一种CZ直拉法硅单晶炉副室的清洁装置制造方法及图纸

技术编号:16778515 阅读:26 留言:0更新日期:2017-12-12 23:13
本实用新型专利技术公开了一种CZ直拉法硅单晶炉副室的清洁装置,其特征在于:包括有中空的伸缩套杆,所述伸缩套杆的端部安装有支撑台,所述支撑台的外周边分布有间隔设置的支撑杆,所述支撑杆的端部分别安装有清洁刷头,所述清洁刷头包括有弧形刷头、锥形刷头、平面刷头,所述支撑台的中部安装有与伸缩套杆内孔连通且可转动的中空细杆,所述中空细杆以及伸缩套杆之间贯穿一个细长的软管,所述软管的头部设有多个圆形喷孔。本实用新型专利技术针对副室炉体内壁表面结构设计使用3种形状的弹性刷头更好的清理不同表面的氧化物,每一处清理到位,提高了清炉的效率,其操作方便简单,可以节省操作人员的劳动强度,满足了使用要求。

A cleaning device for the side chamber of a single crystal silicon single crystal furnace with CZ direct drawing

Cleaning device of the utility model discloses a CZ Czochralski silicon single crystal furnace and auxiliary chamber, which is characterized by comprising a telescopic rod hollow, a support installed end of the telescopic rod, the outer peripheral distribution of the support desk support rod arranged at intervals, the end of support bar are respectively provided with a cleaning brush head, the cleaning brush head comprises a curved brush head, a brush head, a brush head conical plane, is connected with the telescopic sleeve rod hole and a rotary hollow rod installed central the support desk, hose between the hollow rod and the telescopic rod penetrates a slender, the hose head is provided with a plurality of circular holes. The utility model for room surface structure design of elastic inner wall of the furnace 3 shape brush better cleaning of different surface oxide, each cleaning in place, improve the efficiency of furnace cleaning, the operation is convenient and simple, can save the labor intensity of the operating personnel, to meet the requirement of use.

【技术实现步骤摘要】
一种CZ直拉法硅单晶炉副室的清洁装置
:本技术涉及机械清洁结构,主要涉及一种CZ直拉法硅单晶炉副室的清洁装置。
技术介绍
:硅单晶炉是一种软轴提拉型单晶炉,在惰性气体的保护环境中,以高纯的石墨电阻加热器,将半导体多晶硅高温融化,用直拉法的方式生长出一种无位错的单晶硅棒。但是单晶硅生长的条件要求十分地苛刻,从原料、热场、控制系统、保护性气体、设备、石英坩埚等等,每一个环节都必须认真地做到位。单晶硅晶体生长是在真空的环境下进行的,这就对真空室的内环境提出了更高的要求。(本次主要针对生长12英寸大单晶炉的副室设计如图1)硅单晶炉的真空环境主要由主炉室、炉盖、副炉室等组成。主炉室的结构是宽大、扁短,空间比较的宽敞,停炉后清理炉内的卫生比较容易简单。对于副炉室的结构特点是深长、空间相对比较狭小。这对于清洁副炉室内壁的卫生比较复杂。对于传统的清理副炉室的方式就是用一根长的杆一端绑上无尘纸然后再喷洒上无水乙醇,这样擦拭内壁人工的劳动量加大,也不方便主要的是清理的不到位、不干净,一些死角清理不到,给下次的生产引入污染,对单晶的生长和晶体的品质带来了不利影响。
技术实现思路
:本技术目的就是解决现有的带有副室门的生长大直径单晶硅的大型CZ直拉法单晶炉的副室清洁中存在的问题,提高清炉的效率,降低操作人员的劳动量,设计出一种CZ直拉法硅单晶炉副室的清洁装置。本技术是通过以下技术方案实现的:一种CZ直拉法硅单晶炉副室的清洁装置,其特征在于:包括有中空的伸缩套杆,所述伸缩套杆的端部安装有支撑台,所述支撑台的外周边分布有间隔设置的支撑杆,所述支撑杆的端部分别安装有清洁刷头,所述清洁刷头包括有弧形刷头、锥形刷头、平面刷头,所述支撑台的中部安装有与伸缩套杆内孔连通且可转动的中空细杆,所述中空细杆以及伸缩套杆之间贯穿一个细长的软管,所述软管的头部设有多个圆形喷孔。所述的清洁刷头分别用一种带有弹性的材料制成,其大小可以让无尘纸摊开后能够包住刷头表面。所述的支撑台为圆形结构,其外周边均布有三个支撑杆,其中一个支撑杆的端部安装有弧形刷头,另一个支撑杆的端部安装有锥形刷头,最后一个支撑杆安装有平面刷头。所述的弧形刷头和平面刷头上分别设有用于绑扎固定无尘纸的凹槽。其特点是:(1)本装置针对副室炉内壁体结构设计有三个不同形状的清洁刷头分别是弧形刷头、锥形刷头、平面刷头,可以更好的清理内壁的弧形面区域、平面区域以及拐角处的氧化物。(2)本装置顶部安装了可以转动的中空细杆,里面贯穿了一根细长的软管可以用来输送底部送来的无水乙醇,软管的头部带有许多圆形喷孔,可以更好的喷射出雾状的液体对高处副室内壁进行喷洒。(3)本装置底部有一个细软管可以用接酒精喷壶喷口,给上部输送无水乙醇。(4)本装置采用鱼竿式可以伸缩的套杆结构可以根据清理的高度自由的伸缩调整。最大长度大约在2米。(5)清洁刷头分别用一种带有弹性的材料制成,大小可以让无尘纸摊开后能够包住刷头表面。弹性材料刷头让刷头和副室不锈钢内壁软性接触,避免刚性接触损伤副室内壁。本技术的优点是:本技术针对副室炉体内壁表面结构设计使用3种形状的弹性刷头更好的清理不同表面的氧化物,每一处清理到位,提高了清炉的效率,其操作方便简单,可以节省操作人员的劳动强度,满足了使用要求。附图说明:图1为本技术的结构示意图。具体实施方式:参见附图。一种CZ直拉法硅单晶炉副室的清洁装置,包括有中空的伸缩套杆1,所述伸缩套杆1的端部安装有支撑台2,所述支撑台2的外周边分布有间隔设置的支撑杆3,所述支撑杆3的端部分别安装有清洁刷头,所述清洁刷头包括有弧形刷头4、锥形刷头5、平面刷头6,所述支撑台2的中部安装有与伸缩套杆1内孔连通且可转动的中空细杆7,所述中空细杆7以及伸缩套杆1之间贯穿一个细长的软管8,所述软管8的头部设有多个圆形喷孔。所述的清洁刷头分别用一种带有弹性的材料制成,其大小可以让无尘纸摊开后能够包住刷头表面。所述的支撑台2为圆形结构,其外周边均布有三个支撑杆,其中一个支撑杆的端部安装有弧形刷头,另一个支撑杆的端部安装有锥形刷头,最后一个支撑杆安装有平面刷头。所述的弧形刷头4和平面刷头6上分别设有用于绑扎固定无尘纸的凹槽7。实施过程是:(1)在正常直拉单晶硅生长结束后,进入下一炉投产前的清理热场炉体环节。取出该装置,用无尘纸蘸些无水乙醇将给装置全部擦拭一遍。然后将适量无尘纸分别固定在三个弹性刷头上,利用刷头上的凹槽可以用细线绑扎固定无尘纸。(2)在各个刷头表面喷洒些无水乙醇润湿,有操作人员手握可以伸缩的操作杆调整长度,沿着副室内壁曲面出用弧形刷自上而下重复清理。针对副室内壁平面出改用平面刷头,遇到狭小拐角换做锥形刷头清理,保证每一处可以清理到位。(3)清理过程中可以将细软管衔接上酒精喷壶,通过细长的软管喷洒出无水乙醇给副室内壁。(4)清理一遍后取下刷头上无尘纸换上干净的无尘纸再多次清理副室内壁,将副室内壁各处清理干净为止。清理完后重新清洗下本装置放置在规定位置,等待其他炉台清炉用。本文档来自技高网...
一种CZ直拉法硅单晶炉副室的清洁装置

【技术保护点】
一种CZ直拉法硅单晶炉副室的清洁装置,其特征在于:包括有中空的伸缩套杆,所述伸缩套杆的端部安装有支撑台,所述支撑台的外周边分布有间隔设置的支撑杆,所述支撑杆的端部分别安装有清洁刷头,所述清洁刷头包括有弧形刷头、锥形刷头、平面刷头,所述支撑台的中部安装有与伸缩套杆内孔连通且可转动的中空细杆,所述中空细杆以及伸缩套杆之间贯穿一个细长的软管,所述软管的头部设有多个圆形喷孔。

【技术特征摘要】
1.一种CZ直拉法硅单晶炉副室的清洁装置,其特征在于:包括有中空的伸缩套杆,所述伸缩套杆的端部安装有支撑台,所述支撑台的外周边分布有间隔设置的支撑杆,所述支撑杆的端部分别安装有清洁刷头,所述清洁刷头包括有弧形刷头、锥形刷头、平面刷头,所述支撑台的中部安装有与伸缩套杆内孔连通且可转动的中空细杆,所述中空细杆以及伸缩套杆之间贯穿一个细长的软管,所述软管的头部设有多个圆形喷孔。2.根据权利要求1所述的CZ直拉法硅单晶炉副室的清洁装置,其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员:马四海张笑天马青朱光开丁磊
申请(专利权)人:安徽易芯半导体有限公司
类型:新型
国别省市:安徽,34

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