指纹识别芯片的封装结构及封装方法技术
Encapsulation structure and encapsulation method of fingerprint identification chip
【技术实现步骤摘要】
指纹识别芯片的封装结构及封装方法
本专利技术涉及一种半导体封装结构及封装方法，特别是涉及一种指纹识别芯片的封装结构及封装方法。
技术介绍
随着集成电路的功能越来越强、性能和集成度越来越高，以及新型的集成电路出现，封装技术在集成电路产品中扮演着越来越重要的角色，在整个电子系统的价值中所占的比例越来越大。同时，随着集成电路特征尺寸达到纳米级，晶体管向更高密度、更高的时钟频率发展，封装也向更高密度的方向发展。由于扇出晶圆级封装(fowlp)技术由于具有小型化、低成本和高集成度等优点，以及具有更好的性能和更高的能源效率，扇出晶圆级封装(fowlp)技术已成为高要求的移动/无线网络等电子设备的重要的封装方法，是目前最具发展前景的封装技术之一。指纹识别技术是目前最成熟且价格便宜的生物特征识别技术。目前来说，指纹识别的技术应用最为广泛，不仅在门禁、考勤系统中可以看到指纹识别技术的身影，市场上有了更多指纹识别的应用：如笔记本电脑、手机、汽车、银行支付都可应用指纹识别的技术。现有的一种指纹识别芯片的封装方法如图1a～图1c所示：第一步，如图1a所示，在指纹识别芯片11制作深槽，并将...
【技术保护点】
一种指纹识别芯片的封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：重新布线层，所述重新布线层包括相对的第一表面及第二表面；导电结构，位于所述重新布线层的第一表面，且与所述重新布线层电连接；指纹识别芯片，位于所述重新布线层的第一表面；所述指纹识别芯片包括功能区域及位于所述功能区域外侧的若干个金属焊盘，所述功能区域内设置有功能器件，所述金属焊盘位于所述指纹识别芯片的正面，且与所述功能器件电连接；所述指纹识别芯片经由所述金属焊盘与所述重新布线层接触连接；及塑封材料层，位于所述重新布线层的第一表面，将所述指纹识别芯片及所述导电结构封裹塑封，且所述塑封材料层远离所述重新布线层的表面与所述导电...
【技术特征摘要】
1.一种指纹识别芯片的封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：重新布线层，所述重新布线层包括相对的第一表面及第二表面；导电结构，位于所述重新布线层的第一表面，且与所述重新布线层电连接；指纹识别芯片，位于所述重新布线层的第一表面；所述指纹识别芯片包括功能区域及位于所述功能区域外侧的若干个金属焊盘，所述功能区域内设置有功能器件，所述金属焊盘位于所述指纹识别芯片的正面，且与所述功能器件电连接；所述指纹识别芯片经由所述金属焊盘与所述重新布线层接触连接；及塑封材料层，位于所述重新布线层的第一表面，将所述指纹识别芯片及所述导电结构封裹塑封，且所述塑封材料层远离所述重新布线层的表面与所述导电结构远离所述重新布线层的表面相平齐。2.根据权利要求1所述的指纹识别芯片的封装结构，其特征在于：所述导电结构为金属连接球或金属柱。3.根据权利要求1所述的指纹识别芯片的封装结构，其特征在于：所述重新布线层包括：电介质层，所述电介质层与所述塑封材料层相接触的表面为所述重新布线层的第一表面；金属线层，位于所述电介质层内，且所述金属线层的外表面与所述重新布线层的第一表面相平齐；所述金属焊盘及所述导电结构均与所述金属线层接触连接。4.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器扇出型封装结构，其特征在于：所述重新布线层包括：电介质层，所述电介质层与所述塑封材料层相接触的表面为所述重新布线层的第一表面；金属叠层结构，位于所述电介质层内；所述金属叠层结构包括多层间隔排布的金属线层及金属插塞，所述金属插塞位于相邻所述金属线层之间，以将相邻的所述金属线层电连接；邻近所述塑封材料层的所述金属线层的外表面与所述重新布线层的第一表面相平齐；所述金属焊盘与邻近所述塑封材料层的所述金属线层接触连接。5.根据权利要求4或5所述的指纹识别芯片的封装方法，其特征在于：所述电介质层的材料包括环氧树脂、硅胶、PI、PBO、BCB、氧化硅、磷硅玻璃，含氟玻璃中的任一种，所述金属线层的材料包括铜、铝、镍、金、银、钛中的任一种。6.根据权利要求1所述的指纹识别芯片的封装结构，其特征在于：若干个所述金属焊盘均位于所述功能区域的一侧，且于所述功能区域的一侧呈一字型排布。7.根据权利要求1所述的指纹识别芯片的封装结构，其特征在于：所述塑封材料层包括聚酰亚胺层、硅胶层、...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴政达，陈彦亨，林正忠，
申请(专利权)人：中芯长电半导体江阴有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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