TFT基板的制作方法及TFT显示装置的制作方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种TFT基板的制作方法及一种TFT显示装置的制作方法，包括步骤：提供一衬底基板；在所述衬底基板上形成源漏极金属层；在所述源漏极金属层上沉积一层光刻胶薄膜，在所述光刻胶薄膜上蚀刻所需的图案；采用BCl3气体除掉所述源漏极金属层表面由于接触空气而产生的金属氧化物；采用Cl2气体和BCl3气体对所述源漏极金属层进行蚀刻。本发明专利技术提供了一种TFT基板的制作方法及TFT显示装置的制作方法，通过先单独使用较大流量BCl3气体将源漏极金属层表面的金属氧化物移除，再使用Cl2气体和BCl3气体对源漏极金属层进行蚀刻，能够保证源漏极金属层每个蚀刻区域的蚀刻速度相同，从而大幅度提高源漏极金属层蚀刻后源极和漏极的均一性，进而改善TFT器件的性能。

Making method of TFT substrate and making method of TFT display device

【技术实现步骤摘要】
TFT基板的制作方法及TFT显示装置的制作方法
本专利技术涉及显示
，具体涉及一种TFT基板的制作方法及一种TFT显示装置的制作方法。
技术介绍
LCD(liquidcrystaldisplay，液晶显示器)面板是液晶显示器的重要组件之一，现有的TFT(thinfilmtransistor，薄膜场效应晶体管)LCD面板由于其功率低、体积小、无辐射等优点，被广泛的用于液晶显示器中。有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode，OLED)单元是一种有机薄膜电致发光器件，其具有制备工艺简单、成本低、发光效率高、易形成柔性结构、视角宽等优点。因此，利用OLED的显示技术已成为一种重要的显示技术。如图1所示，在传统的源漏极金属层的蚀刻工艺中，通常采用Cl2气体和BCl3气体13对所述源漏极金属层11进行蚀刻；但是在利用物理气相沉积技术沉积源漏极金属层11之后，所述源漏极金属层11表面的金属容易在空气中被氧气氧化成金属氧化物14，残留在源漏极金属层11的表面，在后续Cl2气体和BCl3气体13对所述源漏极金属层11进行干性蚀刻的过程中，由于源漏极金属层11部分表面附着有金属氧化物14，容易造成干性蚀刻速度较慢，而表面没有附着金属氧化物的部分则会被蚀刻速度较快，这会导致源漏极金属层11源极和漏极的均一性较差，进而影响TFT器件的特性。
技术实现思路
本专利技术提供一种TFT基板的制作方法及一种TFT显示装置的制作方法，能够保证源漏极金属层每个蚀刻区域的蚀刻速度相同，从而大幅度提高源漏极金属层蚀刻后的整体均一性，进而大幅度改善TFT器件的性能。为实现上述目的，本专利技术提供的技术方案如下：在本专利技术的一个方面，提供了一种TFT基板的制作方法，所述TFT基板的制作方法包括：步骤S10、提供一衬底基板；步骤S20、在所述衬底基板上形成源漏极金属层；步骤S30、在所述源漏极金属层上沉积一层光刻胶薄膜，在所述光刻胶薄膜上蚀刻所需的图案；步骤S40、采用蚀刻气体对所述源漏极金属层进行蚀刻；步骤S50、剥离所述光刻胶；其中，采用蚀刻气体对所述源漏极金属层进行蚀刻的方法包括：步骤S401、采用BCl3气体除掉所述源漏极金属层表面由于接触空气而产生的金属氧化物；步骤S402、采用Cl2气体和BCl3气体对所述源漏极金属层进行蚀刻。根据本专利技术一优选实施例，所述源漏极金属层包括从底到顶依次层叠设置的第一金属层、第二金属层和第三金属层。根据本专利技术一优选实施例，所述第一金属层和所述第三金属层为钛金属层，所述第二金属层为铝金属层。根据本专利技术一优选实施例，所述S401步骤中的金属氧化物为钛被腐蚀得到的钛氧化物。根据本专利技术一优选实施例，所述源漏极金属层每个蚀刻区域的蚀刻速度保持相同。根据本专利技术一优选实施例，所述步骤S401中，所述BCl3气体的预设流量为1000标准毫升/分钟。根据本专利技术一优选实施例，所述步骤S402中，所述Cl2气体的预设流量为1200～1600标准毫升/分钟，所述BCl3气体的预设流量为150～200标准毫升/分钟。根据本专利技术另一方面，提供了一种TFT显示装置的制作方法，所述TFT显示装置的制作方法包括：制作TFT基板的步骤，以及在所述TFT基板上制作显示器件的步骤；其中，所述制作TFT基板的步骤包括：步骤S10、提供一衬底基板；步骤S20、在所述衬底基板上形成源漏极金属层；步骤S30、在所述源漏极金属层上沉积一层光刻胶薄膜，在所述光刻胶薄膜上蚀刻所需的图案；步骤S40、采用蚀刻气体对所述源漏极金属层进行蚀刻；步骤S50、剥离所述光刻胶；其中，采用蚀刻气体对所述源漏极金属层进行蚀刻的步骤包括：步骤S401、采用BCl3气体除掉所述源漏极金属层表面由于接触空气而产生的金属氧化物；步骤S402、采用Cl2气体和BCl3气体对所述源漏极金属层进行蚀刻。根据本专利技术一优选实施例，所述源漏极金属层包括从底到顶依次层叠设置的第一金属层、第二金属层和第三金属层。根据本专利技术一优实施例，所述第一金属层和所述第三金属层为钛金属层，所述第二金属层为铝金属层。本专利技术提供了一种TFT基板的制作方法及TFT显示装置的制作方法，通过先单独使用较大流量BCl3气体将源漏极金属层表面的金属氧化物移除，再使用Cl2气体和BCl3气体对源漏极金属层进行蚀刻，能够保证源漏极金属层每个蚀刻区域的蚀刻速度相同，从而大幅度提高源漏极金属层蚀刻后源极和漏极的均一性，进而改善TFT器件的性能。附图说明为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有技术中TFT基板制作的部分结构示意图；图2为本专利技术实施例的TFT基板的制作方法的流程图。图3为本专利技术中TFT基板制作方法步骤S40的流程图。图4A-4F为本专利技术实施例的TFT基板制作方法的的结构工艺流程图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。本专利技术针对现有TFT基板及TFT显示装置技术中，因源漏极金属层表面被氧化形成金属氧化物，而导致在后续工艺中各蚀刻区域蚀刻速度不一样，致使TFT器件均一性较差，降低TFT器件性能等问题，而提出了一种TFT基板的制作方法及一种TFT显示装置的制造方法，本实施例能够改善该缺陷。下面结合附图和具体实施例对本专利技术做进一步的说明：图2和图3为本专利技术实施例一种TFT基板的制作方法流程图，图4A-4F为本专利技术实施例TFT基板制作方法的结构工艺流程图，所述TFT基板的制作方法包括：步骤S10、提供一衬底基板20；步骤S20、在所述衬底基板20上形成源漏极金属层21。具体包括：如图4A所示，在衬底基板20上采用物理气相沉积技术沉积源漏极金属层21，源漏极金属层包括依次层叠设置的第一金属层211、第二金属层212和第三金属层213，其中，第一金属层211设置于衬底基板20表面，第三金属层213背离衬底基板20设置。第一金属层211与第三金属层213采用金属钛制备，第二金属层212采用金属铝制备。步骤S30、在所述源漏极金属层上沉积一层光刻胶薄膜，在所述光刻胶薄膜上蚀刻所需的图案。如图4B所示，由于金属钛为在空气环境下容易为氧气腐蚀的活跃金属，所以通常第三金属层213表面的部分金属钛会被氧化成为钛氧化物24。在源漏极金属层21表面形成一层用于制作源极25和漏极26的光刻胶薄膜22；采用预制掩模版对光刻胶薄膜22进行曝光，使用显影液蚀掉不需要光刻胶部分，以获得所需形状的光刻胶薄膜22；在涂胶过程应采用动态涂胶工艺，以确保获得厚度均匀的光刻胶薄膜22。步骤S40、采用蚀刻气体对所述源漏极金属层进行蚀刻。此步骤为本专利技术的核心部分，如图3所示，步骤S40的具体步骤包括：步骤S401、采用BCl3气体231除掉所述源漏极金属本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种TFT基板的制作方法，其特征在于，所述TFT基板的制作方法包括：步骤S10、提供一衬底基板；步骤S20、在所述衬底基板上形成源漏极金属层；步骤S30、在所述源漏极金属层上沉积一层光刻胶薄膜，在所述光刻胶薄膜上蚀刻所需的图案；步骤S40、采用蚀刻气体对所述源漏极金属层进行蚀刻；步骤S50、剥离所述光刻胶；其中，采用蚀刻气体对所述源漏极金属层进行蚀刻的方法包括：步骤S401、采用BCl3气体除掉所述源漏极金属层表面由于接触空气而产生的金属氧化物；步骤S402、采用Cl2气体和BCl3气体对所述源漏极金属层进行蚀刻。

【技术特征摘要】
1.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，所述TFT基板的制作方法包括：步骤S10、提供一衬底基板；步骤S20、在所述衬底基板上形成源漏极金属层；步骤S30、在所述源漏极金属层上沉积一层光刻胶薄膜，在所述光刻胶薄膜上蚀刻所需的图案；步骤S40、采用蚀刻气体对所述源漏极金属层进行蚀刻；步骤S50、剥离所述光刻胶；其中，采用蚀刻气体对所述源漏极金属层进行蚀刻的方法包括：步骤S401、采用BCl3气体除掉所述源漏极金属层表面由于接触空气而产生的金属氧化物；步骤S402、采用Cl2气体和BCl3气体对所述源漏极金属层进行蚀刻。2.根据权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述源漏极金属层包括从底到顶依次层叠设置的第一金属层、第二金属层和第三金属层。3.根据权利要求2所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第一金属层和所述第三金属层为钛金属层，所述第二金属层为铝金属层。4.根据权利要求3所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述S401步骤中的金属氧化物为钛被腐蚀得到的钛氧化物。5.根据权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述源漏极金属层每个蚀刻区域的蚀刻速度保持相同。6.根据权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S401中，所述BCl3气体的预设流量为10...

【专利技术属性】
技术研发人员：李松杉，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42