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本发明涉及薄膜技术领域，具体涉及一种高分子极化膜及电子器件。本发明的高分子极化膜内部晶相包括α相和β相，其中β相的含量为60～70％。该高分子极化膜具有较强的压电效应和较长的使用寿命。本发明还提供一种电子器件，其包括基底以及上述的高分子极化...
该专利属于王开安所有，仅供学习研究参考，未经过王开安授权不得商用。

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