一种场效晶体管的制造方法技术

于一种场效晶体管制造方法中形成一金属钼层(Mo layer)于基板上。金属钼层经硫化后转换成二硫化钼层(MoS2 layer)。二硫化钼层上形成源电极以及漏电极。二硫化钼层经过低功率的氧气等离子处理。形成一栅极介电层于二硫化钼层上。形成一栅电极于栅极介电层上，而低功率的氧气等离子处理中电功率的输入范围为15瓦至50瓦。

【技术实现步骤摘要】
一种场效晶体管的制造方法
本揭示实施例是揭露一种关于使用二维材料的场效晶体管的制造方法，且特别是关于一种使用过渡金属二硫族化物的场效晶体管的制造方法。
技术介绍
石墨作为二维(2-D)的材料，已成为一种可应用在小于10纳米晶体管制程技术世代的潜力材料。然而，电流开关比(ON/OFFratio)较低的石墨烯晶体管由于自身的零能隙性质(zero-bondgapnature)限制了其实际的应用性。其他具有能隙的2-D材料，例如，过渡金属二硫族化物(TMD)，亦已在晶体管的应用上成功地引起人们的重视。
技术实现思路
依据本揭示的一态样是提供一种场效晶体管的制造方法，包含下列步骤。先形成一过渡金属二硫族化物(TMD)层于一基板上，并使用一低功率氧气等离子处理TMD层，且低功率氧气等离子的输入电功率范围为15瓦至50瓦。附图说明为让本揭示揭露的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，在阅读下述的说明书时请参照所附附图。值得注意的是，根据业界的标准做法，各种特征并非按比例绘制。事实上为清楚说明，这些特征的尺寸可任意放大或缩小。图1绘示本揭示的部分实施方式中，一种使用过渡金属二硫族化物材料制造场本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种场效晶体管的制造方法，其特征在于，包含：形成一过渡金属二硫族化物层于一基板上；以及使用一低功率氧气等离子处理该过渡金属二硫族化物层，其中该低功率氧气等离子的输入电功率范围为15瓦至50瓦。

【技术特征摘要】
2016.06.29 US 15/197,0041.一种场效晶体管的制造方法，其特征在于，包含：形...

【专利技术属性】
技术研发人员：林时彦，刘继文，李嗣涔，吴崇荣，陈冠超，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，林时彦，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71