本实用新型专利技术公开了一种半导体单晶炉的二次投料装置，包括石英加料筒，石英加料筒轴向一端形成封闭端、轴向另一端为筒口，封闭端外缘固定有第一法兰，的封闭端中心贯穿滑动安装有连杆，还包括石英锥形托底，石英锥形托底堵于石英加料筒的筒口，连接杆位于石英加料筒的一端固定连接石英锥形托底的锥顶位置。本实用新型专利技术在进行投料时保持半导体单晶炉与外部环境隔离，避免外部环境对半导体单晶炉内的影响，进而提高产品质量。进而提高产品质量。进而提高产品质量。
【技术实现步骤摘要】
一种半导体单晶炉的二次投料装置
[0001]本技术涉及半导体单晶炉投料装置领域，具体是一种半导体单晶炉的二次投料装置。
技术介绍
[0002]半导体单晶炉是半导体生产常用设备，其以硅料为原料，将硅料投入半导体单晶炉中进行生产。在实际生产时往往需要向半导体单晶炉中进行二次投料或多次投料，而现有技术一般为人工投料，由于人工投料需要一定时间，因此半导体单晶炉的炉口需要长时间敞开，容易导致炉内生产环节受外部环境影响的问题，进而导致产品质量下降的问题。
技术实现思路
[0003]本技术提供了一种半导体单晶炉的二次投料装置，以解决现有技术半导体单晶炉人工二次投料导致的问题。
[0004]为了达到上述目的，本技术所采用的技术方案为：
[0005]一种半导体单晶炉的二次投料装置，包括石英加料筒，石英加料筒轴向一端封闭形成封闭端、轴向另一端为筒口，石英加料筒的封闭端外缘固定套装有第一法兰，石英加料筒的封闭端中心贯穿安装有连杆，且连杆与封闭端相对滑动配合，还包括石英锥形托底，石英锥形托底的最大直径大于石英加料筒的筒口内径，石英锥形托底堵于石英加料筒的筒口，且石英锥形托底的锥面朝向石英加料筒内，所述连接杆位于石英加料筒的一端固定连接石英锥形托底的锥顶位置。
[0006]进一步的，所述石英加料筒外壁还环套有第二法兰，第二法兰可沿石英加料筒外壁滑动，且第二法兰与第一法兰之间通过螺杆连接。
[0007]进一步的，所述连杆外环套固定有石英保护管。
[0008]本技术工作时，可事先向石英加料筒内装入二次投料所需的硅料，然后通过半导体单晶炉的提升系统将石英加料筒吊装至半导体单晶炉炉口，使石英加料筒堵入半导体单晶炉炉口，然后利用石英加料筒内硅料的重力和压力使石英锥形托底与石英加料筒筒口分离，由此硅料可从石英加料筒进入半导体单晶炉内，可在进行投料时保持半导体单晶炉与外部环境隔离，避免外部环境对半导体单晶炉内的影响，进而提高产品质量。
附图说明
[0009]图1是本技术实施例结构剖视图。
具体实施方式
[0010]下面结合附图和实施例对本技术进一步说明。
[0011]如图1所示，本实施例公开了一种半导体单晶炉的二次投料装置，包括石英加料筒1，石英加料筒1轴向竖直，石英加料筒1上端封闭形成封闭端，并且石英加料筒1上端外沿环
套固定有第一法兰2。石英加料筒1的下端为筒口，筒口中堵入有石英锥形托底3，石英锥形托底3的锥顶向上，石英锥形托底3的最大直径（即锥形圆底直径）大于石英加料筒1筒口内径，并且石英锥形托底3的锥面向上朝向石英加料筒1内部，由此石英锥形托底3可使石英加料筒1内部封闭。
[0012]石英加料筒1的上端封闭端中心设有中心通孔，中心通孔中同轴贯穿安装有连杆4，由此使连杆4与封闭端可相对滑动配合，连杆4位于石英加料筒1上方的上端固定连接有升降连接块5，升降连接块5用于连接半导体单晶炉的提升系统。连杆4下端进入石英加料筒1内，并且连杆4下端固定连接石英锥形托底3的锥顶位置。
[0013]石英加料筒1的外壁环套滑动安装有第二法兰6，第一法兰2、第二法兰6之间通过若干螺杆7连接。连杆4的外壁环套固定有石英保护管8。
[0014]工作时，先通过向下滑动连杆4，令石英锥形托底3与石英加料筒1的筒口分离，并向石英加料筒1内加入待投料的硅料，然后向上滑动连杆4，令石英锥形托底3封闭石英加料筒1的筒口。将半导体单晶炉的提升系统连接升降连接块5，然后移走半导体单晶炉炉口的炉盖，通过提升系统将石英加料筒1竖直吊装堵入至半导体单晶炉的炉口中。
[0015]石英加料筒1吊入半导体单晶炉的炉口时，第二法兰6的底面与半导体单晶炉的炉口端面接触，通过螺杆7调节第二法兰6、第一法兰2之间间距，可控制堵入至炉口内的石英加料筒1的长度，通过调节第一法兰2、第二法兰6之间间距以适用于不同炉口高度的半导体单晶炉。第二法兰6用于与炉口端面接触的底面固定有耐高温四氟垫，起到保护作用。
[0016]当石英加料筒1堵入半导体单晶炉的炉口后，令半导体单晶炉的提升系统不再对升降连接块5施加力，由此连杆4不再受力，此时石英锥形托底3在石英加料筒1内部硅料的重力和压力作用下向下移动，从而脱离石英加料筒1的筒口，硅料可从石英锥形托底3、石英加料筒1筒口之间空隙进入半导体单晶炉中。
[0017]综上可见，本实施例工作时，无须半导体单晶炉的炉口长时间敞开，在进行二次投料时可使半导体单晶炉与外部环境隔离，从而提高生产质量。
[0018]以上结合附图详细描述了本技术的优选实施方式，本技术所述的实施例仅仅是对本技术的优选实施方式进行的描述，并非对本技术构思和范围进行限定。在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合，这种组合只要其不违背本技术的思想，其同样应当视为本公开所公开的内容。为了避免不必要的重复，本技术对各种可能的组合方式不再另行说明。
[0019]本技术并不限于上述实施方式中的具体细节，在本技术的技术构思范围内以及不脱离本技术设计思想的前提下，本领域技术人员对本技术的技术方案作出的各种变型和改进，均应落入本技术的保护范围，本技术请求保护的
技术实现思路
，已经全部记载在权利要求书中。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体单晶炉的二次投料装置，其特征在于，包括石英加料筒，石英加料筒轴向一端封闭形成封闭端、轴向另一端为筒口，石英加料筒的封闭端外缘固定套装有第一法兰，石英加料筒的封闭端中心贯穿安装有连杆，且连杆与封闭端相对滑动配合，还包括石英锥形托底，石英锥形托底的最大直径大于石英加料筒的筒口内径，石英锥形托底堵于石英加料筒的筒口，且石英锥形托底的锥面朝向石英加...
【专利技术属性】
技术研发人员：马四海，马青，马先松，见亚军，张笑天，
申请(专利权)人：安徽易芯半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：
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