阵列基板、面板制造技术

技术编号:41525412 阅读:26 留言:0更新日期:2024-06-03 22:59
本申请实施例公开了一种阵列基板、面板,该阵列基板包括依次设置的衬底、第一金属层、绝缘层、第二金属层,第一金属层包括第一电极,第二金属层包括第二电极,在膜厚方向上,第二电极与第一电极至少部分重叠设置,阵列基板还包括第一补偿电极,第一补偿电极设置于第二金属层远离衬底的一侧,一第一补偿电极与一第一电极电连接,在膜厚方向上,第一补偿电极与第二电极至少部分重叠设置;通过第一补偿电极与第二电极在膜厚方向上至少部分重叠设置形成补偿电容,增大了第一电极与第二电极之间的存储电容,缓解了现有阵列基板存在存储电容小的技术问题。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及显示,具体涉及一种阵列基板、面板


技术介绍

1、现阶段由于背板技术限制,其空间分辨率的进一步发展被限制。如何实现小像素,高ppi是一种挑战;面板在光线照射下产生的光电荷较多,为了实现小像素、高ppi,例如:通过1t1c架构进行读取时,其存储电容较小,无法容纳所有电荷,导致读出系统不匹配。

2、因此,现有面板存在存储电容小的技术问题。


技术实现思路

1、本申请实施例提供一种阵列基板、面板,可以缓解现有面板存在存储电容小的技术问题。

2、本申请实施例提供一种阵列基板,包括:

3、衬底;

4、第一金属层,所述第一金属层设置于所述衬底上方,所述第一金属层包括第一电极;

5、绝缘层,所述绝缘层设置于所述第一金属层远离所述衬底的一侧;

6、第二金属层,所述第二金属层设置于所述绝缘层远离所述衬底的一侧,所述第二金属层包括第二电极,在膜厚方向上,所述第二电极与所述第一电极至少部分重叠设置形成存储电容;

7、其中,所述阵列基板还包括本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种阵列基板,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一金属层为栅极层,所述第二金属层为源漏极层,所述栅极层包括相互绝缘设置的栅极、公共电极,所述源漏极层包括相互绝缘设置的源极、漏极,其中,所述第一电极为所述公共电极,所述第二电极为所述漏极。

3.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括第二补偿金属层,所述第二补偿金属层包括至少一第二补偿电极,所述第二补偿电极与所述漏极电连接,在膜厚方向上,所述第二补偿电极与所述第一补偿电极至少部分重叠设置。

4.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还...

【技术特征摘要】

1.一种阵列基板,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一金属层为栅极层,所述第二金属层为源漏极层,所述栅极层包括相互绝缘设置的栅极、公共电极,所述源漏极层包括相互绝缘设置的源极、漏极,其中,所述第一电极为所述公共电极,所述第二电极为所述漏极。

3.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括第二补偿金属层,所述第二补偿金属层包括至少一第二补偿电极,所述第二补偿电极与所述漏极电连接,在膜厚方向上,所述第二补偿电极与所述第一补偿电极至少部分重叠设置。

4.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括栅绝缘层、有源层、第一钝化层、第二钝化层,所述栅绝缘层设置于所述栅极层远离所述衬底的一侧,所述有源层设置于所述栅绝缘层远离所述衬底的一侧,所述源漏极层设置于所述有源层远离所述衬底的一侧,所述第一钝化层设置于所述源漏极层远离所述衬底的一侧,所述第一补偿金属层设置于所述第一钝化层远离所述衬底的一侧,所述第二钝化层设置于所述第一补偿金属层远离所述衬底的一侧,所述第二补偿金属层设置于所述第二钝化层远离所述衬底的一侧,其中,所述第一补偿电极通过一贯穿所述栅绝缘层、所述第一钝化层的第一过孔与所述公共电极连接,所述第二补偿电极通过一贯穿所述第一钝化层、所述第二钝化层的第二过孔与所述漏极连接。

5.如权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述第一补偿电极与所述公共电极的制备材料相同,所述第二补偿电极与所述漏极的制备材...

【专利技术属性】
技术研发人员:陆志涛
申请(专利权)人:深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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