽排列，并由固化的固化胶固定。其中，条状沟槽由与其具有互补图案的掩膜板压印透光膜形成。其中，条状沟槽的长度方向彼此平行，且条状沟槽的宽度为纳米级，电场感应单体在电场的作用下带动量子棒的长轴方向沿条状沟槽的长度方向排列。其中，电场的方向垂直于基体的表面。本专利技术实施例的量子棒膜的制造方法及量子棒发光显示装置，通过对量子棒层施加电场，使得电场感应单体在电场的作用下带动量子棒沿预先设置的条状沟槽排列，即，将量子棒的长轴方向转嫁为条状沟槽的长度方向，只需预先确保多个条状沟槽的长度方向的一致性且极易达到，即可提高量子棒的长轴方向的一致性，提高在量子棒膜的出光侧的光的亮度，进而节省显示装置的能耗。【附图说明】图1是本专利技术的量子棒膜一实施例的制造方法的流程图；图2是本专利技术的量子棒膜一实施例的制造场景示意图；图3是本专利技术的量子棒膜一实施例的结构分解示意图；图4是本专利技术的量子棒发光显示装置一实施例的结构剖视图。【具体实施方式】下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术所提供的示例性的实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。图1是本专利技术的量子棒膜一实施例的制造方法的流程图。如图1所示，本实施例的制造方法包括以下步骤:步骤Sll:在基体上形成一层透光膜。如图2所示，基体21用于形成量子棒发光显示面板以及量子棒发光显示装置的光学膜片，因此其至少允许光透过，所述基体21的制造材质可以为玻璃、PET (PolyethyleneTer印hthalate，聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚酯切片)、塑料等防水阻氧材质。本实施例的透光膜22可以为PI (Polyimide，聚酰亚胺)导向膜，也可以是偏光片等光学薄膜，对应的形成方式在基体21上形成透光膜22的方式包括但不限于:化学气相沉积(Chemical vapor deposit1n, CVD)、低压化学气相沉积(Low-pressure Chemicalvapor deposit1n, LPCVD)、等离子化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical vapordeposit1n，PECVD)、派射、涂布、真空蒸镀。步骤12:在透光膜上形成多个条状沟槽。继续参阅图2所示，本实施例可以利用与条状沟槽221具有互补图案的掩膜板23压印所述透光膜22，从而形成多个宽度为纳米级(例如宽度为20纳米?200纳米)的条状沟槽221。其中，掩膜板23优选采用受热或受压时不易变形的材质制得，并且，较容易加工成纳米级的多个条状沟槽221且能够保证加工后的多个条状沟槽221的尺寸与预先设定尺寸的误差最小。所述条状沟槽221用以控制量子棒的长轴方向，故所有条状沟槽221的长度方向彼此平行且与量子棒的长轴方向相同。当然，本专利技术实施例也可以采用其他方式在透光膜22上形成多个条状沟槽221，例如刻蚀透光膜22以得到多个条状沟槽221，或者直接在基体21上形成具有多个条状沟槽221的透光膜22。[当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种量子棒膜的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在基体上形成一层透光膜；在所述透光膜上形成多个条状沟槽；在所述导向膜上形成一量子棒层，所述量子棒层包括固化胶以及掺杂于所述固化胶内的量子棒和电场感应单体；对所述量子棒层施加电场，使得所述电场感应单体在所述电场的作用下带动所述量子棒沿所述条状沟槽排列；固化所述固化胶，以固定所述量子棒。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：樊勇，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44