一种硅单晶炉制造技术

本发明专利技术公开一种硅单晶炉，包括炉体，所述炉体的一侧设置有抽真空口，炉体内位于其下部设置有保温筒，所述保温筒内设置有石墨钳锅，所述石墨钳锅的外侧设置有加热器，所述加热器与电极相连，所述石墨钳锅内设置有石英钳锅，保温筒内位于石英钳锅的上部设置有导流筒，炉体内位于导流筒的上部设置有冷却筒，所述冷却筒设置有夹层，所述夹层内通有循环冷却水。所述一种硅单晶炉通过在导流筒的上部增设冷却筒，起到加速冷却硅单晶的作用，进而可以提高硅单晶向上提拉的速度，从而提高生产效率，结构简单、易于实现。

【技术实现步骤摘要】
一种硅单晶炉
本专利技术涉及光伏领域，尤其涉及一种硅单晶炉。
技术介绍
单晶硅作为一种半导体材料，一般用于制造集成电路和其他电子元件，目前单晶硅的生长技术有两种：区熔法和直拉法，其中直拉法是目前普遍采用的方法。在直拉法制造单晶硅时，要将多晶料置于石英坩埚中，经过高温加热使其熔化，然后籽晶由顶部降下至熔化的多晶硅中，通过控制液面的温度，使熔化的多晶硅在籽晶周围重新结晶，生成排列整齐的单晶硅棒。目前，硅单晶炉在生产过程中，由于冷却结晶速度较慢，由此，向上提拉硅单晶的速度不能过快，从而大大影响了生产效率，由此，急需解决。
技术实现思路
本专利技术的目的在于针对上述问题，提供一种硅单晶炉，以解决现有硅单晶炉生产效率低的问题。本专利技术的目的是通过以下技术方案来实现：一种硅单晶炉，包括炉体，所述炉体的一侧设置有抽真空口，炉体内位于其下部设置有保温筒，所述保温筒内设置有石墨钳锅，所述石墨钳锅的外侧设置有加热器，所述加热器与电极相连，所述石墨钳锅内设置有石英钳锅，保温筒内位于石英钳锅的上部设置有导流筒，炉体内位于导流筒的上部设置有冷却筒，所述冷却筒设置有夹层，所述夹层内通有循环冷却水。作为本专利技术的一种优选方案，所述保温筒与炉体之间设置有保温材料。作为本专利技术的一种优选方案，所述保温材料为保温毡。本专利技术的有益效果为，所述一种硅单晶炉通过在导流筒的上部增设冷却筒，起到加速冷却硅单晶的作用，进而可以提高硅单晶向上提拉的速度，从而提高生产效率，结构简单、易于实现。附图说明图1为本专利技术一种硅单晶炉的结构示意图。图中:1、炉体；2、抽真空口；3、保温筒；4、保温毡；5、托架；6、石墨钳锅；7、加热器；8、电极；9、石英钳锅；10、导流筒；11、冷却筒。具体实施方式下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本专利技术的技术方案。可以理解的是，此处所描述的实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。请参照图1所示，图1为本专利技术一种硅单晶炉的结构示意图。于本实施例中，一种硅单晶炉，包括炉体，所述炉体的一侧设置有抽真空口，炉体内位于其下部设置有保温筒，所述保温筒与炉体之间设置有保温毡，所述保温筒内通过托架设置有石墨钳锅，所述石墨钳锅的外侧设置有加热器，所述加热器与电极相连，所述石墨钳锅内设置有石英钳锅，保温筒内位于石英钳锅的上部设置有导流筒，炉体内位于导流筒的上部设置有冷却筒，所述冷却筒设置有夹层，所述夹层内通有循环冷却水。上述一种硅单晶炉通过在导流筒的上部增设冷却筒，起到加速冷却硅单晶的作用，进而可以提高硅单晶向上提拉的速度，从而提高生产效率，结构简单、易于实现。以上实施例只是阐述了本专利技术的基本原理和特性，本专利技术不受上述实施例限制，在不脱离本专利技术精神和范围的前提下，本专利技术还有各种变化和改变，这些变化和改变都落入要求保护的本专利技术范围内。本专利技术要求保护范围由所附的权利要求书界定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅单晶炉，其特征在于：包括炉体，所述炉体的一侧设置有抽真空口，炉体内位于其下部设置有保温筒，所述保温筒内设置有石墨钳锅，所述石墨钳锅的外侧设置有加热器，所述加热器与电极相连，所述石墨钳锅内设置有石英钳锅，保温筒内位于石英钳锅的上部设置有导流筒，炉体内位于导流筒的上部设置有冷却筒，所述冷却筒设置有夹层，所述夹层内通有循环冷却水。

【技术特征摘要】
1.一种硅单晶炉，其特征在于：包括炉体，所述炉体的一侧设置有抽真空口，炉体内位于其下部设置有保温筒，所述保温筒内设置有石墨钳锅，所述石墨钳锅的外侧设置有加热器，所述加热器与电极相连，所述石墨钳锅内设置有石英钳锅，保温筒内位于石英钳锅的上部设置有导...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔敏娟，
申请(专利权)人：崔敏娟，
类型：发明
国别省市：江苏,32