阵列基板及其制作方法、提高膜层间的粘附性的方法技术

本发明专利技术提供了一种阵列基板的制作方法，其包括步骤：提供一基板：在基板上形成栅极；在基板和栅极上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成半导体材料层；对半导体材料层的表面进行粗糙化处理；在半导体材料层上形成源漏极金属层；对源漏极金属层和半导体材料层进行曝光、显影以及刻蚀处理，以在栅极绝缘层上形成有源层且在有源层和栅极绝缘层上形成彼此间隔的源极和漏极；在有源层、栅极绝缘层、源极和漏极上形成钝化层；在钝化层中形成暴露漏极的过孔；在钝化层上形成通过过孔与漏极接触的像素电极。本发明专利技术通过对有源层的表面进行粗造化处理，可以提高源极、漏极与有源层的黏附力，从而不会出现断线现象，进而提高阵列基板的良率。

Array substrate and its fabrication methods and methods to improve the adhesion between layers

The invention provides a method for manufacturing an array substrate, which comprises the following steps: providing a substrate forming a gate electrode on a substrate; a gate insulating layer is formed on the substrate and the gate; the gate insulating layer on the semiconductor material forming the surface of the semiconductor material layer; the roughening treatment; source drain metal layer is formed on the the semiconductor material layer; the source drain metal layer and a layer of semiconductor material exposure, development and etching treatment in active layer and the insulating layer and spaced in the active gate source and drain layer formed on the gate insulating layer is formed on the active layer; and a gate insulating layer, a source electrode and a drain formed a passivation layer; exposing the drain through holes formed in the passivation layer; the pixel electrode through the contact hole and the drain formed on the passivation layer. The invention improves the adhesion force between the source pole, the drain electrode and the active layer through the coarse processing of the active layer, thereby avoiding the phenomenon of disconnection, and further improving the yield of the array substrate.

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制作方法、提高膜层间的粘附性的方法
本专利技术属于薄膜制作
，具体地讲，涉及一种阵列基板及其制作方法、提高膜层间的粘附性的方法。
技术介绍
目前液晶面板中阵列基板的制作可以采用4Mask工艺，在制作有源层和源漏极时，是先形成栅极绝缘层、半导体材料层和源漏极金属层，而后通过一次Mask工艺同时形成有源层和源漏极。但是在半导体材料层和源漏极金属层的制作过程中，由于半导体材料层与源漏极金属层的黏附性欠佳，所以会造成源漏极金属层的剥落，从而造成断线问题，进而影响阵列基板的良率。
技术实现思路
为了解决上述现有技术存在的问题，本专利技术的目的在于提供一种能够提高半导体材料层与源漏极金属层的黏附性的阵列基板及其制作方法、提高膜层间的粘附性的方法。根据本专利技术的一方面，提供了一种阵列基板的制作方法，其包括步骤：提供一基板：在所述基板上形成栅极；在所述基板和所述栅极上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成半导体材料层；对所述半导体材料层的表面进行粗糙化处理；在所述半导体材料层上形成源漏极金属层；对所述源漏极金属层和所述半导体材料层进行曝光、显影以及刻蚀处理，以在所述栅极绝缘层上形成有源层且在所述有源层上形成彼此间隔的源极和漏极；在所述有源层、所述栅极绝缘层、所述源极和所述漏极上形成钝化层；在所述钝化层中形成暴露所述漏极的过孔；在所述钝化层上形成通过所述过孔与所述漏极接触的像素电极。进一步地，所述“对所述半导体材料层的表面进行粗糙化处理”的方法包括：利用含有氢氟酸的刻蚀液对所述半导体材料层的表面进行粗糙化处理。进一步地，所述半导体材料层由非晶硅制成。进一步地，所述“在所述基板上形成栅极”的方法包括：在所述基板上形成栅极金属层；对所述栅极金属层进行曝光、显影及刻蚀处理，以形成所述栅极。进一步地，所述“在所述钝化层中形成暴露所述漏极的过孔”的方法包括：对所述钝化层进行曝光、显影及刻蚀处理，以形成所述过孔。进一步地，所述“在所述钝化层上形成通过所述过孔与所述漏极接触的像素电极”的方法包括：在所述钝化层上形成像素电极膜层；对所述像素电极膜层进行行曝光、显影及刻蚀处理，以形成所述像素电极。根据本专利技术的另一方面，还提供了一种由上述的阵列基板的制作方法制作的阵列基板。根据本专利技术的又一方面，又提供了一种提高膜层间的粘附性的方法，其包括：提供一基板；在所述基板上制作形成半导体膜；对所述半导体膜的表面进行粗糙化处理；在粗糙化处理的所述半导体膜的表面上形成金属膜。进一步地，所述“对所述半导体膜的表面进行粗糙化处理”的方法包括：利用含有氢氟酸的刻蚀液对所述半导体膜的表面进行粗糙化处理。进一步地，所述半导体膜由非晶硅制成。本专利技术的有益效果：本专利技术通过对有源层的表面进行粗造化处理，可以提高源极、漏极与有源层的黏附力，从而不会出现断线现象，进而提高阵列基板的良率。附图说明通过结合附图进行的以下描述，本专利技术的实施例的上述和其它方面、特点和优点将变得更加清楚，附图中：图1是根据本专利技术的实施例的提高膜层间的粘附性的方法的制程图；图2是根据本专利技术的实施例的阵列基板的制作方法的制程图。具体实施方式以下，将参照附图来详细描述本专利技术的实施例。然而，可以以许多不同的形式来实施本专利技术，并且本专利技术不应该被解释为限制于这里阐述的具体实施例。相反，提供这些实施例是为了解释本专利技术的原理及其实际应用，从而使本领域的其他技术人员能够理解本专利技术的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改。在附图中，为了清楚起见，夸大了层和区域的厚度。相同的标号在整个说明书和附图中表示相同的元器件。图1是根据本专利技术的实施例的提高膜层间的粘附性的方法的制程图。根据本专利技术的实施例的提高膜层间的粘附性的方法包括：步骤一：参照图1中的(a)图，提供一基板110。在本实施例中，该基板110可例如是玻璃基板，但本专利技术并不限制于此。步骤二：参照图1中的(b)图，在基板110上制作形成半导体膜120。进一步地，半导体膜120可由非晶硅(α-Si)制成，但本专利技术并不限制于此。步骤三：参照图1中的(c)图，对半导体膜120的表面进行粗糙化处理。具体地，可以利用含有氢氟酸的刻蚀液对半导体膜120的表面进行粗糙化处理，但本专利技术并不限制于此。步骤四：参照图1中的(d)图，在粗糙化处理后的半导体膜120的表面上形成金属膜130。具体地，在充氩气的真空条件下，使氩气进行辉光放电，这时氩原子电离成氩离子(Ar+)，氩离子在电场的作用下，加速轰击以镀制的金属材料制作的阴极靶材，靶材的金属材料会被溅射出来而沉积到粗糙化处理后的半导体膜120的表面上，从而形成金属膜130。在沉积金属膜130之前，将半导体膜120的表面进行粗糙化处理，可以提高半导体膜120与金属膜130的黏附性，这样金属膜130就不易剥落。以上的提高膜层间的粘附性的方法可以利用于阵列基板的制作中。以下将对阵列基板的制作方法进行详细描述。应当说明的是，这里是以非晶硅薄膜晶体管为例进行说明，但本专利技术并不限制于此。图2是根据本专利技术的实施例的阵列基板的制作方法的制程图。根据本专利技术的实施例的阵列基板的制作方法包括：步骤一：参照图2中的(a)图，提供一基板210。在本实施例中，该基板210可例如是玻璃基板，但本专利技术并不限制于此。步骤二：参照图2中的(b)图，在基板210上形成栅极220以及与栅极220连接的栅极线(未示出)。实现步骤二的方法包括：首先，在基板210上形成栅极金属层(未示出)；其次，对所述栅极金属层进行曝光、显影及刻蚀处理，以形成栅极220。步骤三：参照图2中的(c)图，在基板210、栅极220和所述栅极线上形成栅极绝缘层230。栅极绝缘层230可例如是氮化硅层和/或氧化硅层，但本专利技术并不限制于此。步骤四：参照图2中的(d)图，在栅极绝缘层230上形成半导体材料层240a。在本实施例中，半导体材料层240a可例如由非晶硅(α-Si)制成，但本专利技术并不限制于此。步骤五：参照图2中的(e)图，对半导体材料层240a的表面进行粗糙化处理。实现步骤五的具体方法为：可以利用含有氢氟酸的刻蚀液对半导体材料层240a的表面进行粗糙化处理，但本专利技术并不限制于此。步骤六：参照图2中的(f)图，在半导体材料层240a上形成源漏极金属层250a。具体地，在充氩气的真空条件下，使氩气进行辉光放电，这时氩原子电离成氩离子(Ar+)，氩离子在电场的作用下，加速轰击以镀制的金属材料制作的阴极靶材，靶材的金属材料会被溅射出来而沉积到粗糙化处理后的半导体材料层240a的表面上，从而形成源漏极金属层250a。步骤七：参照图2中的(g)图，对源漏极金属层250a和半导体材料层240a进行曝光、显影以及刻蚀处理，以在栅极绝缘层230上形成有源层240且在有源层240上形成彼此间隔的源极251和漏极252以及与源极251连接的源极线(未示出)。步骤八：参照图2中的(h)图，在有源层240、栅极绝缘层230、源极251、漏极252和所述源极线上形成钝化层260。步骤九：参照图2中的(i)图，在钝化层260中形成暴露漏极252的过孔261。具体地，实现步骤九的方法包括：对钝化层260进行曝光、显影及刻蚀处理，以形成所述过孔261。步骤十：参照图2中的(j)图，在钝化层260上形成通过过孔261与本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括步骤：提供一基板：在所述基板上形成栅极；在所述基板和所述栅极上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成半导体材料层；对所述半导体材料层的表面进行粗糙化处理；在所述半导体材料层上形成源漏极金属层；对所述源漏极金属层和所述半导体材料层进行曝光、显影以及刻蚀处理，以在所述栅极绝缘层上形成有源层且在所述有源层上形成彼此间隔的源极和漏极；在所述有源层、所述栅极绝缘层、所述源极和所述漏极上形成钝化层；在所述钝化层中形成暴露所述漏极的过孔；在所述钝化层上形成通过所述过孔与所述漏极接触的像素电极。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括步骤：提供一基板：在所述基板上形成栅极；在所述基板和所述栅极上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成半导体材料层；对所述半导体材料层的表面进行粗糙化处理；在所述半导体材料层上形成源漏极金属层；对所述源漏极金属层和所述半导体材料层进行曝光、显影以及刻蚀处理，以在所述栅极绝缘层上形成有源层且在所述有源层上形成彼此间隔的源极和漏极；在所述有源层、所述栅极绝缘层、所述源极和所述漏极上形成钝化层；在所述钝化层中形成暴露所述漏极的过孔；在所述钝化层上形成通过所述过孔与所述漏极接触的像素电极。2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述“对所述半导体材料层的表面进行粗糙化处理”的方法包括：利用含有氢氟酸的刻蚀液对所述半导体材料层的表面进行粗糙化处理。3.根据权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述半导体材料层由非晶硅制成。4.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述“在所述基板上形成栅极”的方法包括：在所述基板上形成栅极金属层；对所述栅极金属层进行曝光...

【专利技术属性】
技术研发人员：高冬子，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44