具有非易失性留存的基于铁电的存储器单元制造技术

描述了一种装置，所述装置包括：可通过写字线（WWL）进行控制的第一存取晶体管；可通过读字线（RWL）进行控制的第二存取晶体管；以及耦合到第一和第二存取晶体管的铁电单元，其中铁电单元经由WWL可编程并且经由RWL可读。描述了一种方法，所述方法包括：驱动耦合到第一存取晶体管的栅极端子的WWL以使第一存取晶体管接通；以及驱动耦合到第一存取晶体管的源极/漏极端子的写位线WBL，当第一存取晶体管接通时，被驱动的WBL用于使耦合到第一存取晶体管的存储节点充电或放电，其中铁电单元耦合到存储节点并且可根据经充电或放电的存储节点进行编程。

Ferroelectric memory unit with nonvolatile memory

An apparatus is described which comprises: the office line (WWL) first access transistor control; can read word line (RWL) second access transistors are controlled; and coupled to the first and second ferroelectric cell access transistor, wherein the ferroelectric single element via the WWL programmable and readable by RWL. A method is described, the method includes: a driver coupled to the gate terminal of the first access transistor WWL to the first access transistor is turned on; and the driver is coupled to the first access transistor source / drain terminal write bit line WBL, when the first access transistor is switched on, driven for coupling to WBL the first access transistor storage node charge or discharge, wherein the ferroelectric unit is coupled to the storage nodes and storage nodes according to the charge or discharge of programming.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有非易失性留存的基于铁电的存储器单元
技术介绍
密集的低功率嵌入式存储器用于计算机产品。通过嵌入式存储器的非易失性操作是减少待机功率的合期望的性质。然而，已知的存储器不会在一种类型的存储器中提供非易失性、低功率和高切换速度。例如，静态随机存取存储器（SRAM）是高速易失性存储器，但是它消耗来自常开电源的漏过功率。嵌入式动态随机存取存储器（E-DRAM）是消耗来自刷新操作的动态功率的另一高速易失性存储器。一些非易失性存储器展现较低的待机功率。例如，嵌入式闪存（eFlash）、磁性随机存取存储器（MRAM）和电阻式随机存取存储器（RRAM）是展现低待机功率但不大可能达到针对许多应用所要求的性能水平（即，在低功率下可与SRAM比拟的快速读写操作）的非易失性存储器。另外，当前非易失性存储器的耐久性较低并且写入能量过高。附图说明本公开的实施例将从下文给出的详细描述以及从本公开的各种实施例的随附各图而更加全面地理解，然而，本公开的各种实施例不应被视为将本公开限于具体实施例，而是仅用于解释和理解。图1图示了根据本公开的一些实施例的n型三晶体管铁电静态随机存取存储器（3T-FESRAM）位单元。图2A-本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种装置，包括：可通过写字线（WWL）进行控制的第一存取晶体管；可通过读字线（RWL）进行控制的第二存取晶体管；以及耦合到第一和第二存取晶体管的铁电单元，其中铁电单元经由WWL可编程并且经由RWL可读。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种装置，包括：可通过写字线（WWL）进行控制的第一存取晶体管；可通过读字线（RWL）进行控制的第二存取晶体管；以及耦合到第一和第二存取晶体管的铁电单元，其中铁电单元经由WWL可编程并且经由RWL可读。2.根据权利要求1所述的装置，其中铁电单元包括具有耦合到铁电电容器的栅极端子的晶体管。3.根据权利要求2所述的装置，其中铁电电容器经由WWL可编程。4.根据权利要求2所述的装置，其中铁电电容器集成在铁电单元的晶体管的栅极端子内。5.根据权利要求2所述的装置，其中铁电电容器串联地耦合在铁电单元的晶体管的栅极端子与第一存取晶体管之间。6.根据权利要求2所述的装置，其中铁电电容器耦合到铁电单元的晶体管的栅极端子、第一存取晶体管以及用于提供读辅助信号的节点。7.根据权利要求1所述的装置，其中第一存取晶体管、第二存取晶体管和铁电单元由铁电材料形成。8.根据权利要求1所述的装置，其中第一存取晶体管包括：耦合到写位线（WBL）的源极/漏极端子，以及耦合到铁电单元的漏极/源极端子。9.根据权利要求1所述的装置，其中第二存取晶体管包括：耦合到读位线（RBL）的源极/漏极端子，以及耦合到铁电单元的漏极/源极端子。10.一种方法，包括：驱动耦合到第一存取晶体管的栅极端子的写字线（WWL）以使第一存取晶体管接通；以及驱动耦合到第一存取晶体管的源极/漏极端子的写位线（WBL），当第一存取晶体管接通时，被驱动的WBL用于使耦合到第一存取晶体管的存储节点充电或放电，其中铁电单元耦合到存储节点并且可根据经充电或放电的存储节点进行编程。11.根据权利要求10所述的方法，包括根据经充电或放电的存储节点对铁电单元中的逻辑状态进...

【专利技术属性】
技术研发人员：DH莫里斯，UE阿夫西，IA扬，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国,US