OLED背板的制作方法技术

本发明专利技术提供一种OLED背板的制作方法。该方法通过依次沉积第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层、及第三氧化物半导体层，得到薄膜晶体管的有源层，通过使得第一氧化物半导体层和第三氧化物半导体层沉积时通入的氩气和氧气的流量比大于第二氧化物半导体层沉积时通入的氩气和氧气的流量比，使得第一氧化物半导体层和第三氧化物半导体层的氧含量大于第二氧化物半导体层的氧含量，从而提升薄膜晶体管器件的有源层的导电性，减少界面缺陷，提升薄膜晶体管器件的稳定性。

The method of making OLED backplane

The invention provides a method for making the OLED backboard. The method by sequentially depositing a first oxide semiconductor layer, a second oxide semiconductor layer, and a three oxide semiconductor layer, an active layer has a thin film transistor, argon and oxygen gas through the first oxide semiconductor layer and a third oxide semiconductor layer deposited into the flow of more than a second oxide semiconductor layer deposited into the argon and oxygen the flow ratio, so that the oxygen content of the oxygen content of the first oxide semiconductor layer and a third oxide semiconductor layer above the oxide semiconductor layer, thereby enhancing the conductivity of the active layer of thin film transistor devices, reduce interface defects, enhancing the stability of thin film transistor devices.

【技术实现步骤摘要】
OLED背板的制作方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种OLED背板的制作方法。
技术介绍
平面显示器件具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有的平面显示器件主要包括液晶显示器件(LiquidCrystalDisplay，LCD)及有机发光二极管显示器件(OrganicLightEmittingDisplay，OLED)。有机发光二极管显示器件由于同时具备自发光，不需背光源、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、可用于挠曲性面板、使用温度范围广、构造及制程较简单等优异特性，被认为是下一代平面显示器的新兴应用技术。OLED显示装置通常包括：基板、设于基板上的阳极、设于阳极上的有机发光层、以及设于有机发光层上的阴极。工作时向有机发光层发射来自阳极的空穴和来自阴极的电子，将这些电子和空穴组合产生激发性电子-空穴对，并将激发性电子-空穴对从受激态转换为基态实现发光。OLED显示装置按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(PassiveMatrixOLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(ActiveMatrixOLED，AMOLED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，性能优异。现有技术中常用的薄膜晶体管包括非晶硅(a-Si)薄膜晶体管、低温多晶硅(LowTemperaturePoly-silicon，LTPS)薄膜晶体管以及氧化物半导体(Oxidesemiconductor)薄膜晶体管，氧化物半导体薄膜晶体管由于具有较高的电子迁移率，而且相比低温多晶硅薄膜晶体管，氧化物半导体薄膜晶体管制程简单，与非晶硅薄膜晶体管制程相容性较高，而得到了广泛应用。在氧化物半导体薄膜晶体管中其有源层(即氧化物半导体层)中的氧含量对器件特性影响很大，目前氧化物半导体薄膜晶体管中的有源层一般采用单一膜层的设计，这种单一膜层的有源层通过一次沉积形成，若是在沉积时氧气流量较大，则会使得有源层的含氧量过高，导电性变差，器件迁移率降低；而若是沉积时氧气流量较小，则会使得有源层中的含氧量过低，氧空位过多，导致有源层与缓冲层的接触界面及有源层与栅极绝缘层的接触界面处的界面缺陷增都，器件稳定性变差。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种OLED背板的制作方法，能够提升薄膜晶体管器件的有源层的导电性，减少界面缺陷，提升薄膜晶体管器件的稳定性。为实现上述目的，本专利技术提供了一种OLED背板的制作方法，包括如下步骤：步骤S1、提供一衬底基板，在所述衬底基板上形成缓冲层；步骤S2、在所述缓冲层上沉积第一氧化物半导体层，在沉积的同时通入氩气和氧气，所述氩气和氧气的流量比为第一比值；步骤S3、在所述第一氧化物半导体层上沉积第二氧化物半导体层，在沉积的同时通入氩气和氧气，所述氩气和氧气的流量比为第二比值；步骤S4、在所述第二氧化物半导体层上沉积第三氧化物半导体层，在沉积的同时通入氩气和氧气，所述氩气和氧气的流量比为第三比值，得到包括所述第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层、及第三氧化物半导体层的有源层；步骤S5、在所述有源层上形成栅极绝缘层和位于所述栅极绝缘层上的栅极；步骤S6、在所述有源层、栅极、栅极绝缘层上覆盖层间绝缘层；步骤S7、在所述层间绝缘层上形成源极、和漏极；所述第一比值和第三比值均大于所述第二比值。所述第一比值和第三比值均为2：1至4：1，所述第二比值为10：1至20：1。所述第一氧化物半导体层及第三氧化物半导体层的厚度为50至所述第二氧化物半导体层的厚度为200至所述第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层、及第三氧化物半导体层的材料均为IGZO，所述缓冲层和栅极绝缘层的材料均为氧化硅和氮化硅中的一种或二者的组合。所述步骤S1还包括：在所述衬底基板和缓冲层之间形成遮光层，所述遮光层遮挡所述有源层。所述步骤S5具体包括：在所述有源层和缓冲层上沉积栅极绝缘薄膜，在所述栅极绝缘薄膜上沉积栅极金属薄膜；通过一道光罩制程图案化所述栅极金属薄膜，形成栅极；以所述栅极为遮挡，蚀刻所述栅极绝缘薄膜，形成栅极绝缘层。所述步骤S5中所述栅极和栅极绝缘层覆盖所述有源层的中央，并暴露所述有源层的两端；在所述步骤S5和步骤S6之间还包括如下步骤：对所述有源层进行等离子处理，使得所述有源层的两端的电阻降低，形成N+导体层。所述步骤S6中还包括：对所述层间绝缘层进行图案化，形成暴露出所述有源层的两端的第一过孔和第二过孔，所述步骤S7中源极和漏极分别通过第一过孔和第二过孔与所述有源层的两端接触。所述OLED背板的制作方法还包括：步骤S8、在所述层间绝缘层、源极、和漏极上沉积钝化层，并对所述钝化层进行图案化，形成暴露出所述漏极的第三过孔；步骤S9、在所述钝化层上形成第一电极，所述第一电极通过所述第三过孔与所述漏极接触；步骤S10、在所述第一电极和钝化层上形成像素定义层，并对所述像素定义层进行图案化，形成暴露出所述第一电极的像素定义槽；步骤S11、在所述像素定义槽内形成有机发光层，在所述像素定义层和有机发光层上形成第二电极。所述第一电极为透明电极，所述第二电极为反射电极。本专利技术的有益效果：本专利技术提供一种OLED背板的制作方法，该方法通过依次沉积第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层、及第三氧化物半导体层，得到薄膜晶体管的有源层，通过使得第一氧化物半导体层和第三氧化物半导体层沉积时通入的氩气和氧气的流量比大于第二氧化物半导体层沉积时通入的氩气和氧气的流量比，使得第一氧化物半导体层和第三氧化物半导体层的氧含量大于第二氧化物半导体层的氧含量，从而提升薄膜晶体管器件的有源层的导电性，减少界面缺陷，提升薄膜晶体管器件的稳定性。附图说明为了能更进一步了解本专利技术的特征以及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本专利技术加以限制。附图中，图1至图2为本专利技术的OLED背板的制作方法的步骤S1的示意图；图3为本专利技术的OLED背板的制作方法的步骤S2的示意图；图4为本专利技术的OLED背板的制作方法的步骤S3的示意图；图5为本专利技术的OLED背板的制作方法的步骤S4的示意图；图6为本专利技术的OLED背板的制作方法的步骤S5的示意图；图7为本专利技术的OLED背板的制作方法的步骤S6的示意图；图8为本专利技术的OLED背板的制作方法的步骤S7的示意图；图9为本专利技术的OLED背板的制作方法的步骤S8的示意图；图10为本专利技术的OLED背板的制作方法的步骤S9的示意图；图11为本专利技术的OLED背板的制作方法的步骤S10的示意图；图12为本专利技术的OLED背板的制作方法的步骤S11的示意图；图13为本专利技术的OLED背板的制作方法的流程图。具体实施方式为更进一步阐述本专利技术所采取的技术手段及其效果，以下结合本专利技术的优选实施例及其附图进行详细描述。请参阅图13，本专利技术提供一种OLED背板的制作方法，包括如下步骤：步骤S1、请参阅图1和图2，提供一衬底基板1，在所述衬底基板1上形成缓冲层3。在具体实施时，如图1所示，所述步骤S1还可以进一步包括：在所述衬底基板1上沉积遮光金属薄膜，对所述遮光金属薄膜进行图案化，得到对应于待形成有源本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种OLED背板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供一衬底基板(1)，在所述衬底基板(1)上形成缓冲层(3)；步骤S2、在所述缓冲层(3)上沉积第一氧化物半导体层(41)，在沉积的同时通入氩气和氧气，所述氩气和氧气的流量比为第一比值；步骤S3、在所述第一氧化物半导体层(41)上沉积第二氧化物半导体层(42)，在沉积的同时通入氩气和氧气，所述氩气和氧气的流量比为第二比值；步骤S4、在所述第二氧化物半导体层(42)上沉积第三氧化物半导体层(43)，在沉积的同时通入氩气和氧气，所述氩气和氧气的流量比为第三比值，得到包括所述第一氧化物半导体层(41)、第二氧化物半导体层(42)、及第三氧化物半导体层(43)的有源层(4)；步骤S5、在所述有源层(4)上形成栅极绝缘层(5)和位于所述栅极绝缘层上的栅极(6)；步骤S6、在所述有源层(4)、栅极(6)、及栅极绝缘层(5)上覆盖层间绝缘层(7)；步骤S7、在所述层间绝缘层上形成源极(81)和漏极(82)；所述第一比值和第三比值均大于所述第二比值。

【技术特征摘要】
1.一种OLED背板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供一衬底基板(1)，在所述衬底基板(1)上形成缓冲层(3)；步骤S2、在所述缓冲层(3)上沉积第一氧化物半导体层(41)，在沉积的同时通入氩气和氧气，所述氩气和氧气的流量比为第一比值；步骤S3、在所述第一氧化物半导体层(41)上沉积第二氧化物半导体层(42)，在沉积的同时通入氩气和氧气，所述氩气和氧气的流量比为第二比值；步骤S4、在所述第二氧化物半导体层(42)上沉积第三氧化物半导体层(43)，在沉积的同时通入氩气和氧气，所述氩气和氧气的流量比为第三比值，得到包括所述第一氧化物半导体层(41)、第二氧化物半导体层(42)、及第三氧化物半导体层(43)的有源层(4)；步骤S5、在所述有源层(4)上形成栅极绝缘层(5)和位于所述栅极绝缘层上的栅极(6)；步骤S6、在所述有源层(4)、栅极(6)、及栅极绝缘层(5)上覆盖层间绝缘层(7)；步骤S7、在所述层间绝缘层上形成源极(81)和漏极(82)；所述第一比值和第三比值均大于所述第二比值。2.如权利要求1所述的OLED背板的制作方法，其特征在于，所述第一比值和第三比值均为2：1至4：1，所述第二比值为10：1至20：1。3.如权利要求1所述的OLED背板的制作方法，其特征在于，所述第一氧化物半导体层(41)及第三氧化物半导体层(43)的厚度为50至所述第二氧化物半导体层(42)的厚度为200至4.如权利要求1所述的OLED背板的制作方法，其特征在于，所述第一氧化物半导体层(41)、第二氧化物半导体层(42)、及第三氧化物半导体层(43)的材料均为IGZO，所述缓冲层(3)和栅极绝缘层(5)的材料均为氧化硅和氮化硅中的一种或二者的组合。5.如权利要求1所述的OLED背板的制作方法，其特征在于，所述步骤S1还包括：在所述衬底基板(1)和缓冲层(3)之间形成遮光层(2)，所述遮光层(2)遮挡所述有源层(4)。6...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘方梅，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44