王开安专利技术

王开安共有19项专利

  • 本发明涉及提供一种薄膜极化承载组件,其用于实现在薄膜极化过程中对压电器件进行承载以对压电器件中所包含的薄膜进行极化,其包括基座及至少一定位装置,所述基座上形成有用于放置压电器件的放置区域以及形成在放置区域边缘的定位孔,所述定位装置可转动...
  • 本实用新型涉及薄膜技术领域,尤其涉及一种承载组件和高分子薄膜极化装置。本实用新型的承载组件包括导电载板、掩板和定位件,所述导电载板包括收纳区域以及非收纳区域,收纳区域用于承载高分子薄膜器件,所述载板非收纳区域上开设有定位孔,所述定位件收...
  • 薄膜极化过程中的定位装置、薄膜极化承载组件及其设备
    本实用新型涉及提供一种薄膜极化过程中的定位装置,其用于对包含有薄膜的压电器件定位以避免薄膜在极化过程中移位,所述定位装置与压电器件分体设置并可相对所述压电器件转动,所述定位装置转动行程中包括一抵接位置和一分离位置,所述定位装置转动至所述...
  • 承载组件和高分子薄膜极化装置
    本实用新型涉及薄膜技术领域,尤其涉及一种承载组件和高分子薄膜极化装置。本实用新型的承载组件包括金属载板、掩板,所述金属载板接地设置,用于承载高分子薄膜器件,所述掩板与金属载板活动连接,并可与金属载板盖合,所述掩板上开设开口以与金属载板盖...
  • 高分子薄膜极化方法、承载组件和高分子薄膜极化装置
    本发明涉及薄膜技术领域,尤其涉及一种高分子薄膜极化的方法、承载组件和高分子薄膜极化装置。本发明的高分子薄膜极化方法通过将高分子薄膜靠近不导电基底的表面与载板电性连接,在极化过程中,高分子薄膜上产生的极化电流会通过载板流出,防止高分子薄膜...
  • 高分子极化膜及电子器件
    本发明涉及薄膜技术领域,具体涉及一种高分子极化膜及电子器件。本发明的高分子极化膜内部晶相包括α相和β相,其中β相的含量为60~70%。该高分子极化膜具有较强的压电效应和较长的使用寿命。本发明还提供一种电子器件,其包括基底以及上述的高分子...
  • 超声波指纹识别模组、超声波指纹识别器件及电子设备
    本实用新型涉及指纹识别技术领域,特别涉及一种超声波指纹识别器件、超声波指纹识别模组及电子设备,对应一显示面板的部分或者全部非显示区,本实用新型提供的一种超声波指纹识别模组,其包括一基体及至少一压电层,所述压电层位于所述基体的一面,所述压...
  • 电子器件及电子产品
    本实用新型提供一种电子器件,其包括显示模组和指纹识别模组,所述显示模组包括相对的第一侧面和第二侧面,所述第一侧面为显示面,第一侧面包括显示区域和非显示区域,所述指纹识别模组为超声波指纹识别模组,该指纹识别模组位于所述显示模组的第二侧面,...
  • 超声波指纹识别组件电极图案的制备方法
    本发明涉及指纹识别技术领域,具体涉及一种超声波指纹识别组件电极图案的制备方法,其包括提供原位极化膜,采用具有设定图案的金属掩模板,在极化膜远离基板一面上形成电极图案层。通过采用具有设定图案的金属掩模板,在极化膜上形成电极图案层,从而省去...
  • 超声波指纹识别模组、超声波指纹识别器件及电子设备
    本发明涉及指纹识别技术领域,特别涉及一种超声波指纹识别器件、超声波指纹识别模组及电子设备,对应一显示面板的部分或者全部非显示区,本发明提供的一种超声波指纹识别模组,其包括一基体及至少一压电层,所述压电层位于所述基体的一面,所述压电层为原...
  • 高分子薄膜极化装置
    本实用新型涉及薄膜技术领域,具体涉及一种高分子薄膜极化装置。一种高分子薄膜极化装置,用于对原位形成在基底上的高分子薄膜进行极化,其包括X射线发生器、电场组件、物品承载台和第二电势控制器;采用X射线发生器提供X射线,物品承载台上方的环境气...
  • 磁控溅射镀膜源及其装置
    本实用新型涉及材料沉积技术领域,具体涉及磁控溅射镀膜源及其装置。磁控溅射镀膜源包括相对设置的位于工件同侧的柱形第一镀膜组件,第二镀膜组件和分别设置于其内部的磁力产生件,所述第一镀膜组件中心轴线与第二镀膜组件中心轴线平行且相对于工件等高,...
  • 电子器件及电子产品
    本发明提供一种电子器件,其包括显示模组和指纹识别模组,所述显示模组包括相对的第一侧面和第二侧面,所述第一侧面为显示面,第一侧面包括显示区域和非显示区域,所述指纹识别模组为超声波指纹识别模组,该指纹识别模组位于所述显示模组的第二侧面,且部...
  • 超声波指纹识别组件及制备方法、电子装置
    本发明涉及指纹识别技术领域,具体涉及超声波指纹识别组件及制备方法、电子装置。所述超声波指纹识别组件的制备方法包括在基板上形成高分子薄膜,并将高分子薄膜晶化及原位极化形成极化膜,在极化膜远离基板一面上通过金属掩模板形成电极图案层。本发明还...
  • 高分子薄膜极化系统
    本发明提供一种高分子薄膜极化系统,用于极化高分子薄膜,所述高分子薄膜极化系统包括多个高分子薄膜极化装置;所述高分子薄膜极化装置包括电场组件和物品承载台;该物品承载台上方的环境气体可被高压电极端电离并在该电场组件形成的电场下移动并聚集在所...
  • 高分子薄膜极化方法、极化膜及电子器件
    一种高分子薄膜极化方法,在第一电场的作用下电离待极化高分子薄膜上方的环境气体,该环境气体穿过所述第二电场而聚集在高分子薄膜第二表面,使高分子薄膜内形成沿薄膜厚度方向的膜内电场,对所述高分子薄膜进行极化。该高分子薄膜极化方法能避免高分子薄...
  • 磁控溅射镀膜源及其装置与方法
    本发明涉及材料沉积技术领域,具体涉及磁控溅射镀膜源及其装置与方法。磁控溅射镀膜源包括一对可旋转的镀膜组件。每一镀膜组件包括溅射靶座和溅射靶座内部设置磁力产生件。在每一镀膜组件内的磁力产生件朝向镀膜组件中心轴线的极性相同,不同镀膜组件内磁...
  • 高分子薄膜极化方法及装置、极化膜、电子器件
    本发明涉及高分子薄膜极化方法及装置、极化膜、电子器件。一种高分子薄膜极化方法及装置,利用X射线电离待极化高分子薄膜上方的环境气体并在所述高电场作用下,穿过所述低电场而沉积在所述高分子薄膜表面,使所述高分子薄膜内形成沿所述薄膜厚度方向的膜...
  • 高分子薄膜极化装置
    本发明提供一种高分子薄膜极化装置,用于极化高分子薄膜,高分子薄膜极化装置包括电场组件和物品承载台;物品承载台用于承载待极化高分子薄膜,所述物品承载台接地并使该待极化高分子薄膜的第一表面电势为零;该电场组件包括一高压电极端和一低压电极端;...
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