一种阵列基板接触孔制备方法、阵列基板及显示器件技术

本发明专利技术涉及显示技术领域，公开了一种阵列基板接触孔制备方法、阵列基板及显示器件，制备方法中，在顶部膜层上涂覆第一光刻胶涂层，对第一光刻胶涂层中与第一接触孔对应的部分进行曝光不显影处理；在第一光刻胶涂层上涂覆第二光刻胶涂层；对第一光刻胶涂层以及第二光刻胶涂层中进行曝光过的部位进行显影去除；第二光刻胶涂层中去除的与第一接触孔对应部分的尺寸小于第一光刻胶涂层中去除的与第一接触孔对应部分的尺寸，对多层功能膜层中与第一接触孔对应的部分去除形成第一接触孔。第一接触孔中形成的金属结构侧面有一定斜度，不易断裂，当在第一接触孔中形成源漏极时，可大大降低源漏极沉积的断裂风险。

An array substrate contact hole preparation method, array substrate and display device

The present invention relates to a display technology field, discloses an array substrate contact hole preparation method, array substrate and display device, preparation method, coating the first photoresist coating on the top layer, exposing not developing the first photoresist coating and the first contact hole portion corresponding to the second photoresist coating; coating in the first photoresist coating; developing on the removal of the first photoresist coating and second photoresist coating exposure of the site; second in photoresist coating removal with the first contact hole corresponding to part of the size is less than the first photoresist coating removal with the first contact hole corresponding to the size of the part, the function of multilayer film with the first contact hole portion corresponding to the removal of the formation of the first contact hole. First, there is a certain degree of slope on the side surface of the metal structure formed in the contact hole, and it is not easy to break. When the source drain pole is formed in the first contact hole, it can greatly reduce the fracture risk of the source drain deposition.

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板接触孔制备方法、阵列基板及显示器件
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种阵列基板接触孔制备方法、阵列基板及显示器件。
技术介绍
现在大尺寸的OLED因其高对比度、自发光逐渐成为电视的新增长热点，尤其是大尺寸OLED中顶栅相比底栅具有高Ion、更高的开口率和更好的TFT稳定性而受到关注。其中大尺寸OLED显示屏中，为保护沟道层的稳定性，目前顶栅TFT下会制备一层金属图案形成遮光金属层以避免外界光对其特性的干扰，但因此会产生双TFT问题，对TFT特性造成干扰，使TFT不稳定。为解决此问题，现有技术中一般会干刻接触孔使源极与遮光金属层相连以避免双TFT问题，但是由于考虑到使用特性以及良率，接触孔需要刻蚀的无机膜特别厚，为保证非刻蚀区域关光阻仍有残留，故需要涂覆的光阻也非常厚，而光阻厚在2.2～2.5μm即会导致初始干刻坡度角非常陡，再加上孔干刻深度较深，源极沉积会有断裂的风险。
技术实现思路
本专利技术提供了一种阵列基板接触孔制备方法、阵列基板及显示器件，该阵列基板接触孔制备方法中，在基板上形成的第一接触孔的侧面有一定坡度，则在第一接触孔沉积的金属结构侧面有一定坡度，不易断裂。为达到上述目的，本专利技术提供以下技术方案：一种阵列基板接触孔制备方法，所述方法包括：在基板上形成第一金属层、并通过构图工艺形成第一金属图案；依次在所述第一金属层上形成多层功能膜层；在所述多层功能膜层的顶部膜层上涂覆第一光刻胶涂层，并采用曝光工艺对所述第一光刻胶涂层中与用于连接导电金属结构和所述第一金属层的第一接触孔对应的部分进行曝光不显影处理；在所述第一光刻胶涂层上涂覆第二光刻胶涂层，并采用曝光工艺对所述第二光刻胶涂层中与所述第一接触孔对应的部分进行曝光处理；对所述第一光刻胶涂层以及所述第二光刻胶涂层中进行曝光过的部位进行显影去除；其中，所述第二光刻胶涂层中与所述第一接触孔对应且去除的部分的尺寸小于所述第一光刻胶涂层中与所述第一接触孔对应且去除的部分的尺寸；对所述多功能膜层进行干刻，将所述多功能膜层中与所述第一接触孔对应的部分去除形成所述第一接触孔。本专利技术的技术研发人员在研究中发现，现有技术中由于要考虑基板的使用特性以及良率，无机膜层一般设置比较厚，即接触孔需要刻蚀的无机膜层比较厚，即接触孔的干刻深度较深，则刻蚀时需要涂覆的光刻胶涂层比较厚，会导致干刻后的接触孔坡度较陡，进而存在接触孔中沉积的导电金属结构有较高的断裂风险的问题，为缓解这个问题中存在的状况，上述阵列基板接触孔制备方法中，在基板上形成第一金属层并形成第一金属层图案后，在第一金属层上形成多层功能膜层，然后先在多层功能膜层的顶部膜层上涂覆一层光刻胶形成第一光刻胶涂层，进行第一光刻胶涂层Mask，采用曝光工艺对第一光刻胶涂层中与导电金属结构和第一金属层的第一接触孔对应的部分进行曝光不显影处理，不进行显影处理，即暂时不去除第一光刻胶涂层中曝光过的部分，以便于接下来涂覆第二光刻胶时，不会导致第二光刻胶涂层中与第一接触孔对应的部分厚度增加，可以形成厚度均一的第二光刻胶涂层，便于后续工艺的进行；然后在第一光刻胶涂层上涂覆第二光刻胶涂层，进行第二光刻胶涂层Mask，采用曝光工艺对第二光刻胶涂层中与第一接触孔对应的部分；对第一光刻胶涂层以及第二光刻胶涂层中进行曝光过的部位进行显影去除；即，在对第二光刻胶涂层完成曝光，进行显影时，控制显影时间，同时将第一光刻胶涂层中与第一接触孔对应的部分去除；其中，第二光刻胶涂层中与第一接触孔对应且去除的部分的直径尺寸小于第一光刻胶涂层中与第一接触孔对应且去除的部分的直径尺寸，即从截面看，第二光刻胶涂层和第一光刻胶涂层与第一接触孔对应的部分显影后形成“凸”字型；则，在对多功能膜层进行干刻时，对多功能膜层中与第一接触孔对应的部分去除，多功能膜层中形成第一接触孔，形成的第一接触孔的侧面有一定坡度，即第一接触孔形成开口大于底端的倒锥台形。第一接触孔形成后，这样，在后续第一接触孔中形成导电金属结构时，在第一接触孔中的导电金属结构因倒锥台形第一接触孔，其侧面能够形成一定斜度，不易断裂。优选地，所述多层功能膜层包括依次形成于所述第一金属层上的缓冲层、层间绝缘层，且所述第一接触孔贯穿所述层间绝缘层和缓冲层。优选地，所述第一金属层为遮光金属层，所述多层功能膜层还包括：在所述缓冲层形成之后、且在层间绝缘层形成之前，依次形成于所述缓冲层上的沟道层、栅绝缘层、栅极金属层。优选地，所述阵列基板包括源极和漏极，所述源极或漏极形成有所述导电金属结构，在对所述第二光刻胶涂层中与所述第一接触孔对应的部分进行曝光处理时，还采用曝光工艺对与用于阵列基板中的源极和漏极与所述沟道层连接的第二接触孔对应的部分进行曝光处理；所述对所述多层功能膜层进行干刻，包括：对所述层间绝缘层进行干刻，将所述层间绝缘层中与所述第一接触孔对应的部分去除；对所述第二光刻胶涂层以及所述第一光刻胶涂层进行灰化处理，将所述第二光刻胶涂层去除、且使所述第一光刻胶涂层中与所述第二接触孔对应的部位形成过孔以露出所述层间绝缘层；对所述层间绝缘层和所述缓冲层进行干刻，对所述层间绝缘层中与所述第二接触孔对应的部分去除形成所述第二接触孔，以及对所述缓冲层中与所述第一接触孔对应的部分去除形成所述第一接触孔。优选地，所述栅绝缘层图形以及栅极图形的形成步骤包括：在所述沟道层图形上形成所述栅绝缘层、且在所述栅绝缘层上形成栅极金属层后，在所述栅极金属层上涂覆光刻胶；采用掩膜板对所述光刻胶进行曝光形成栅极掩膜；对所述栅极金属层进行湿法刻蚀，形成栅极图形；保留所述光刻胶、且对所述栅绝缘层进行干刻，形成栅绝缘层图形；对所述光刻胶进行湿法剥离以去除所述光刻胶。优选地，所述层间绝缘层与所述缓冲层的材料相同。优选地，所述缓冲层厚度为0.3μm～0.5μm；和/或，所述沟道层厚度为0.05μm～0.09μm；和/或，所述栅绝缘层厚度为0.1μm～0.2μm；和/或，所述栅极金属层厚度为0.4μm～0.6μm；和/或，所述层间绝缘层厚度为0.3μm～0.5μm。优选地，在采用曝光工艺对所述第一光刻胶涂层进行曝光处理后、且在涂覆所述第二光刻胶涂层之前，对所述第一光刻胶涂层进行后烘处理。优选地，所述第二光刻胶涂层中对应所述第一接触孔形成的第二过孔的边缘比所述第一光刻胶涂层中对应所述第一接触孔形成的第一过孔的边缘凸出2μm～4μm。优选地，所述遮光金属层厚度为0.1μm～0.2μm。优选地，所述遮光金属层厚度为0.15μm。优选地，所述第一光刻胶涂层厚度小于或等于所述第二光刻胶涂层厚度。本专利技术还提供了一种阵列基板，包括：接触孔，所述接触孔采用如上述技术方案中提供的任意一种阵列基板接触孔制备方法制备；第一接触孔与第二接触孔形成后，在所述层间绝缘层上形成金属层、并通过构图工艺形成源极和漏极图案；在所述源极和漏极图案上形成钝化层。上述阵列基板中，阵列基板中包括的接触孔采用上述技术方案中提供的阵列基板接触孔制备方法制备，形成第一接触孔和第二接触孔后形成的金属结构中，在第一接触孔中形成的金属结构侧面有一定斜度，呈倒锥台形，不易断裂，降低第一接触孔中金属沉积的断裂风险。优选地，所述金属层的厚度为0.5μm～0.7μm。本专利技术还提供了一种显示器件，包括如上述技术方案中所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板接触孔制备方法，其特征在于，所述方法包括：在基板上形成第一金属层、并通过构图工艺形成第一金属图案；依次在所述第一金属层上形成多层功能膜层；在所述多层功能膜层的顶部膜层上涂覆第一光刻胶涂层，并采用曝光工艺对所述第一光刻胶涂层中与用于连接导电金属结构和所述第一金属层的第一接触孔对应的部分进行曝光不显影处理；在所述第一光刻胶涂层上涂覆第二光刻胶涂层，并采用曝光工艺对所述第二光刻胶涂层中与所述第一接触孔对应的部分进行曝光处理；对所述第一光刻胶涂层以及所述第二光刻胶涂层中进行曝光过的部位进行显影去除；其中，所述第二光刻胶涂层中与所述第一接触孔对应且去除的部分的尺寸小于所述第一光刻胶涂层中与所述第一接触孔对应且去除的部分的尺寸；对所述多层功能膜层进行干刻，将所述多层功能膜层中与所述第一接触孔对应的部分去除形成所述第一接触孔。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板接触孔制备方法，其特征在于，所述方法包括：在基板上形成第一金属层、并通过构图工艺形成第一金属图案；依次在所述第一金属层上形成多层功能膜层；在所述多层功能膜层的顶部膜层上涂覆第一光刻胶涂层，并采用曝光工艺对所述第一光刻胶涂层中与用于连接导电金属结构和所述第一金属层的第一接触孔对应的部分进行曝光不显影处理；在所述第一光刻胶涂层上涂覆第二光刻胶涂层，并采用曝光工艺对所述第二光刻胶涂层中与所述第一接触孔对应的部分进行曝光处理；对所述第一光刻胶涂层以及所述第二光刻胶涂层中进行曝光过的部位进行显影去除；其中，所述第二光刻胶涂层中与所述第一接触孔对应且去除的部分的尺寸小于所述第一光刻胶涂层中与所述第一接触孔对应且去除的部分的尺寸；对所述多层功能膜层进行干刻，将所述多层功能膜层中与所述第一接触孔对应的部分去除形成所述第一接触孔。2.根据权利要求1所述的阵列基板接触孔制备方法，其特征在于，所述多层功能膜层包括依次形成于所述第一金属层上的缓冲层、层间绝缘层，且所述第一接触孔贯穿所述层间绝缘层和缓冲层。3.根据权利要求2所述的阵列基板接触孔制备方法，其特征在于，所述第一金属层为遮光金属层，所述多层功能膜层还包括：在所述缓冲层形成之后、且在层间绝缘层形成之前，依次形成于所述缓冲层上的沟道层、栅绝缘层、栅极金属层。4.根据权利要求3所述的阵列基板接触孔制备方法，其特征在于，所述阵列基板包括源极和漏极，所述源极或漏极形成有所述导电金属结构，在对所述第二光刻胶涂层中与所述第一接触孔对应的部分进行曝光处理时，还采用曝光工艺对与用于所述阵列基板中的源极和漏极与所述沟道层连接的第二接触孔对应的部分进行曝光处理；所述对所述多层功能膜层进行干刻，包括：对所述层间绝缘层进行干刻，将所述层间绝缘层中与所述第一接触孔对应的部分去除；对所述第二光刻胶涂层以及所述第一光刻胶涂层进行灰化处理，将所述第二光刻胶涂层去除、且使所述第一光刻胶涂层中与所述第二接触孔对应的部位形成过孔以露出所述层间绝缘层；对所述层间绝缘层和所述缓冲层进行干刻，对所述层间绝缘层中与所述第二接触孔对应的部分去除形成所述第二接触孔，以及对所述缓冲层中与所述第一接触孔对应的部分去除形成所述第一接触孔。5.根据权利要求3所述的阵列基板接触孔制备方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘军，黄勇潮，苏同上，程磊磊，汪军，刘宁，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11