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本发明涉及一种FinFET器件及制备方法、电子装置。所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成有鳍片材料层和种子层；在所述种子层上形成具有开口图案的掩膜层，所述开口图案露出所述种子层；在露出的所述种子层上形成蚀刻催化剂层；以所...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。