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一种形成电子设备的方法，该方法包括邻近场效应晶体管(FET)的栅极区中的介电层(204)形成除氧层(230)。在该介电层与该FET的基板之间有界面层(214)。该方法进一步包括通过对该除氧层、该介电层和该界面层进行退火来形成偶极子层。...
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