形成界面偶极子层的系统和方法技术方案

一种形成电子设备的方法，该方法包括邻近场效应晶体管(FET)的栅极区中的介电层(204)形成除氧层(230)。在该介电层与该FET的基板之间有界面层(214)。该方法进一步包括通过对该除氧层、该介电层和该界面层进行退火来形成偶极子层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】形成界面偶极子层的系统和方法I.优先权要求本申请要求共同拥有的于2015年2月19日提交的美国非临时专利申请No.14/625,974的优先权，该非临时专利申请的内容通过援引全部明确纳入于此。II.领域本公开一般涉及形成偶极子层。III.相关技术描述技术进步已产生越来越小且越来越强大的计算设备。例如，当前存在各种各样的便携式个人计算设备，包括较小、轻量且易于由用户携带的无线计算设备，诸如便携式无线电话、个人数字助理(PDA)以及寻呼设备。更具体地，便携式无线电话(诸如蜂窝电话和网际协议(IP)电话)可通过无线网络传达语音和数据分组。此外，许多此类无线电话包括被纳入于其中的其他类型的设备。例如，无线电话还可包括数码相机、数码摄像机、数字记录器以及音频文件播放器。同样，此类无线电话可处理可执行指令，包括可被用于访问因特网的软件应用，诸如web浏览器应用。如此，这些无线电话可包括显著的计算能力。逻辑器件(例如，无线计算设备的逻辑电路中所使用的晶体管)的进步已导致此类器件的尺寸显著减小；然而，嵌入式存储器器件(例如，与逻辑电路集成在同一管芯或模块上的存储器电路中所使用的晶体管或电容器)在尺寸上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成包括存储器器件的电子设备的方法，所述方法包括：邻近场效应晶体管(FET)的栅极区中的介电层形成除氧层，其中在所述介电层与所述FET的基板之间有界面层；以及通过对所述除氧层、所述介电层和所述界面层进行退火来形成偶极子层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.02.19 US 14/625,9741.一种形成包括存储器器件的电子设备的方法，所述方法包括：邻近场效应晶体管(FET)的栅极区中的介电层形成除氧层，其中在所述介电层与所述FET的基板之间有界面层；以及通过对所述除氧层、所述介电层和所述界面层进行退火来形成偶极子层。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述FET是鳍式FET(FinFET)。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述FET是平面FET。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基板是平面FET的平面硅基板或鳍式FET(FinFET)的鳍。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括在形成所述偶极子层之后移除所述除氧层。6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，进一步包括：在移除所述除氧层之后在所述偶极子层上沉积阻挡层；在所述阻挡层上沉积金属层；在所述金属层上沉积第二阻挡层；以及在所述第二阻挡层上沉积填充金属层。7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述FET是包括一个或多个逻辑器件的集成电路中所包括的存储器器件。8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，进一步包括在形成所述除氧层之前在与所述一个或多个逻辑器件相对应的区域上方形成保护层。9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，进一步包括：在形成所述偶极子层之后移除所述保护层以暴露所述一个或多个逻辑器件中的逻辑器件的盖层；在所述逻辑器件的所述盖层以及所述存储器器件的所述偶极子层上沉积阻挡层；在所述阻挡层上沉积金属层；在所述金属层上沉积第二阻挡层；以及在所述第二阻挡层上沉积填充金属层。10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括基于所述偶极子层的电偶极矩取向来存储数据。11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述除氧层包括氮化钛，所述介电层包括氧化铪(HfO2)，并且所述偶极子层包括氧化硅铪(HfSiO4)。12.一种集成电路器件，包括：在管芯的存储器区域中的第一晶体管结构，所述第一晶体管结构具有基板和第一栅极，所述第一栅极包括邻近所述基板的偶极子层和邻近所述偶极子层的阻挡层；以及在所述管芯的逻辑器件区域中的第二晶体管结构，所述第二晶体管结构具有第二栅极，所述第二栅极包括界面层、介电层和盖层，所述介电层在所述盖层和所述界面层之间。13.如权利要求12所述的集成电路器件，其特征在于，所述阻挡层在所述偶极子层和所述盖层上。14.如权利要求12所述的集成电路器件，其特征在于，所述介电层包括氧化铪(HfO2)，所述偶极子层包括氧化硅铪(HfSiO4)，或这两者。15.如权利要求12所述的集成电路器件，其特征在于，所述第一晶体管结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·J·徐，X·李，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US