A sapphire crystal tile polishing method is firstly polished by small polishing, small pressure, low speed and large flow rate. It can effectively remove the sharp part of the crystal brick surface, reduce the scratch of the crystal brick edge and discs. And then through the second polishing step with high pressure, speed, flow manner appropriate to reduce the removal amount of polishing, polishing is not reduced through the sapphire crystal brick surface of the first polishing step is more smooth; and finally through the third polishing step with low pressure, high speed, to ensure the smooth polished surface of crystal brick. The invention can make the surface of the transparent sapphire crystal brick and reach the mirror effect, provide a platform for crystal defect inspection, save section processing cost; as material circulation to process defects effectively, reduce the waste of manpower, material, machine. The polishing method is also suitable for polishing of non-metallic bricks such as alumina and zirconia ceramics.
【技术实现步骤摘要】
一种蓝宝石晶砖抛光方法
本专利技术涉及蓝宝石抛光加工
,特别的,涉及一种蓝宝石晶砖抛光方法。
技术介绍
蓝宝石的组成为氧化铝(Al2O3),是由三个氧原子和两个铝原子以共价键型式结合而成,其晶体结构为六方晶格结构,它常被应用的切面有A-Plane,C-Plane,M-Plane及R-Plane.由于蓝宝石的光学穿透带很宽,从近紫外光(190nm)到中红外线都具有很好的透光性,因此被大量用在光学元件、红外装置、高强度镭射镜片材料及光罩材料上,它具有高声速、耐高温、抗腐蚀、高硬度、高透光性、熔点高(2045℃)等特点,它是一种相当难加工的材料。人工生长的蓝宝石具有很好的耐磨性,硬度仅次于金刚石达到莫氏9级,同时蓝宝石致密性使其具有较大的表面张力,上述两个特性十分适用于手机等电子触摸面板以及钟表镜面。但是人工生长的蓝宝石晶锭存在较多的气泡、杂质,晶界等不良缺陷,所加工出蓝宝石晶砖经磨床成型后表面呈磨砂面,直接用肉眼很难看清内部缺陷,其缺陷部分一般要到晶砖被切成晶片,再对晶片抛光后才能筛选,由于蓝宝石加工辅材成本昂贵,缺陷部分加工造成很大的成本浪费。现有技术中,对蓝宝石晶砖的抛光方案涉及较少,中国专利201310605267.9公开了一种蓝宝石触摸面板的两面抛光方法,该方案主要是对蓝宝石面板进行抛光,其抛光步骤主要分为两步,首先用大压力,大转速,大粒径,大流量的方式进行抛光,然后采用低压力,低转速,小粒径,小流量的方式进行精细抛光,该方案中第一步使用大转速,大粒径,大流量进行抛光,在大转速及大粒径情况下,蓝宝石触摸面板坯料表面的尖锐部分很容易划伤抛光盘,且蓝 ...
【技术保护点】
一种蓝宝石晶砖抛光方法,其特征在于,用治具将蓝宝石晶砖装夹固定在双面抛光机的上抛光盘与下抛光盘之间,上抛光盘与下抛光盘均采用树脂铜盘,抛光液使用钻石抛光液,钻石抛光液中钻石微粉粒径90wt%以上颗粒分布在2~7μm范围内,抛光液的pH=8~11,抛光盘温度控制在22~33℃之间,抛光过程包括先后执行的以下三个步骤:第一抛光步骤:抛光头压力控制在0.35~0.6N/cm
【技术特征摘要】
1.一种蓝宝石晶砖抛光方法,其特征在于,用治具将蓝宝石晶砖装夹固定在双面抛光机的上抛光盘与下抛光盘之间,上抛光盘与下抛光盘均采用树脂铜盘,抛光液使用钻石抛光液,钻石抛光液中钻石微粉粒径90wt%以上颗粒分布在2~7μm范围内,抛光液的pH=8~11,抛光盘温度控制在22~33℃之间,抛光过程包括先后执行的以下三个步骤:第一抛光步骤:抛光头压力控制在0.35~0.6N/cm2,上抛光盘转速控制在10~20转/分,下抛盘转速控制在8~15转/分,抛光液流量控制在15~20mL/min;第二抛光步骤:抛光头压力控制在0.50~0.85N/cm2,上抛光盘转速控制在25~30转/分,下抛光盘转速控制在15~20转/分,抛光液流量控制在12~16mL/min;第三抛光步骤:抛光头压力控制在0.25~0.55N/cm2,上抛光盘转速控制在34~38转/分,下抛光盘转速控制在20~25转/分,抛光液流量控制在12~16mL/min。2.根据权利要求1所述的一种蓝宝石晶砖抛光方法,其...
【专利技术属性】
技术研发人员:周群飞,饶桥兵,夏本权,
申请(专利权)人:蓝思科技长沙有限公司,
类型:发明
国别省市:湖南,43
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