鳍结构及其形成方法技术

本发明专利技术的实施例提供了一种形成鳍结构的方法，包括：在第一蚀刻步骤中，蚀刻半导体衬底以在第一器件区中形成第一凹槽，同时在第二器件区中形成第二凹槽。在第一凹槽之间形成第一半导体条。在第二凹槽之间形成第二半导体条。在第二蚀刻步骤中，蚀刻第二器件区中的半导体衬底以延伸第二凹槽。第一凹槽和第二凹槽填充有介电材料，以分别在第一和第二凹槽中形成第一和第二隔离区。第一隔离区和第二隔离区是凹陷的。半导体衬底的在第一和第二器件区中的部分突出高于相应的第一和第二隔离区的顶表面以上以分别形成第一和第二半导体鳍。本发明专利技术的实施例还提供了一种鳍结构。

Fin structure and its formation method

The embodiment of the invention provides a method for forming fin structure, including: etching the semiconductor substrate in the first etching step, forming the first groove in the first device area, and forming second grooves in the second device area. A first semiconductor strip is formed between the first grooves. A second semiconductor strip is formed between the second grooves. In the second etching step, the semiconductor substrate in the second device area is etched to extend the second groove. The first grooves and the second grooves are filled with dielectric materials to form the first and second isolation areas in the first and the second grooves, respectively. The first and second isolation areas are depressions. The partial protrusion of the semiconductor substrate in the first and second device regions is higher than the top surface of the corresponding first and second isolation zones to form the first and second semiconductor fins respectively. A fin structure is also provided in the embodiment of the present invention.

【技术实现步骤摘要】
鳍结构及其形成方法
本专利技术的实施例总体涉及半导体领域，更具体地，涉及鳍结构及其形成方法。
技术介绍
作为实例，半导体器件用于各种电子应用中，诸如个人计算机、手机、数字照相机和其它电子器件。半导体器件通常通过在半导体衬底上依次沉积材料的绝缘或介电层、导电层和半导体层，并且使用光刻对各种材料层进行图案化以在衬底上形成电路部件和元件来制造。晶体管是经常在半导体器件中使用的元件。例如，在单个集成电路(IC)上可能存在大量晶体管(例如数百或数千或数百万个晶体管)。作为半导体器件制造中使用的常见的晶体管类型是金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。平面晶体管(例如平面MOSFET)通常包括设置在衬底中的沟道区上方的栅极电介质和形成在栅极电介质上方的栅电极。晶体管的源极区和漏极区形成在沟道区的两侧。多栅极场效应晶体管(MuGFET)是半导体技术中的最新发展。一种类型的MuGFET被称为鳍式场效应晶体管(FinFET)，FinFET是包括从集成电路的半导体表面垂直突出的鳍状半导体材料的晶体管。
技术实现思路
根据本专利技术的一个方面，提供了一种形成鳍结构的方法，包括：在第一蚀刻步骤中，蚀刻半导本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成鳍结构的方法，包括：在第一蚀刻步骤中，蚀刻半导体衬底以在第一器件区中形成第一凹槽，同时在第二器件区中形成第二凹槽，其中在所述第一凹槽之间形成第一半导体条，并且在所述第二凹槽之间形成第二半导体条；在第二蚀刻步骤中，蚀刻在所述第二器件区中的所述半导体衬底以将所述第二凹槽延伸为比第一凹槽更低；用介电材料填充所述第一凹槽和所述第二凹槽，以在所述第一凹槽中形成第一隔离区以及在所述第二凹槽中形成第二隔离区；以及使所述第一隔离区和所述第二隔离区凹陷，其中所述半导体衬底在所述第一器件区中的部分比所述第一隔离区的顶表面突出以形成第一半导体鳍，并且所述半导体衬底在所述第二器件区中的部分突出高于所述第二隔离...

【技术特征摘要】
2016.08.03 US 62/370,553;2016.10.07 US 62/405,670;1.一种形成鳍结构的方法，包括：在第一蚀刻步骤中，蚀刻半导体衬底以在第一器件区中形成第一凹槽，同时在第二器件区中形成第二凹槽，其中在所述第一凹槽之间形成第一半导体条，并且在所述第二凹槽之间形成第二半导体条；在第二蚀刻步骤中，蚀刻在所述第二器件区中的所述半导体衬底以将所述第二凹槽延伸为比第一凹槽更低；用介电材料填充所述第一凹槽和所述第二凹槽，以在所述第一凹槽中形成第一隔离区以及在所述第二凹槽中形成第二隔离区；以及使所述第一隔离区和所述第二隔离区凹陷，其中所述半导体衬底在所述第一器件区中的部分比所述第一隔离区的顶表面突出以形成第一半导体鳍，并且所述半导体衬底在所述第二器件区中的部分突出高于所述第二隔离区的顶表面以形成第二半导体鳍。2.根据权利要求1所述的方法，其中，当蚀刻所述第二器件区中的所述半导体衬底时，蚀刻所述半导体衬底的在所述第一半导体条的相对两侧上的部分以形成半导体基部，其中，包括所述第一半导体条的多个半导体条在所述半导体基部的顶面上。3.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第二蚀刻步骤中，所述第二半导体条的高度增加。4.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第二蚀刻步骤之后，所述第二半导体条包括较高部分和较低部分，所述较高部分的第一侧壁和所述较低部分的第二侧壁具有可分辨的倾斜角变化，并且所述第一侧壁具有大于所述第二侧壁的第二倾斜角的第一倾斜角。5.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第二蚀刻步骤之后，所述第一半导体条具有第一侧壁，所述第一侧壁具有靠近所述第一半导体条的底部的...

【专利技术属性】
技术研发人员：张哲诚，林志翰，曾鸿辉，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71