用于铁电存储器中的数据感测的参考电压的设置制造技术

所描述的实例包含一种设置用于感测包含一晶体管一电容器1T‑1C类型的铁电随机存取存储器FRAM单元的集成电路中的数据状态的参考电压的方法。在电气测试操作中，将部分或全部所述FRAM单元编程到特定极化状态(32)。在那个数据状态的一或多个最差情况电气或环境条件下(34)，执行用于感测所述数据状态的所述参考电压的“什穆”操作(36)，以确定在读取时最弱单元未能返回正确数据时的参考电压限制(36)。接着，基于此参考电压限制(例如所述限制加/减公差)使用参考电压写入配置寄存器(40)。

Setting of reference voltage for data sensing in a ferroelectric memory

Examples described include a method for setting reference voltage data state integrated circuit includes a ferroelectric random access memory FRAM cell transistor capacitor 1T type 1C in the. In the electrical test operation, part or all of the FRAM units are programmed into a particular polarization state (32). In the data state of one or more of the worst case of electrical or environmental conditions (34), executed for sensing the data state of the reference voltage \shmoo\ operation (36), to determine the reference voltage limit when reading the weakest unit failed to return the correct data when (36). Next, a reference voltage limit (for example, the limit plus / minus tolerance) is written to the configuration register (40) based on this reference voltage.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于铁电存储器中的数据感测的参考电压的设置
本专利技术大体上涉及非易失性存储器集成电路，且更特定来说，涉及铁电存储器装置中的操作参数的设置。
技术介绍
常规金属氧化物半导体(MOS)及互补MOS(CMOS)逻辑及存储器装置在现代电子系统中普遍存在，这是因为其提供快速切换时间与低功率耗散的绝佳组合、以及其高密度且对大型集成的适应性。然而，从根本上，那些装置基本上是易失性的，这是因为在移除偏置功率之后根据这些技术构造的逻辑及存储器电路不会保留其数据。尤其是在移动及微型系统中，非常期望以非易失性方式存储存储器及逻辑状态的能力。因此，近年来已开发了用于构造非易失性装置的各种技术。一种非易失性固态存储器技术涉及电容器的构造，其中电介质材料是可极化铁电材料，例如锆钛酸铅(PZT)或锶铋钽(SBT)。这些铁电电容器的电荷-电压(Q-V)特性的迟滞在已从电容器板移除电压之后实现二进制状态的非易失性存储，其中所存储的状态对应于铁电材料的极化状态。相比之下，常规MOS电容器在移除电容器电压后失去其所存储的电荷。铁电电容器可由在很大程度上与现代CMOS集成电路兼容的工艺构造，例如通过将电容器定位在晶体管层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种设置包含一晶体管一电容器1T‑1C类型的铁电存储器单元的集成电路中的参考电压的方法，其包括：将多个所述铁电存储器单元编程到第一数据状态，所述第一数据状态对应于比第二数据状态更低的电容极化状态；在多个参考电压电平下迭代地读取所述多个经编程铁电存储器单元以识别对应于在读取时最弱存储器单元返回所述第二数据状态时的所述参考电压电平的第一参考电压限制；及在对应于所述第一参考电压限制的操作电平下配置所述集成电路以设置所述参考电压。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.02.17 US 62/116,977;2016.02.09 US 15/019,0261.一种设置包含一晶体管一电容器1T-1C类型的铁电存储器单元的集成电路中的参考电压的方法，其包括：将多个所述铁电存储器单元编程到第一数据状态，所述第一数据状态对应于比第二数据状态更低的电容极化状态；在多个参考电压电平下迭代地读取所述多个经编程铁电存储器单元以识别对应于在读取时最弱存储器单元返回所述第二数据状态时的所述参考电压电平的第一参考电压限制；及在对应于所述第一参考电压限制的操作电平下配置所述集成电路以设置所述参考电压。2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：在所述迭代读取之前，在用于读取所述第一数据状态的最差情况条件下设置电气参数。3.根据权利要求2所述的方法，其中在最差情况条件下设置电气参数包含：在对应于高电力供应器电压规格限制的电平下设置电力供应器电压。4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：在所述迭代读取之前，在用于读取所述第一数据状态的最差情况条件下设置所述集成电路的环境参数。5.根据权利要求4所述的方法，其中在最差情况条件下设置环境参数包含：将所述集成电路加热到对应于高温规格限制的温度。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述迭代读取包含针对所述多个铁电存储器单元中的每一者在所述多个参考电压电平中的每一者下：对所述存储器单元进行存取；及比较由所述存储器单元通过所述存取产生的电压与所述参考电压电平。7.根据权利要求6所述的方法，其中所述存取包含将所述铁电存储器单元中的铁电电容器的第一板耦合到与所述铁电存储器单元相关联的位线；所述读取包含比较所述位线处的电压与所述参考电压电平；所述第一数据状态对应于所述铁电电容器到第一极化状态的极化，其中所述电容器在缺乏所施加的电压的情况下保留第一极性的电压；所述存取进一步包含将电压脉冲施加到所述铁电电容器的第二板，所述电压脉冲具有相对于所述位线的所述第一极性；及在所述电压脉冲之后执行比较所述位线处的电压与所述参考电压电平。8.根据权利要求1所述的方法，其中配置所述集成电路以设置所述参考电压包含：使用对应于所述第一参考电压限制加公差的值写入配置寄存器的内容。9.根据权利要求1所述的方法，其中所述集成电路是单个集成电路晶片中形成的多个类似集成电路中的一者；且其中使用呈晶片形式的所述集成电路执行所述编程、迭代读取及配置。...

【专利技术属性】
技术研发人员：C·Z·周，K·A·瑞麦克，J·A·罗德里格斯，
申请(专利权)人：德州仪器公司，
类型：发明
国别省市：美国,US