一种单晶炉四抽气口管道系统技术方案

本实用新型专利技术提供了一种单晶炉四抽气口管道系统，包括抽气主管道、第一抽气支管道、第二抽气支管道、第三抽气支管道、第四抽气支管道、第一三通管道、第二三通管道、真空阀、真空泵、下炉室，所述下炉室侧壁上均匀分布有抽气口A、抽气口B、抽气口C及抽气口D，所述抽气主管道上安装有真空阀，所述真空泵安装在抽气主管道末端，所述真空阀用于真空泵的控制。本实用新型专利技术提供的一种四抽气口管道系统，其四个抽气口位于下炉室侧壁，对称分布，旨在确保炉内气流和温度场分布的均匀对称，以改善工艺运行环境，提高晶棒品质。

A four gas suction pipe system for single crystal furnace

The utility model provides a single crystal furnace four suction pipe system, which comprises a main pipe, the first pumping pumping branch pipe, second branch pipes, Third Pumping pumping branch pipeline, fourth pumping gas pipeline, Article 13 and article two or three pipe pipe, vacuum valve, vacuum pump, boiler room the pumping port, A, B, C air suction and exhaust port D evenly distributed on the side wall of the furnace chamber, the exhaust main pipe is installed on the vacuum valve, the vacuum pump is installed at the end of the main pipe pumping, the vacuum valve used to control the vacuum pump. The utility model provides a four air suction pipeline system, and the four suction ports are positioned on the side walls of the lower furnace chamber, which are symmetrically distributed, so as to ensure the uniform and symmetrical distribution of the airflow and temperature fields in the furnace, so as to improve the operation environment and improve the quality of the crystal bar.

【技术实现步骤摘要】
一种单晶炉四抽气口管道系统
本技术涉及单晶硅生产的
，具体涉及一种单晶炉四抽气口管道系统。
技术介绍
直拉法单晶硅生长的原理，在真空腔室中充入惰性气体(氩气)，将多晶硅块料放入石英坩埚后，一并放入真空腔室的石墨热场内，通过石墨电阻加热的方式，将多晶硅块料熔化，在特定温区内，通过晶体传动机构带动籽晶运动，通过坩埚传动机构带动熔液运动，形成晶体的固液交界面，并产生一个适合硅晶体生长的温度场，实现生长成无位错的单晶硅棒。在工艺过程中，充惰性气体(氩气)的同时在管道末端真空泵不断的抽气带走炉内挥发物和结晶潜热，维持炉压和温度平衡。目前行业内的单晶炉抽气管道，大多采用两个抽气口，其位于下炉室的侧部或炉底，而随着行业水平的发展，炉室尺寸越来越大，双抽气口结构使炉室内的气流分布和温度场分布不均匀，炉内的温度梯度也不对称，在远离抽气口的两个位置常常成为挥发物的聚集点，严重影响硅棒品质。
技术实现思路
有鉴于此，本技术的主要目的是提供一种单晶炉四抽气口管道系统。本技术采用的技术方案是：一种单晶炉四抽气口管道系统，包括抽气主管道、第一抽气支管道、第二抽气支管道、第三抽气支管道、第四抽气支管道、第一三通管道本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单晶炉四抽气口管道系统，其特征在于，包括抽气主管道、第一抽气支管道、第二抽气支管道、第三抽气支管道、第四抽气支管道、第一三通管道、第二三通管道、真空阀、真空泵、下炉室，所述下炉室侧壁上均匀分布有抽气口A、抽气口B、抽气口C及抽气口D，所述抽气口A、抽气口B、抽气口C及抽气口D分别与第一抽气支管道、第二抽气支管道、第三抽气支管道及第四抽气支管道任意一一对接，所述第一抽气支管道与第四抽气支管道之间通过第二三通管道连接，该第二三通管道连接至抽气主管道，所述第二抽气支管道和第三抽气支管道通过第一三通管道连接，该第一三通管道连接至抽气主管道，所述抽气主管道上安装有真空阀，所述真空泵安装在抽气主管道末...

【技术特征摘要】
1.一种单晶炉四抽气口管道系统，其特征在于，包括抽气主管道、第一抽气支管道、第二抽气支管道、第三抽气支管道、第四抽气支管道、第一三通管道、第二三通管道、真空阀、真空泵、下炉室，所述下炉室侧壁上均匀分布有抽气口A、抽气口B、抽气口C及抽气口D，所述抽气口A、抽气口B、抽气口C及抽气口D分别与第一抽气支管道、第二抽气支管道、第三抽气支管道及第四抽气支管道任意一一对接，所述第一抽气支管道与第四抽气支管道之间通过第二三通管道连接，该第二三通管道连接至抽气主管道，所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：时刚，周龙，武海军，
申请(专利权)人：西安创联新能源设备有限公司，
类型：新型
国别省市：陕西,61