温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明的实施例提供了一种形成鳍结构的方法，包括：在第一蚀刻步骤中，蚀刻半导体衬底以在第一器件区中形成第一凹槽，同时在第二器件区中形成第二凹槽。在第一凹槽之间形成第一半导体条。在第二凹槽之间形成第二半导体条。在第二蚀刻步骤中，蚀刻第二器件区中...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。