【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示,具体涉及一种阵列基板、面板。
技术介绍
1、现阶段由于背板技术限制,其空间分辨率的进一步发展被限制。如何实现小像素,高ppi是一种挑战;面板在光线照射下产生的光电荷较多,为了实现小像素、高ppi,例如:通过1t1c架构进行读取时,其存储电容较小,无法容纳所有电荷,导致读出系统不匹配。
2、因此,现有面板存在存储电容小的技术问题。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种阵列基板、面板,可以缓解现有面板存在存储电容小的技术问题。
2、本申请实施例提供一种阵列基板,包括:
3、衬底;
4、第一金属层,所述第一金属层设置于所述衬底上方,所述第一金属层包括第一电极;
5、绝缘层,所述绝缘层设置于所述第一金属层远离所述衬底的一侧;
6、第二金属层,所述第二金属层设置于所述绝缘层远离所述衬底的一侧,所述第二金属层包括第二电极,在膜厚方向上,所述第二电极与所述第一电极至少部分重叠设置形成存储电容;
7、其中
...【技术保护点】
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一金属层为栅极层,所述第二金属层为源漏极层,所述栅极层包括相互绝缘设置的栅极、公共电极,所述源漏极层包括相互绝缘设置的源极、漏极,其中,所述第一电极为所述公共电极,所述第二电极为所述漏极。
3.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括第二补偿金属层,所述第二补偿金属层包括至少一第二补偿电极,所述第二补偿电极与所述漏极电连接,在膜厚方向上,所述第二补偿电极与所述第一补偿电极至少部分重叠设置。
4.如权利要求3所述的阵列基板,其特征
...【技术特征摘要】
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一金属层为栅极层,所述第二金属层为源漏极层,所述栅极层包括相互绝缘设置的栅极、公共电极,所述源漏极层包括相互绝缘设置的源极、漏极,其中,所述第一电极为所述公共电极,所述第二电极为所述漏极。
3.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括第二补偿金属层,所述第二补偿金属层包括至少一第二补偿电极,所述第二补偿电极与所述漏极电连接,在膜厚方向上,所述第二补偿电极与所述第一补偿电极至少部分重叠设置。
4.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括栅绝缘层、有源层、第一钝化层、第二钝化层,所述栅绝缘层设置于所述栅极层远离所述衬底的一侧,所述有源层设置于所述栅绝缘层远离所述衬底的一侧,所述源漏极层设置于所述有源层远离所述衬底的一侧,所述第一钝化层设置于所述源漏极层远离所述衬底的一侧,所述第一补偿金属层设置于所述第一钝化层远离所述衬底的一侧,所述第二钝化层设置于所述第一补偿金属层远离所述衬底的一侧,所述第二补偿金属层设置于所述第二钝化层远离所述衬底的一侧,其中,所述第一补偿电极通过一贯穿所述栅绝缘层、所述第一钝化层的第一过孔与所述公共电极连接,所述第二补偿电极通过一贯穿所述第一钝化层、所述第二钝化层的第二过孔与所述漏极连接。
5.如权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述第一补偿电极与所述公共电极的制备材料相同,所述第二补偿电极与所述漏极的制备材...
【专利技术属性】
技术研发人员:陆志涛,
申请(专利权)人:深圳市华星光电半导体显示技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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