半导体元件及其制作方法技术

本发明专利技术公开一种半导体元件及其制作方法。首先形成一鳍状结构于一基底上，然后形成一第一衬垫层于基底及鳍状结构上，形成一第二衬垫层于第一衬垫层上，去除部分第二衬垫层及部分第一衬垫层并暴露出鳍状结构的上表面，去除鳍状结构及第二衬垫层之间的部分第一衬垫层以形成一凹槽。最后再形成一外延层于凹槽内。

【技术实现步骤摘要】
半导体元件及其制作方法
本专利技术涉及一种制作半导体元件的方法，尤其是涉及一种于鳍状结构上形成外延层作为半导体元件的通道的方法。
技术介绍
随着场效晶体管(fieldeffecttransistors,FETs)元件尺寸持续地缩小，现有平面式(planar)场效晶体管元件的发展已面临制作工艺上的极限。为了克服制作工艺限制，以非平面(non-planar)的场效晶体管元件，例如鳍状场效晶体管(finfieldeffecttransistor,FinFET)元件来取代平面晶体管元件已成为目前的主流发展趋势。由于鳍状场效晶体管元件的立体结构可增加栅极与鳍状结构的接触面积，因此，可进一步增加栅极对于载流子通道区域的控制，从而降低小尺寸元件面临的漏极引发能带降低(draininducedbarrierlowering,DIBL)效应，并可以抑制短通道效应(shortchanneleffect,SCE)。再者，由于鳍状场效晶体管元件在同样的栅极长度下会具有更宽的通道宽度，因而可获得加倍的漏极驱动电流。甚而，晶体管元件的临界电压(thresholdvoltage)也可通过调整栅极的功函数而加以调控本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制作半导体元件的方法，包含：形成一鳍状结构于一基底上；形成一第一衬垫层于该基底及该鳍状结构上；形成一第二衬垫层于该第一衬垫层上；去除部分该第二衬垫层及部分该第一衬垫层并暴露出该鳍状结构的上表面；去除该鳍状结构及该第二衬垫层之间的部分该第一衬垫层以形成一凹槽；以及形成一外延层于该凹槽内。

【技术特征摘要】
1.一种制作半导体元件的方法，包含：形成一鳍状结构于一基底上；形成一第一衬垫层于该基底及该鳍状结构上；形成一第二衬垫层于该第一衬垫层上；去除部分该第二衬垫层及部分该第一衬垫层并暴露出该鳍状结构的上表面；去除该鳍状结构及该第二衬垫层之间的部分该第一衬垫层以形成一凹槽；以及形成一外延层于该凹槽内。2.如权利要求1所述的方法，另包含：形成一牺牲层于该第二衬垫层上；平坦化部分该牺牲层；去除部分该第二衬垫层及部分该第一衬垫层并暴露出该鳍状结构的上表面；以及去除部分该第一衬垫层及该牺牲层以形成该凹槽。3.如权利要求2所述的方法，其中该牺牲层包含氧化硅。4.如权利要求1所述的方法，另包含：去除该鳍状结构及该第二衬垫层之间的部分该衬垫层并使剩余的该第一衬垫层的边缘切齐该第二衬垫层的边缘。5.如权利要求1所述的方法，其中该凹槽暴露部分该基底表面。6.如权利要求1所述的方法，其中该凹槽为倒U型。7.如权利要求1所述的方法，另包含：平坦化部分该外延层并使该外延层上表面切齐该第二衬垫层上表面；以及完全去除该第二衬垫层及该第一衬垫层。8.如权利要求1所述的方法，其中该外延层为倒U型。9.如权利要求1所述的方法，其中该第一衬垫层及该第二衬垫层包含不同材料。10.如权利要求1所述的方法，其中该第一衬垫层包含氧化硅。1...

【专利技术属性】
技术研发人员：詹电鍼，李一凡，冯立伟，张明华，林钰书，詹书俨，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71