一种FinFET器件及制备方法、电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种FinFET器件及制备方法、电子装置。所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成有鳍片材料层和种子层；在所述种子层上形成具有开口图案的掩膜层，所述开口图案露出所述种子层；在露出的所述种子层上形成蚀刻催化剂层；以所述掩膜层为掩膜、以所述蚀刻催化剂层为辅助执行化学蚀刻，以在所述种子层和所述鳍片材料层中形成开口和通过所述开口间隔的鳍片。所述方法使制备得到的FinFET器件中具有良好的轮廓，从而提高了所述半导体器件的性能和良率。

A FinFET device and preparation method and electronic device

The invention relates to a FinFET device and a preparation method and an electronic device. The method includes: providing a semiconductor substrate on the semiconductor substrate are formed on the fin material layer and seed layer sequentially; the mask layer has an opening pattern formed on the seed layer, the opening pattern with the seed layer; forming an etching catalyst layer on the seed layer on the exposed to; the mask layer as a mask, the etching layer is a catalyst assisted chemical etching to form openings and through the opening interval fins in the seed layer and the fin material layer. The method described has a good outline in the prepared FinFET device, thus improving the performance and good rate of the semiconductor device.

【技术实现步骤摘要】
一种FinFET器件及制备方法、电子装置
本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种FinFET器件及制备方法、电子装置。
技术介绍
随着半导体技术的不断发展，集成电路性能的提高主要是通过不断缩小集成电路器件的尺寸以提高它的速度来实现的。目前，由于高器件密度、高性能和低成本的需求，半导体工业已经进步到纳米技术工艺节点，半导体器件的制备受到各种物理极限的限制。随着CMOS器件尺寸的不断缩小，来自制造和设计方面的挑战促使了三维设计如鳍片场效应晶体管(FinFET)的发展。相对于现有的平面晶体管，FinFET是用于20nm及以下工艺节点的先进半导体器件，其可以有效控制器件按比例缩小所导致的难以克服的短沟道效应，还可以有效提高在衬底上形成的晶体管阵列的密度，同时，FinFET中的栅极环绕鳍片(鳍形沟道)设置，因此能从三个面来控制静电，在静电控制方面的性能也更突出。目前工艺中通常在应力弛豫衬底SixGey(strainrelaxedbufferSixGey)上生长拉应力的Ge，形成鳍片，最后外延生长外延源/漏应力源，以形成额外的应力增加。外延限定的FinFET(Epi-definedFin本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种FinFET器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成有鳍片材料层和种子层；在所述种子层上形成具有开口图案的掩膜层，所述开口图案露出所述种子层；在露出的所述种子层上形成蚀刻催化剂层；以所述掩膜层为掩膜、以所述蚀刻催化剂层为辅助执行化学蚀刻，以在所述种子层和所述鳍片材料层中形成开口和通过所述开口间隔的鳍片。

【技术特征摘要】
1.一种FinFET器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成有鳍片材料层和种子层；在所述种子层上形成具有开口图案的掩膜层，所述开口图案露出所述种子层；在露出的所述种子层上形成蚀刻催化剂层；以所述掩膜层为掩膜、以所述蚀刻催化剂层为辅助执行化学蚀刻，以在所述种子层和所述鳍片材料层中形成开口和通过所述开口间隔的鳍片。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述开口和所述鳍片的步骤包括：以所述掩膜层为掩膜、以所述蚀刻催化剂层为辅助蚀刻所述种子层，以在所述种子层中形成所述开口；以所述掩膜层和所述种子层为掩膜、以所述蚀刻催化剂层为辅助蚀刻所述鳍片材料层，以形成所述鳍片。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，蚀刻所述种子层的步骤中所述蚀刻液包括H2O2和H2SO4。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，蚀刻所述鳍片材料层的步骤中所述蚀刻液包括HF和KMnO...

【专利技术属性】
技术研发人员：张海洋，王彦，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31