TFT基板的制作方法及其结构技术

本发明专利技术提供一种TFT基板的制作方法及其结构。该TFT基板的制作方法在第二钝化层(PV2)上沉积覆盖黑色光阻并进行图案化处理，形成一体式的主光阻间隔物(61)、次光阻间隔物(62)与黑色矩阵(63)之后，再沉积覆盖透明导电薄膜并进行图案化处理，形成像素电极(71)与公共电极(72)，由于一体式的主光阻间隔物(61)、次光阻间隔物(62)与黑色矩阵(63)填充、覆盖了黑色矩阵(63)所在区域内的色阻被挖开的空间，使得像素电极(71)与公共电极(72)形成在较平坦的黑色矩阵(63)上，能够避免由于色阻边缘斜坡过陡导致的导电薄膜蚀刻残留的问题，防止像素电极(71)与公共电极(72)短路。

The fabrication method and structure of TFT substrate

The invention provides a method for making a TFT substrate and a structure thereof. The TFT substrate manufacturing method on the second passivation layer (PV2) deposited on the cover and black photoresist patterned photoresist spacer, forming an integral (61), a photoresist spacer (62) and black matrix (63) after the deposition of transparent conductive film covering and patterned processing the formation of the pixel electrode and the common electrode (71) (72), the main photoresist spacer integral (61), a photoresist spacer (62) and black matrix (63) filling, covering the black matrix (63) color resistance region has been dug up in space, the pixel electrode (71) and the common electrode (72) formed on the black matrix is flat (63), can avoid the conductive film etching resistance of color edge slope steep due to residual problems, prevent the pixel electrode and the common electrode (71) (72) short circuit.

【技术实现步骤摘要】
TFT基板的制作方法及其结构
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种TFT基板的制作方法及其结构。
技术介绍
液晶显示面板(LiquidCrystalDisplay，LCD)，简称液晶面板，具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛地应用，如：液晶电视、智能手机、数字相机、平板电脑、计算机屏幕、或笔记本电脑屏幕等，在平板显示领域中占主导地位。液晶面板的结构通常是由一彩色滤光片基板(ColorFilter，CF)、一薄膜晶体管阵列基板(ThinFilmTransistorArraySubstrate，TFTArraySubstrate简称TFT基板)、以及一配置于两基板间的液晶层(LiquidCrystalLayer)所构成，其工作原理是通过在两片玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶层的液晶分子的旋转，将背光模组的光线折射出来产生画面。对于传统的液晶面板，在CF基板一侧一般设置有用于滤光的多种颜色的色阻及用于遮光的黑色矩阵(BlackMatrix，BM)，在TFT基板与CF基板之间设置有专门的光阻间隔物(PhotoSpace，PS)以支撑液晶层的盒厚。随着显示技术的发展，出现了一种把BM和PS合二为一的技术(BlackPhotoSpacer，BPS)。BPS1tone技术是一种最节约成本的BPS技术。BPS1tone技术指的是BPS制程使用的光罩只有一种透过率，对应的BPS材料也只感受到一种强度的光，但普通的BPS1tone技术需要使用到有机物平坦化(PFA)层，这是因为普通的BPS1tone技术使用的是岛状(Island)结构，使用两个色阻块叠起来充当主光阻间隔物(MainPS)、一个色阻块来充当次光阻间隔物(SubPS)由于两个色阻块和一个色阻块的高度差太大，做出来的主光阻间隔物和次光阻间隔物的断差就会过大，需要有机物平坦化层对两层色块阻堆叠的高度进行一个平坦化作用。为了节约材料成本，省去有机物平坦化层的BPS型TFT基板被开发出来。请同时参阅图1与图2，省去有机物平坦化层的BPS型TFT基板使用单层的第一岛状色阻块402垫起主光阻间隔物701，亦使用单层的第二岛状色阻块403垫起次光阻间隔物702，只是垫起次光阻间隔物702的第二岛状色阻块403是用狭缝衍射型(SLT)光罩做灰阶曝光，使得第二岛状色阻块403处照到的是半透光；相应的主光阻间隔物701和次光阻间隔物702的断差即为第一岛状色阻块402的高度h1与第二岛状色阻块403的高度h2之间的差值，而且断差不会很大，所以在色阻层401、第一岛状色阻块402与第二岛状色阻块403上面就可以不用有机物平坦化层，而是使用氮化硅(SiNx)与氧化硅(SiOx)组合的第二钝化层PV2覆盖在色阻层401、第一岛状色阻块402、第二岛状色阻块403及已有的第一钝化层PV1上。制作该BPS型TFT基板时，先在衬底基板10上制作出TFTT及覆盖TFTT的第一钝化层PV1；然后沉积色阻并做图案化处理，形成色阻层401、第一岛状色阻块402与第二岛状色阻块403；接着沉积第二钝化层PV2并做图案化处理；之后沉积导电薄膜并做刻蚀处理，形成像素电极601与公共电极602；最后在第二钝化层PV2、像素电极601与公共电极602上制作出一体式的主光阻间隔物701、次光阻间隔物702及黑色矩阵703。结合图3与图4，这种新架构的BPS型TFT基板存在一个问题：由于黑色矩阵703所在区域内的色阻都被挖开，色阻边缘会形成一个斜坡，若斜坡的陡度太大，那么在做完第二钝化层PV2，再做导电薄膜时，斜坡的存在会导致导电薄膜刻蚀不干净产生残留，而残留的导电薄膜会造成像素电极601与公共电极602短路。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种TFT基板的制作方法，能够避免由于色阻边缘斜坡过陡导致的导电薄膜残留的问题，防止像素电极与公共电极短路。本专利技术的目的还在于提供一种TFT基板结构，能够防止像素电极与公共电极短路。为实现上述目的，本专利技术首先提供一种TFT基板的制作方法，包括以下步骤：步骤S1、提供衬底基板，在所述衬底基板上制作出呈阵列式排布的TFT，然后沉积一层覆盖所有TFT的第一钝化层；步骤S2、在所述第一钝化层上沉积彩色色阻并进行图案化处理，形成色阻层、第一色阻块与第二色阻块，且第一色阻块的高度大于第二色阻块的高度；步骤S3、在所述第一钝化层、色阻层、第一色阻块与第二色阻块上沉积覆盖第二钝化层；步骤S4、在所述第二钝化层上沉积覆盖黑色光阻并进行图案化处理，形成一体式的主光阻间隔物、次光阻间隔物与黑色矩阵，以及一贯穿所述黑色矩阵、第二钝化层与第一钝化层的过孔；其中，所述主光阻间隔物对应位于第一色阻块上方，所述次光阻间隔物对应位于第二色阻块上方；所述过孔被TFT的漏极完全遮挡；步骤S5、在所述一体式的主光阻间隔物、次光阻间隔物及黑色矩阵上沉积覆盖透明导电薄膜并进行图案化处理，形成像素电极与公共电极，所述像素电极经由所述过孔连接TFT的漏极。所述步骤S2使用狭缝衍射型光罩对彩色色阻进行图案化处理。所述步骤S2沉积的彩色色阻包括红色色阻、绿色色阻与蓝色色阻。所述透明导电薄膜的材料为氧化铟锡。所述第一钝化层与第二钝化层的材料均为氮化硅、氧化硅或二者的组合。所述第一色阻块与第二色阻块均呈岛状。本专利技术还提供一种TFT基板，包括：衬底基板；设在所述衬底基板上呈阵列式排布的TFT；覆盖所有TFT的第一钝化层；设在所述第一钝化层上的色阻层、第一色阻块与第二色阻块，其中，第一色阻块的高度大于第二色阻块的高度；覆盖所述第一钝化层、色阻层、第一色阻块与第二色阻块的第二钝化层；设在所述第二钝化层上的一体式的主光阻间隔物、次光阻间隔物与黑色矩阵，其中，所述主光阻间隔物对应位于第一色阻块上方，所述次光阻间隔物对应位于第二色阻块上方；以及设在所述黑色矩阵上的像素电极与公共电极，所述像素电极经由贯穿所述黑色矩阵、第二钝化层与第一钝化层的过孔连接TFT的漏极；所述过孔被TFT的漏极完全遮挡。所述色阻层包括红色色阻、绿色色阻与蓝色色阻；所述第一色阻块与第二色阻块均呈岛状。所述像素电极71与公共电极72的材料为氧化铟锡。所述第一钝化层与第二钝化层的材料均为氮化硅、氧化硅或二者的组合。本专利技术的有益效果：本专利技术提供的TFT基板的制作方法，在第二钝化层上沉积覆盖黑色光阻并进行图案化处理，形成一体式的主光阻间隔物、次光阻间隔物与黑色矩阵之后，再在所述一体式的主光阻间隔物、次光阻间隔物及黑色矩阵上沉积覆盖透明导电薄膜并进行图案化处理，形成像素电极与公共电极，由于一体式的主光阻间隔物、次光阻间隔物与黑色矩阵填充、覆盖了黑色矩阵所在区域内的色阻被挖开的空间，使得像素电极与公共电极形成在较平坦的黑色矩阵上，能够避免由于色阻边缘斜坡过陡导致的导电薄膜蚀刻残留的问题，防止像素电极与公共电极短路。本专利技术提供的TFT基板结构，在所述第二钝化层上设置一体式的主光阻间隔物、次光阻间隔物与黑色矩阵，在所述黑色矩阵上设置像素电极与公共电极，由于一体式的主光阻间隔物、次光阻间隔物与黑色矩阵填充、覆盖了黑色矩阵所在区域内的色阻被挖开的空间，像素电极与公共电极位于较平坦的黑色矩阵上，能够避免在制程过程中由于色阻边缘斜坡过陡导致的导电薄膜蚀刻残留的问题，防止本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、提供衬底基板(1)，在所述衬底基板(1)上制作出呈阵列式排布的TFT(T)，然后沉积一层覆盖所有TFT(T)的第一钝化层(PV1)；步骤S2、在所述第一钝化层(PV1)上沉积彩色色阻并进行图案化处理，形成色阻层(41)、第一色阻块(42)与第二色阻块(43)，且第一色阻块(42)的高度(h1)大于第二色阻块(43)的高度(h2)；步骤S3、在所述第一钝化层(PV1)、色阻层(41)、第一色阻块(42)与第二色阻块(43)上沉积覆盖第二钝化层(PV2)；步骤S4、在所述第二钝化层(PV2)上沉积覆盖黑色光阻并进行图案化处理，形成一体式的主光阻间隔物(61)、次光阻间隔物(62)与黑色矩阵(63)，以及一贯穿所述黑色矩阵(63)、第二钝化层(PV2)与第一钝化层(PV1)的过孔(V)；其中，所述主光阻间隔物(61)对应位于第一色阻块(42)上方，所述次光阻间隔物(62)对应位于第二色阻块(43)上方；所述过孔(V)被TFT(T)的漏极(D)完全遮挡；步骤S5、在所述一体式的主光阻间隔物(61)、次光阻间隔物(62)及黑色矩阵(63)上沉积覆盖透明导电薄膜并进行图案化处理，形成像素电极(71)与公共电极(72)，所述像素电极(71)经由所述过孔(V)连接TFT(T)的漏极(D)。...

【技术特征摘要】
1.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、提供衬底基板(1)，在所述衬底基板(1)上制作出呈阵列式排布的TFT(T)，然后沉积一层覆盖所有TFT(T)的第一钝化层(PV1)；步骤S2、在所述第一钝化层(PV1)上沉积彩色色阻并进行图案化处理，形成色阻层(41)、第一色阻块(42)与第二色阻块(43)，且第一色阻块(42)的高度(h1)大于第二色阻块(43)的高度(h2)；步骤S3、在所述第一钝化层(PV1)、色阻层(41)、第一色阻块(42)与第二色阻块(43)上沉积覆盖第二钝化层(PV2)；步骤S4、在所述第二钝化层(PV2)上沉积覆盖黑色光阻并进行图案化处理，形成一体式的主光阻间隔物(61)、次光阻间隔物(62)与黑色矩阵(63)，以及一贯穿所述黑色矩阵(63)、第二钝化层(PV2)与第一钝化层(PV1)的过孔(V)；其中，所述主光阻间隔物(61)对应位于第一色阻块(42)上方，所述次光阻间隔物(62)对应位于第二色阻块(43)上方；所述过孔(V)被TFT(T)的漏极(D)完全遮挡；步骤S5、在所述一体式的主光阻间隔物(61)、次光阻间隔物(62)及黑色矩阵(63)上沉积覆盖透明导电薄膜并进行图案化处理，形成像素电极(71)与公共电极(72)，所述像素电极(71)经由所述过孔(V)连接TFT(T)的漏极(D)。2.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S2使用狭缝衍射型光罩对彩色色阻进行图案化处理。3.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S2沉积的彩色色阻包括红色色阻(R)、绿色色阻(G)与蓝色色阻(B)。4.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述透明导电薄膜的材料为氧化铟锡。5.如权利要求1所述的TFT基板的...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶岩溪，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44