发光二极管显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种发光二极管显示装置，包括阵列基板、对向基板、多个挡墙结构、至少一发光二极管、上反射层、第一光阻挡层、下反射层以及光扩散材料层。阵列基板、挡墙结构以及对向基板定义出至少一容置区域。发光二极管配置于阵列基板上，而上反射层配置于发光二极管上，其中上反射层在所述阵列基板上的正投影至少部分重叠于发光二极管在所述阵列基板上的正投影。第一光阻挡层配置于上反射层相对远离阵列基板的一侧上。上反射层在阵列基板上的正投影至少部分重叠于下反射层在阵列基板上的正投影。光扩散材料层填充于容置区域内，本发明专利技术的发光二极管显示装置无须预留波长转换材料层的厚度，可使整体结构具有较薄的厚度。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管显示装置
本专利技术涉及一种显示装置，尤其涉及一种发光二极管显示装置。
技术介绍
由于发光二极管显示装置具有主动式发光、高亮度等优势，且相较于有机发光二极管(OLED)显示装置具有较长寿命等优点，因此近年来成为新型显示器大力发展的技术之一。详细来说，发光二极管显示装置主要是由薄膜晶体管阵列基板与阵列排列的发光二极管所组成。目前发光二极管显示装置大都采用直下式设计(Topemitting)，也即在发光二极管的发光面的上方设置波长转换材料层来达成调控发光波长的目的。然而，如果要有较佳的波长转换效率，目前波长转换材料层的厚度至少要大于20微米。此波长转换材料层的厚度不但会增加整体结构的厚度，还会因为整体的结构因堆叠的厚度过高而导致制程难度大幅提高。
技术实现思路
本专利技术是针对一种发光二极管显示装置，其具有较薄的整体厚度。本专利技术的发光二极管显示装置包括阵列基板、对向基板、多个挡墙结构、至少一发光二极管、上反射层、第一光阻挡层、下反射层以及光扩散材料层。对向基板配置于阵列基板的对向。多个挡墙结构设置于阵列基板与对向基板之间。阵列基板、多个挡墙结构以及对向基板定义出至少一容置区域。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管显示装置，其特征在于，包括：阵列基板；对向基板，配置于所述阵列基板的对向；多个挡墙结构，设置于所述阵列基板与所述对向基板之间，其中所述阵列基板、所述多个挡墙结构以及所述对向基板定义出至少一容置区域；至少一发光二极管，配置于所述阵列基板上，且位于所述至少一容置区域内；上反射层，配置于所述至少一发光二极管与所述对向基板之间，其中所述上反射层在所述阵列基板上的正投影至少部分重叠于所述至少一发光二极管在所述阵列基板上的正投影；第一光阻挡层，配置于所述上反射层与所述对向基板之间；下反射层，配置于所述阵列基板上，且位于所述至少一容置区域内，其中所述上反射层在所述阵列基板上的正投影至少部分重叠...

【技术特征摘要】
2016.06.30 CN 20161050756811.一种发光二极管显示装置，其特征在于，包括：阵列基板；对向基板，配置于所述阵列基板的对向；多个挡墙结构，设置于所述阵列基板与所述对向基板之间，其中所述阵列基板、所述多个挡墙结构以及所述对向基板定义出至少一容置区域；至少一发光二极管，配置于所述阵列基板上，且位于所述至少一容置区域内；上反射层，配置于所述至少一发光二极管与所述对向基板之间，其中所述上反射层在所述阵列基板上的正投影至少部分重叠于所述至少一发光二极管在所述阵列基板上的正投影；第一光阻挡层，配置于所述上反射层与所述对向基板之间；下反射层，配置于所述阵列基板上，且位于所述至少一容置区域内，其中所述上反射层在所述阵列基板上的正投影至少部分重叠于所述下反射层在所述阵列基板上的正投影；以及光扩散材料层，填充于所述至少一容置区域内。2.根据权利要求1所述的发光二极管显示装置，其特征在于，所述光扩散材料层包括量子点材料层或磷光粉材料层。3.根据权利要求1所述的发光二极管显示装置，其特征在于，所述第一光阻挡层为光吸收层，其中至少部分所述光扩散材料层还与所述光吸收层重叠。4.根据权利要求1所述的发光二极管显示装置，其特征在于，至少部分所述光扩散材料层与所述上反射层不重叠，以形成第一出光区域。...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭书铭，谢志勇，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71