半导体器件和方法技术

本发明专利技术的实施例使用外延生长工艺形成半导体器件的源极/漏极区域。在实施例中，第一步骤包括使用第一前体、第二前体和蚀刻前体形成源极/漏极区域的块体部分。第二步骤包括用蚀刻剂清洁块体部分，同时将成形掺杂剂引入块体部分以便改变暴露表面的晶体结构。第三步骤包括使用第一前体、第二前体和蚀刻前体形成源极/漏极区域的完成区域。本发明专利技术的实施例还提供了一种半导体器件。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件和方法
本专利技术的实施例总体涉及半导体领域，更具体地，涉及半导体器件及其形成方法。
技术介绍
半导体器件用于各种电子应用，诸如例如个人计算机、手机、数码相机和其它电子器件中。半导体器件通常通过在半导体衬底上方顺序地沉积材料的绝缘或介电层、导电层和半导体层，以及使用光刻来图案化各种材料层以在衬底上形成电路部件和元件来制造。半导体工业通过最小特征尺寸的连续减小来继续改进各种电子部件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许更多的部件集成至给定区域中。然而，随着最小特征尺寸减小，出现了应该解决的附加问题。
技术实现思路
根据本专利技术的一个方面，提供了一种用于形成半导体器件的方法，所述方法包括：使用第一前体和第二前体将块体源极/漏极区域外延生长到衬底上；清洁所述块体源极/漏极区域，其中，清洁所述块体源极/漏极区域改变所述块体源极/漏极区域的表面的晶体结构；以及在清理所述块体源极/漏极区域之后，在所述块体源极/漏极区域上外延生长完成区域。根据本专利技术的另一个方面，提供了一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：在第一步骤中将第一材料的第一层生长到衬底上，其中，生长所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于形成半导体器件的方法，所述方法包括：使用第一前体和第二前体将块体源极/漏极区域外延生长到衬底上；清洁所述块体源极/漏极区域，其中，清洁所述块体源极/漏极区域改变所述块体源极/漏极区域的表面的晶体结构；以及在清理所述块体源极/漏极区域之后，在所述块体源极/漏极区域上外延生长完成区域。

【技术特征摘要】
2016.06.30 US 62/357,161;2016.10.03 US 15/284,1011.一种用于形成半导体器件的方法，所述方法包括：使用第一前体和第二前体将块体源极/漏极区域外延生长到衬底上；清洁所述块体源极/漏极区域，其中，清洁所述块体源极/漏极区域改变所述块体源极/漏极区域的表面的晶体结构；以及在清理所述块体源极/漏极区域之后，在所述块体源极/漏极区域上外延生长完成区域。2.根据权利要求1所述的方法，其中，清洁所述块体源极/漏极区域包括将锗引入所述块体源极/漏极区域。3.根据权利要求2所述的方法，其中，通过将所述块体源极/漏极区域的表面暴露于GeH4来执行所述锗的引入。4.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：在第一步骤中将第一材料的第一层生长到衬底上，其中，生长所述第一层包括以所述第一材料的第一横向蚀刻速率引入第一前体、第二前体和蚀刻剂；在所述第一步骤之后的第二步骤中，通过所述蚀刻剂将所述第一材料的第一横向...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄翊铭，张世杰，李承翰，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71