半导体存储装置及其制造方法制造方法及图纸

本实施方式的半导体存储装置具备：半导体柱，朝第1方向延伸；第1电极，朝与所述第1方向交叉的第2方向延伸；第2电极，设置在所述半导体柱与所述第1电极之间；第1绝缘膜，设置在所述半导体柱与所述第2电极之间；及第2绝缘膜，设置在所述第1电极与所述第2电极之间。所述第2电极具有：薄板部，配置在所述第1电极侧；及厚板部，配置在所述半导体柱侧，且所述第1方向的长度长于所述薄板部。

Semiconductor storage device and its manufacturing method

The embodiment of the semiconductor memory device includes a semiconductor pillar, extending toward the first direction; the first electrode extends second direction and the first direction crossing; a second electrode disposed between the semiconductor pillar and the first electrode; a first insulating film arranged between the semiconductor and the column the second electrode; and 2 insulating film disposed between the first electrode and the second electrode. The second electrode has a thin plate part, which is arranged on the first electrode side, and the thick plate part is arranged on the semiconductor cylinder side, and the first direction length is longer than the thin plate part.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体存储装置及其制造方法
实施方式涉及一种半导体存储装置及其制造方法。
技术介绍
以往，NAND闪速存储器是通过平面构造的细微化增加集成度以降低位成本，但平面构造的微细化正不断接近极限。因此，近年来，提出一种在上下方向积层存储单元的技术。然而，此种积层型存储装置的可靠性成为问题。[
技术介绍
文献][专利文献]专利文献1：日本专利特开2012-69606号公报
技术实现思路
[专利技术所要解决的问题]实施方式的目的在于提供一种可靠性高的半导体存储装置及其制造方法。[解决问题的技术手段]实施方式的半导体存储装置具备：半导体柱，朝第1方向延伸；第1电极，朝与所述第1方向交叉的第2方向延伸；第2电极，设置在所述半导体柱与所述第1电极之间；第1绝缘膜，设置在所述半导体柱与所述第2电极之间；及第2绝缘膜，设置在所述第1电极与所述第2电极之间。所述第2电极具有：薄板部，配置在所述第1电极侧；及厚板部，配置在所述半导体柱侧，且所述第1方向的长度长于所述薄板部。实施方式的半导体存储装置的制造方法具备以下步骤：使层间绝缘膜与第1膜沿着第1方向交替积层；形成沟槽，所述沟槽朝与所述第1方向交叉的第2方向延伸，贯本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体存储装置，其特征在于具备：半导体柱，朝第1方向延伸；第1电极，朝与所述第1方向交叉的第2方向延伸；第2电极，设置在所述半导体柱与所述第1电极之间；第1绝缘膜，设置在所述半导体柱与所述第2电极之间；及第2绝缘膜，设置在所述第1电极与所述第2电极之间；且所述第2电极具有：薄板部，配置在所述第1电极侧；及厚板部，配置在所述半导体柱侧，且所述第1方向的长度长于所述薄板部。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体存储装置，其特征在于具备：半导体柱，朝第1方向延伸；第1电极，朝与所述第1方向交叉的第2方向延伸；第2电极，设置在所述半导体柱与所述第1电极之间；第1绝缘膜，设置在所述半导体柱与所述第2电极之间；及第2绝缘膜，设置在所述第1电极与所述第2电极之间；且所述第2电极具有：薄板部，配置在所述第1电极侧；及厚板部，配置在所述半导体柱侧，且所述第1方向的长度长于所述薄板部。2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，所述第2绝缘膜具有：第1层，配置在所述薄板部与所述第1电极之间、及所述薄板部的所述第1方向两侧；及第2层，配置在所述第1层与所述第1电极之间、及所述第1电极的所述第1方向两侧。3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其特征在于所述第2层的一部分配置在所述第1层的所述第1方向两侧。4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其特征在于所述第1电极的一部分配置在所述第1层的所述第1方向两侧。5.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其特征在于，所述第1层具有：外侧层，与所述第2层相接；内侧层，与所述第2电极相接；及金属粒子，配置在所述外侧层与所述内侧层之间。6.一种半导体存储装置，其特征在于具备：半导体柱，朝第1方向延伸；第1电极，朝与所述第1方向交叉的第2方向延伸；第2电极，设置在所述半导体柱与所述第1电极之间；第1绝缘膜，设置在所述半导体柱与所述第2电极之间；及第2绝缘膜，设置在所述第1电极与所述第2电极之间；且所述第2绝缘膜具有：第1层，配置在所述第2电极的所述第1电极侧、及所述第2电极的所述第1方向两侧；第2层，配置在所述第1层与所述第1电极之间、及所述第1电极的所述第1方向两侧；及第3层，配置在所述第1电极与所述第2层之间；且所述第2层的一部分配置在所述第1层的所述第1方向两侧。7.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其特征在于所述第3层的一部分配置在所述第1层的所述第1方向两侧。8.根据权利要求7所述的半导体存储装置，其特征在于所述第1电极的一部分配置在所述第1层的所述第1方向两侧。9.一种半导体存储装置，其特征在于具备：半导体柱，朝第1方向延伸；第1电极，朝与所述第1方向交叉的第2方向延伸；第2电极，设置在所述半导体柱与所述第1电极之间；第1绝缘膜，设置在所述半导体柱与所述第2电极之间；及第2绝缘膜，设置在所述第1电极与所述第2电极之间；且所述第2绝缘膜具有：第1层，与所述第2电极相接，且未配置在所述第2电极的所述第1方向两侧；第2层，配置在所述第1层与所述第1电极之间，且与所述第1层相接；及第3层，配置在所述第2层与所述第1电极之间，与所述第2层及所述第1电极相接，且未配置在所述第1电极的所述第1方向两侧。10.根据权利要求9所述的半导体存储装置，其特征在于所述第2层未配置在所述第2电极的所述第1方向两侧、及所述第1电极的所述第1方向两侧。11.根据权利要求9所述的半导体存储装置，其特征在于所述第2层的一部分配置在所述第1电极的所述第1方向两侧。12.一种半导体存储装置的制造方法，其特征在于具备以下步骤：使层间绝缘膜与第1膜沿着第1方向交替积层；形成沟槽，所述沟槽朝与所述第1方向交叉的第2方向延伸，贯通所述层间绝缘膜及所述第1膜；经由所述沟槽去除所述第1膜的一部分，由此在所述沟槽的侧面形成第1凹部；在所述沟槽的侧面上及所述第1凹部的内表面上形成第1绝缘层；在所述第1凹部内且所述第1绝缘层上形成第1导电膜；通过回蚀所述第1绝缘层去除所述第1绝缘层的配置在所述沟槽的侧面上的部分、及所述第1凹部的配置在所述沟槽侧的部分，且使所述第1绝缘层的配置在所述第1凹部的深处部位的部分保留；在所述第1凹部内形成第2导电膜；在所述沟槽的侧面上形成第1绝缘膜；在所述第1绝缘膜的侧面上形成半导体膜；形成狭缝，所述狭缝朝所述第2方向延伸，贯通所述层间绝缘膜及所述第1膜；经由所述狭缝去除所述第1膜，由此在所述狭缝的侧面形成第2凹部；在所述第2凹部的内表面上形成第2绝缘层；在所述第2凹部内形成第1电极；及将所述半导体膜、所述第1绝缘膜、所述第2导电膜及所述第1导电膜沿着所述第2方向分断。13.根据权利要求12所述的半导体存...

【专利技术属性】
技术研发人员：渡边优太，荒井史隆，关根克行，岩本敏幸，坂本渉，加藤竜也，
申请(专利权)人：东芝存储器株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP