一种内置触发放电管的塑封可控硅制造技术

本实用新型专利技术公开了一种内置触发放电管的塑封可控硅，包括引线框架的底板、可控硅芯片、可控硅芯片的门极、引线框架的门极引出端、放电管芯片、铝内引线，可控硅芯片通过焊料置于引线框架的底板居中位置上，放电管芯片通过焊料置于引线框架的门极引出端居中位置，放电管芯片通过铝内引线与可控硅芯片的门极相连接，可控硅芯片的门极位于可控硅芯片右下角。本实用新型专利技术可以使可控硅的触发角很小，从而提高可控硅的输出效率，可以形成可控硅的强触发，加快可控硅的开通时间，减少可控硅在开通时段的发热，对应用电路中的触发电容取值越小，触发角越小，器件在到达转折电压时。

Plastic sealed silicon controlled silicon with a built-in trigger tube

The utility model discloses a built-in trigger controlled silicon plastic tube, which comprises a lead frame plate, silicon chip, silicon chip gate, the gate terminal of the lead frame, the discharge tube chip, aluminum wire, silicon chip solder in lead frame plate through the middle position. The chip discharge tube through solder on the lead frame gate terminal center position, chip discharge tube connected by a door aluminum and silicon controlled wire electrode chip, silicon chip gate is located in the lower right corner of the controllable silicon chip. The utility model can make the SCR trigger angle is small, so as to improve the output efficiency of silicon controlled rectifier, thyristor trigger can form strong, accelerate the thyristor turn-on time, reduce SCR in the heating opening period, the application circuit of the trigger capacitor value is small, the trigger angle is small, the device in the reach the turning voltage.

【技术实现步骤摘要】
一种内置触发放电管的塑封可控硅
本技术涉及可控硅的特殊塑料封装内容，特别涉及一种内置触发放电管的塑封可控硅。
技术介绍
目前我国的半导体塑封可控硅器件，其典型的封装形式是将可控硅芯片直接封入塑封体内，形成独立的可控硅器件，在使用时再在外电路中接入触发电路，对于中小型可控硅来说，其典型的触发电路是用电阻与电容分压后将分得的电压上接上一个双向触发二极管DB3，来触发可控硅的门极。这种触发方式，虽然电路简单、比较稳定可靠，可以形成强触发，对可控硅的开通时间的缩短有好处。但是因为这种触发方式必须要在电容充电到28—36V时（典型值为32V）DB3才可以触发，所以用这种形式的触发电路其触发角不可能做的很小，且这种触发器件所提供的触发电流受一定的限制。另外一种用两个发光管正反向并联来触发可控硅的电路，在这个电路里因为发光管的正向开通电压一般是2.8-3.5V，所以可控硅的触发角比DB3小了很多，并且可以对可控硅的开通可以有光照的指示功能，但是，用发光管的正向触发，开始的触发电流比较小，会造成可控硅开通时间延长，在触发时段里发热。
技术实现思路
为了解决上述问题，本技术提供一种内置触发放电管的塑封可控硅。本技术提供的技术方案：一种内置触发放电管的塑封可控硅，包括引线框架的底板、可控硅芯片、可控硅芯片的门极、引线框架的门极引出端、放电管芯片、铝内引线，其特征在于：可控硅芯片通过焊料置于引线框架的底板居中位置上，放电管芯片通过焊料置于引线框架的门极引出端居中位置，放电管芯片通过铝内引线与可控硅芯片的门极相连接，可控硅芯片的门极位于可控硅芯片右下角。进一步地，放电管芯片地面银电极膜的四周覆盖一层绝缘和阻焊的玻璃膜。进一步地，放电管芯片的底面采用了Ti、Ni、Ag三层金属电极层，正面采用Al作为金属电极。一种内置触发放电管的塑封可控硅烧结工艺，包括塑料包封、固化、电镀、切筋、测试、打印工艺过程，烧结步骤：a．使用的框架的引线框架的底板上和引线框架的门极引出端上用自动点胶机点上焊料；b．用半自动上芯机分别将可控硅芯片和放电管芯片上到对应位置的焊料上；c．将装好焊料和可控硅芯片及放电管芯片的框架，按烧结的工艺条件进行烧结，烧结完成后按工艺要求对完成烧结的框架和芯片进行清洗并烘干。本技术的有益之处是：本技术可以使可控硅的触发角很小，从而提高可控硅的输出效率；可以形成可控硅的强触发，加快可控硅的开通时间，减少可控硅在开通时段的发热；对应用电路中的触发电容取值越小，触发角越小，器件在到达转折电压时，马上就由阻断变为导通状态，且双向特性对称较好，承载大脉冲电流的能力比较强，很适合做可控硅的触发器件。附图说明图1为本技术的结构示意图；图2为本技术的主视图；图3为本技术的左视图。其中：1、引线框架的底板，2、可控硅芯片，3、可控硅芯片的门极，4、引线框架的门极引出端，5、放电管芯片，6、铝内引线，7、焊料。具体实施方式为了加深对本技术的理解，下面将结合实施例和附图对本技术做进一步详述。如图1—3所示，一种内置触发放电管的塑封可控硅，包括引线框架的底板1、可控硅芯片2、可控硅芯片的门极3、引线框架的门极引出端4、放电管芯片5、铝内引线6，可控硅芯片2通过焊料7置于引线框架的底板1居中位置上，放电管芯片5通过焊料7置于引线框架的门极3引出端居中位置，放电管芯片5通过铝内引线6与可控硅芯片的门极3相连接，放电管芯片2的底面采用了Ti、Ni、Ag三层金属电极层，正面采用Al作为金属电极，所述放电管芯片5地面银电极膜的四周覆盖一层绝缘和阻焊的玻璃膜。可控硅芯片的门极3位于可控硅芯片2右下角。一种内置触发放电管的塑封可控硅烧结工艺，包括塑料包封、固化、电镀、切筋、测试、打印工艺过程，烧结步骤：a使用的框架的引线框架的底板1上和引线框架的门极3引出端上用自动点胶机点上焊料；b用半自动上芯机分别将可控硅芯片2和放电管芯片5上到对应位置的焊料7上；c将装好焊料7和可控硅芯片2及放电管芯片5的框架，按烧结的工艺条件进行烧结，烧结完成后按工艺要求对完成烧结的框架和芯片进行清洗并烘干。工作原理：本技术主要是将用作触发的低压放电管芯片联接到可控硅的门极3上，低压放电管芯片5的输出特性具有到达一定的电压就会迅速的转换到开通的状态，我们用于可控硅芯片2的触发一般选取VBO为10V左右，这样的可控硅触发电路，由于我们选取的放电管芯片5的VBO值较低，该触发电路可以使可控硅得到比较小的触发角，从而提高可控硅的输出效率。这种触发器件还可以瞬间形成一个较大的触发电流，以强电流触发来加速可控硅的开通时间，减少可控硅在触发时段的发热。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种内置触发放电管的塑封可控硅，包括引线框架的底板、可控硅芯片、可控硅芯片的门极、引线框架的门极引出端、放电管芯片、铝内引线，其特征在于：所述可控硅芯片通过焊料置于引线框架的底板居中位置上，所述放电管芯片通过焊料置于引线框架的门极引出端居中位置，所述放电管芯片通过铝内引线与可控硅芯片的门极相连接，所述可控硅芯片的门极位于可控硅芯片右下角。

【技术特征摘要】
1.一种内置触发放电管的塑封可控硅，包括引线框架的底板、可控硅芯片、可控硅芯片的门极、引线框架的门极引出端、放电管芯片、铝内引线，其特征在于：所述可控硅芯片通过焊料置于引线框架的底板居中位置上，所述放电管芯片通过焊料置于引线框架的门极引出端居中位置，所述放电管芯片通过铝内引线与...

【专利技术属性】
技术研发人员：黎重林，颜呈祥，王成森，王琳，
申请(专利权)人：江苏捷捷微电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32