氧化物透明导电膜、光电转换元件以及光电转换元件的制造方法技术

本发明专利技术的课题是提供一种光电转换元件，其是使用工业上有价值的在线式溅射法来使其具有的透明电极能发挥含钛的氧化铟膜具有的直至近红外区的透过率较高且导电性优良的特性。本发明专利技术的解決方法是通过在线式溅射法将由氧化铟或以氧化铟为主成分且以Sn/(In+Sn)的原子数比计含有19原子％以下比例的锡的含锡的氧化铟构成的第一氧化物透明导电膜(8)形成在光电转换层(7)侧，并在第一氧化物透明导电膜(8)上将由以氧化铟为主成分且以Ti/(In+Ti)的原子数比计含有0.5原子％～3.5原子％比例的钛的含钛的氧化铟构成的第二氧化物透明导电膜(9)形成在与光电转换层(7)不同的侧。将具有第一氧化物透明导电膜(8)和第二氧化物透明导电膜(9)的本发明专利技术的氧化物透明导电层积膜(10)作为光电转换元件的透明电极(12)发挥功能。

The manufacturing method of oxide transparent conductive film, photoelectric conversion element and photoelectric conversion element

The subject of the invention is to provide a photoelectric conversion element, which uses the industrial valuable online sputtering method to make the transparent electrode with titanium has the characteristics of high transmittance until the near-infrared region and high conductivity. The solution of the invention is through on-line sputtering by indium oxide or indium oxide and the main component in Sn/ (In+Sn) first oxide tin indium oxide atomic number contains 19 atomic% or less than the proportion of the tin is composed of transparent conductive film (8) formed on the photoelectric conversion layer (7) in the first side, and a transparent conductive oxide film (8), by using Ti/ as main component of indium oxide (In+Ti) and the ratio of atomic number contains 0.5 atomic% to second titanium containing indium oxide 3.5 atomic% the proportion of titanium is composed of transparent conductive film (9) formed on the photoelectric conversion layer (7) different side. Having a first transparent conductive oxide film (8) and the second transparent conductive film (9) of the transparent conductive oxide laminated film (10) as the transparent electrodes of the photoelectric conversion element (12) function.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】氧化物透明导电膜、光电转换元件以及光电转换元件的制造方法
本专利技术涉及光电转换元件、用作该光电转换元件的透明电极的氧化物透明导电膜、以及包含由该氧化物透明导电膜构成的透明电极的光电转换元件的制造方法。
技术介绍
透明导电膜因为具有高导电性和在可见光区域的高的光透过率，所以被利用为各种各样的光电转换元件的透明电极，如包括太阳能电池、液晶显示元件、其他的各种受光元件。另外，透明导电膜因为具有在近红外区内的优异的反射吸收特性，所以还被利用为用于车辆、建筑物的窗户玻璃等的热线反射膜、各种防带电膜、冷冻陈列柜等的防雾用透明发热体。作为此种透明导电膜的材料，一般使用含锑、氟等作为掺杂剂的氧化锡(SnO2)；含有铝、镓、铟、锡等作为掺杂剂的氧化锌(ZnO)；含有锡、钨、钛等作为掺杂剂的氧化铟(In2O3)等。特别是，含有锡作为掺杂剂的氧化铟(ITO)膜因其易于得到低电阻的透明导电膜，所以在工业上被广泛使用。作为此种氧化物透明导电膜的制造方法，使用溅射法(sputtering)、蒸镀法、离子镀法、涂布透明导电层形成用涂敷液的方法等。溅射法和离子镀法，对于用蒸汽压低的材料在基板等被成膜物质上形成膜的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氧化物透明导电膜，其是在至少具有光电转换层和透明电极的光电转换元件中作为所述透明电极来使用的氧化物透明导电膜，其中，该氧化物透明导电膜由具有第一氧化物透明导电膜和第二氧化物透明导电膜的层积膜构成；所述第一氧化物透明导电膜，由氧化铟或以氧化铟为主成分且以Sn/(In+Sn)的原子数比计含有19原子％以下比例的锡的含锡的氧化铟构成，并且形成在所述光电转换层侧；所述第二氧化物透明导电膜，由以氧化铟为主成分且以Ti/(In+Ti)的原子数比计含有0.5原子％～3.5原子％比例的钛的含钛的氧化铟构成，并且层积在第一氧化物透明导电膜上，并且，形成在与所述光电转换层不同的侧。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.06.26 JP 2015-1287261.一种氧化物透明导电膜，其是在至少具有光电转换层和透明电极的光电转换元件中作为所述透明电极来使用的氧化物透明导电膜，其中，该氧化物透明导电膜由具有第一氧化物透明导电膜和第二氧化物透明导电膜的层积膜构成；所述第一氧化物透明导电膜，由氧化铟或以氧化铟为主成分且以Sn/(In+Sn)的原子数比计含有19原子％以下比例的锡的含锡的氧化铟构成，并且形成在所述光电转换层侧；所述第二氧化物透明导电膜，由以氧化铟为主成分且以Ti/(In+Ti)的原子数比计含有0.5原子％～3.5原子％比例的钛的含钛的氧化铟构成，并且层积在第一氧化物透明导电膜上，并且，形成在与所述光电转换层不同的侧。2.根据权利要求1所述的氧化物透明导电膜，其中，第一氧化物透明导电膜的膜厚位于3nm～60nm的范围，并且，所述层积膜整体的膜厚位于70nm～140nm的范围。3.根据权利要求1或2所述的氧化物透明导电膜，其中，第一氧化物透明导电膜和第二氧化物透明导电膜的任一者都是结晶膜。4.根据权利要求1至3中任一项所述的氧化物透明导电膜，其中，第一氧化物透明导电膜和第二氧化物透明导电膜通过溅射法形成。5.根据权利要求4所述的氧化物透明导电膜，其中，所述溅射法是在线式溅射法。6.一种光电转换元件，其中，其至少具有光电转换层和透明电极，作为该透明电极使用了权利要求1至5中任一项所述的氧化物透明导电膜。7.根据权利要求6所述的光电转换元件，其中，在所述光电转换层中使用了硅系半导体或化合物半导体。8.一种光电转换元件的制造方法，其是至少...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿部能之，山野边康德，和气理一郎，桑原正和，
申请(专利权)人：住友金属矿山株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP