高分子极化膜及电子器件制造技术

本发明专利技术涉及薄膜技术领域，具体涉及一种高分子极化膜及电子器件。本发明专利技术的高分子极化膜内部晶相包括α相和β相，其中β相的含量为60～70％。该高分子极化膜具有较强的压电效应和较长的使用寿命。本发明专利技术还提供一种电子器件，其包括基底以及上述的高分子极化膜。

Polymer polarizing film and electronic devices

The invention relates to the field of film technology, in particular to a polymer polarizing film and an electronic device. The internal crystalline phase of the polymer polarizing film consists of an alpha phase and a beta phase, in which the content of the beta phase is 60 to 70%. The polymer polarizing film has strong piezoelectric effect and long service life. The invention also provides an electronic device including a substrate and a polymer polarizing film.

【技术实现步骤摘要】
高分子极化膜及电子器件
本专利技术涉及薄膜
，具体涉及一种极化膜及电子器件。
技术介绍
极化是薄膜材料处理中的一个重要环节，主要目的是使薄膜材料中杂乱取向的分子偶极矩沿着特定方向(如极化电场方向)一致取向，从而使该薄膜材料具有压电性能。薄膜极化通常直接将薄膜材料置于电极之间，利用电极产生的高压电场完成极化，这种方法非常容易将薄膜材料击穿。特别有些高分子薄膜材料是直接形成在电子器件表面，在高压电场直接极化还容易因为薄膜材料击穿而导致整个电子器件的损坏，所以成本昂贵。而且由于整个极化方法生产合格率较低，基本不能大规模生产。
技术实现思路
为克服现有薄膜极化生产合格率较低的技术问题，本专利技术提供一种高分子极化膜及电子器件。本专利技术为解决上述技术问题的一技术方案是提供一种高分子极化膜，所述高分子极化膜内部晶相包括α相和β相，其中β相的含量为60～70％。优选地，所述高分子极化膜的厚度小于30um。优选地，所述高分子极化膜的厚度小于9um。优选地，所述高分子极化膜为铁电聚合物薄膜。优选地，所述高分子极化膜为PVDF膜或PVDF-TrFE膜或PMMA膜或TEFLON膜。优选地，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高分子极化膜，其特征在于：所述高分子极化膜内部晶相包括α相和β相，其中β相的含量为60～70％。

【技术特征摘要】
1.一种高分子极化膜，其特征在于：所述高分子极化膜内部晶相包括α相和β相，其中β相的含量为60～70％。2.如权利要求1所述的高分子极化膜，其特征在于：所述高分子极化膜的厚度小于30um。3.如权利要求1所述的高分子极化膜，其特征在于：所述高分子极化膜的厚度小于9um。4.如权利要求1所述的高分子极化膜，其特征在于：所述高分子极化膜为铁电聚合物薄膜。5.如权利要求1所述的高分子极化膜，其特征在于：所述高分子极化膜为PVDF膜或PVDF-TrFE膜或PMMA膜或T...

【专利技术属性】
技术研发人员：王开安，
申请(专利权)人：王开安，
类型：发明
国别省市：美国,US