单晶炉制造技术

本实用新型专利技术公开了一种能够提高生产效率的单晶炉。该单晶炉包括炉体，所述炉体内部设有石墨坩埚，所述石墨坩埚底部通过坩埚轴与炉体底部相固定，所述石墨坩埚内设有石英坩埚，石墨坩埚外侧设置有侧部加热器，所述炉体侧壁上设置有抽气孔，所述石墨坩埚的底部设置有底部加热器，所述底部加热器与侧部加热器为一体式结构。通过在石墨坩埚的底部设置底部加热器，可以加速多晶硅原料的融化，缩短原料的融化时间，可以大大提高生产效率，同时，利用底部加热器可以对石墨坩埚底部进行温度补偿，避免石墨坩埚底部温度较低造成晶棒生长速度缓慢，为了便于安装和拆卸，所述底部加热器与侧部加热器为一体式结构。适合在单晶生产设备领域推广应用。

【技术实现步骤摘要】
单晶炉
本技术涉及单晶生产设备领域，尤其是一种单晶炉。
技术介绍
21世纪，世界能源危机促进了光伏市场的发展，晶体硅太阳能电池是光伏行业的主导产品。随着世界各国对太阳能光伏产业的进一步重视，特别是发达国家制定了一系列的扶持政策，鼓励开发利用太阳能，另外，随着硅太阳能电池应用面的不断扩大，太阳能电池的需求量越来越大，硅单晶材料的需求量也就越来越大。单晶硅为一种半导体材料，一般用于制造集成电路和其他电子元件，单晶硅生长技术有两种：一种是区熔法，另一种是直拉法，其中直拉法是目前普遍采用的方法。直拉法生长单晶硅的方法如下：将高纯度的多晶硅原料放入单晶炉的石英坩埚内，然后在低真空以及惰性气体的保护下加热熔化，把一支有着特定生长方向的单晶硅(也叫做籽晶)装入籽晶夹持装置中，并使籽晶与硅溶液接触，调整熔融硅溶液的温度，使其接近熔点温度，接着使籽晶自上而下伸入熔融的硅溶液中并旋转，然后缓缓上提籽晶，此时，单晶硅进入锥体部分的生长，当锥体的直径接近目标直径时，提高籽晶的提升速度，使单晶硅体直径不再增大而进入晶体的中部生长阶段，在单晶硅体生长接近结束时，再提高籽晶的提升速度，单晶硅体逐渐脱离熔融硅，形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
单晶炉，包括炉体(1)，所述炉体(1)内部设有石墨坩埚(2)，所述石墨坩埚(2)底部通过坩埚轴(3)与炉体(1)底部相固定，所述石墨坩埚(2)内设有石英坩埚(4)，石墨坩埚(2)外侧设置有侧部加热器(5)，所述炉体(1)侧壁上设置有抽气孔(6)，还包括氩气管(7)与氩气源(15)，所述氩气源(15)与氩气管(7)通过进气管(14)相连，所述氩气管(7)的末端穿过炉体(1)伸入到石英坩埚(4)内，其特征在于：所述石墨坩埚(2)的底部设置有底部加热器(11)，所述底部加热器(11)与侧部加热器(5)为一体式结构。

【技术特征摘要】
1.单晶炉，包括炉体(1)，所述炉体(1)内部设有石墨坩埚(2)，所述石墨坩埚(2)底部通过坩埚轴(3)与炉体(1)底部相固定，所述石墨坩埚(2)内设有石英坩埚(4)，石墨坩埚(2)外侧设置有侧部加热器(5)，所述炉体(1)侧壁上设置有抽气孔(6)，还包括氩气管(7)与氩气源(15)，所述氩气源(15)与氩气管(7)通过进气管(14)相连，所述氩气管(7)的末端穿过炉体(1)伸入到石英坩埚(4)内，其特征在于：所述石墨坩埚(2)的底部设置有底部加热器(11)，所述底部加热器(11)与侧部加热器(5)为一体式结构。2.如权利要求1所述的单晶炉，其特征在于：所述进气管(14)上设置有气体预热装置(16)，所述气体预热装置(16)包括密闭的空腔(161)，所述空腔(161)内设置有换热管(162)，所述换热管(162)的两端分别延伸至空腔(161)外并与进气管(14)连通，所述氩气源(15)内的氩气依次沿进气管(14)、换热管(162)、氩气管(7)...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈五奎，刘强，付红霞，黄振华，冯加保，
申请(专利权)人：青海拓日新能源科技有限公司，
类型：新型
国别省市：青海,63