外延层的制作方法技术

本发明专利技术公开一种外延层的制作方法，包含提供一硅基底，一介电层覆盖硅基底，接着形成一凹槽于硅基底和介电层内，之后进行一选择性外延成长步骤以及一非选择性外延成长步骤，分别形成一第一外延层和第二外延层于凹槽内，第一外延层不覆盖介电层的上表面，其中凹槽由第一外延层和第二外延层共同填满，最后平坦化第一外延层和第二外延层。

【技术实现步骤摘要】
外延层的制作方法
本专利技术涉及一种外延层的制作方法，尤其是涉及一种结合选择性外延步骤和非选择性外延步骤的外延层的制作方法。
技术介绍
近年来，随着各种消费性电子产品不断的朝小型化发展，半导体元件设计的尺寸也不断缩小，以符合高集成度、高效能和低耗电的潮流以及产品需求。然而，随着电子产品的小型化发展，现有的平面晶体管已经无法满足产品的需求。因此，目前发展出一种非平面晶体管的鳍状晶体管技术。与平面晶体管不同，在鳍状晶体管具有立体的栅极通道结构，以缩小晶体管的物理尺寸，此外，鳍状晶体管还具有减少基底的漏电、降低短通道效应，并具有较高的驱动电流的特色。但由于鳍状晶体管是属于立体的结构，较传统结构复杂，制造难度也偏高，而且依现今对电子产品要求体积小和速度快的情况下，还需要一种新颖的鳍状晶体管装置的制作方法，以达成业界的需求。
技术实现思路
根据本专利技术的较佳实施例，一种外延层的制作方法，包含提供一硅基底，一介电层覆盖硅基底，接着形成一凹槽于硅基底和介电层内，进行一选择性外延成长步骤以形成一第一外延层于凹槽内，其中第一外延层不覆盖介电层的一上表面，之后进行一非选择性外延成长步骤以形成一第二外延层于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种外延层的制作方法，包含：提供一硅基底，一介电层覆盖该硅基底；形成一凹槽于该硅基底和该介电层内；进行一选择性外延成长步骤以形成一第一外延层于该凹槽内，其中该第一外延层不覆盖该介电层的一上表面；进行一非选择性外延成长步骤以形成一第二外延层于该凹槽内，并且该第二外延层覆盖该介电层的该上表面，其中该凹槽由该第一外延层和该第二外延层共同填满；以及平坦化该第二外延层，使得该第二外延层和该介电层切齐。

【技术特征摘要】
1.一种外延层的制作方法，包含：提供一硅基底，一介电层覆盖该硅基底；形成一凹槽于该硅基底和该介电层内；进行一选择性外延成长步骤以形成一第一外延层于该凹槽内，其中该第一外延层不覆盖该介电层的一上表面；进行一非选择性外延成长步骤以形成一第二外延层于该凹槽内，并且该第二外延层覆盖该介电层的该上表面，其中该凹槽由该第一外延层和该第二外延层共同填满；以及平坦化该第二外延层，使得该第二外延层和该介电层切齐。2.如权利要求1所述的外延层的制作方法，其中至少部分的该第一外延层的一上表面低于该介电层的该上表面。3.如权利要求1所述的外延层的制作方法，另包含形成该凹槽之前，形成一掺杂区于该硅基底中。4.如权利要求3所述的外延层的制作方法，其中形成该凹槽的步骤包含移除部分的该掺...

【专利技术属性】
技术研发人员：李一凡，冯立伟，许力介，陈俊仁，胡益诚，吴典逸，林钰书，杨能辉，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71