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本发明的实施例使用外延生长工艺形成半导体器件的源极/漏极区域。在实施例中，第一步骤包括使用第一前体、第二前体和蚀刻前体形成源极/漏极区域的块体部分。第二步骤包括用蚀刻剂清洁块体部分，同时将成形掺杂剂引入块体部分以便改变暴露表面的晶体结构。第...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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