温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

于一种场效晶体管制造方法中形成一金属钼层(Mo layer)于基板上。金属钼层经硫化后转换成二硫化钼层(MoS2 layer)。二硫化钼层上形成源电极以及漏电极。二硫化钼层经过低功率的氧气等离子处理。形成一栅极介电层于二硫化钼层上。形成一栅...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司;林时彦所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司;林时彦授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。