The invention provides a manufacturing method of AMOLED substrate and AMOLED substrate, comprising: providing a substrate; the substrate surface coated with a layer of PI film; followed by preparation of isolation layer, metal layer, buffer layer and TFT array in the upper part of the PI film; which is arranged above the PI the film the non metal layer for absorbing the preparation process of the TFT array in the buffer layer of laser penetration. The present invention provides a method for manufacturing a AMOLED substrate and a AMOLED substrate prepared by a non metal layer to absorb the laser penetration in the preparation process of buffer layer in the TFT array for the isolation layer, so as to avoid the effect of laser on PI membrane, thus improving the AMOLED production efficiency.
【技术实现步骤摘要】
AMOLED基板的制作方法及AMOLED基板
本专利技术涉及显示
,具体涉及一种AMOLED基板的制作方法和AMOLED基板。
技术介绍
随着显示技术的发展,主动矩阵式有机发光二极管(ActiveMatrixOrganicLight-EmittingDiode,简称AMOLED)显示装置的技术日见成熟,已经越来越多的应用在各个显示领域。在AMOLED显示屏幕生产中,会使用到一种柔性聚酰亚胺(PI)基底,工艺中会在该PI基底上制作薄膜晶体管阵列(ArrayThinFilmTransistor,ArrayTFT),要求PI基底材料具有良好的耐温、耐化,及抗阻水氧化性能;在ArrayTFT制作过程中,引用到了准分子激光退火制程;在准分子激光退火制程中,激光容易穿透缓冲层和间隔层,对PI膜造成直接影响,激光甚至会直接烧焦PI膜,造成不可弥补的缺陷。现阶段PI膜的涂覆及缓冲层的制作工艺步骤为:步骤1、清洗玻璃基板;步骤2、在所述玻璃基板上涂覆PI膜;步骤3、对所述PI膜进行干燥和固化;步骤4、在所述PI膜上形成隔离层;步骤5、在所述隔离层上形成缓冲层。
技术实现思路
本专利技术提供了一种AMOLED基板的制作方法及AMOLED基板,以解决在制备TFT阵列的过程中,因准分子激光穿透缓冲层和隔离层对PI膜造成直接影响,甚至直接烧焦PI膜的问题。为实现上述目的,本专利技术提供的技术方案如下:根据本专利技术的一个方面,提供了一种AMOLED基板的制作方法,所述AMOLED基板的制作方法包括如下步骤:步骤S10、提供一衬底基板;步骤S20、在所述衬底基板上形成PI膜;步骤S ...
【技术保护点】
一种AMOLED基板的制作方法,其特征在于,所述AMOLED基板的制作方法包括如下步骤:步骤S10、提供一衬底基板;步骤S20、在所述衬底基板表面形成PI膜;步骤S30、在所述PI膜表面形成隔离层;步骤S40、在所述隔离层表面形成非金属层;步骤S50、在所述非金属层表面形成缓冲层;步骤S60、在所述缓冲层表面形成TFT阵列,在形成TFT阵列中采用有准分子激光退火工艺;其中,设置于所述PI膜上方的所述非金属层用于吸收所述TFT阵列的制备过程中穿透所述缓冲层的激光。
【技术特征摘要】
1.一种AMOLED基板的制作方法,其特征在于,所述AMOLED基板的制作方法包括如下步骤:步骤S10、提供一衬底基板;步骤S20、在所述衬底基板表面形成PI膜;步骤S30、在所述PI膜表面形成隔离层;步骤S40、在所述隔离层表面形成非金属层;步骤S50、在所述非金属层表面形成缓冲层;步骤S60、在所述缓冲层表面形成TFT阵列,在形成TFT阵列中采用有准分子激光退火工艺;其中,设置于所述PI膜上方的所述非金属层用于吸收所述TFT阵列的制备过程中穿透所述缓冲层的激光。2.根据权利要求1所述的AMOLED基板的制作方法,其特征在于,在步骤S60中使用的准分子激光的波长为308nm。3.根据权利要求2所述的AMOLED基板的制作方法,其特征在于,所述非金属层包括层叠设置的非晶硅层和氧化硅层。4.根据权利要求3所述的AMOLED基板的制作方法,其特征在于,所述缓冲层为氮化硅...
【专利技术属性】
技术研发人员:马蹄遥,
申请(专利权)人:武汉华星光电半导体显示技术有限公司,
类型:发明
国别省市:湖北,42
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